IR21364(S&J)PbF
描述
该IR21364 ( S&J ) PBF是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器有三个
独立的高侧和低侧参考输出通道为3相的应用程序。专有的HVIC
技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL兼容
输出下降到3.3V逻辑。电流跳闸功能,这将终止所有六路输出可以从派生
外部电流检测电阻。使能功能可同时终止所有六路输出。一
漏极开路故障信号被提供,以指示发生了过流或欠压关断。
过电流故障条件下通过一个外部的RC编程的延迟后自动清零
网络连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,
最小驱动器跨导。传播延迟相匹配,以简化在高频用途
应用程序。浮置沟道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达600 V.
QUALI科幻阳离子信息
产业
资质等级
点评:这系列IC已通过JEDEC的
工业资质。 IR的消费资格
级别授予延伸产业较高的
的水平。
SOIC28W
MSL3 , 260℃
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
MSL3 , 245℃
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
湿度敏感度等级
PLCC44
人体模型
ESD
机器型号
IC闩锁测试
符合RoHS
2级
(根据JEDEC标准JESD22- A114 )
B类
(每EIA / JEDEC标准EIA / JESD22- A115 )
I类, A级
(每JESD78 )
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
高学历额定值可应用户有这样的需求。请联系
您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2
IR21364(S&J)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
S
V
B
V
HO
V
CC
V
SS
V
LO1,2,3
V
IN
V
FLT
dv / dt的
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
高侧偏移电压
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑地
低侧输出电压
输入电压林,欣ITRIP , EN , RCIN
FAULT输出电压
允许偏移电压摆率
封装功耗
@ T
A
≤
+25 °
C
热阻,结到
环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
( 28引脚SOIC )
( 44引脚PLCC )
( 28引脚SOIC )
( 44引脚PLCC )
民
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
-0.3
V
SS
-0.3
V
SS
-0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
最大
625
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
低
V
CC
+ 0.3
Vss+15
V
CC
+ 0.3
50
1.6
2.0
78
63
150
150
300
单位
V
B 1,2,3
- 25 V
B 1,2,3
+ 0.3
V
S1,2,3
- 0.3 V
B 1,2,3
+ 0.3
V
V / ns的
W
°
C / W
°
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。所有电压参数是绝对的参考COM 。在V
S
&放大器; V
SS
胶印的评价是
与偏置15 V差分所有电源进行测试。
符号
V
B1,2,3
V
S 1,2,3
V
CC
V
何1,2,3
V
LO1,2,3
V
SS
V
FLT
V
RCIN
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压
低端电源电压
高侧输出电压
低侧输出电压
逻辑地
FAULT输出电压
RCIN输入电压
IR21364
IR21364
分钟。
V
S1,2,3
+11.5
注1
11.5
V
S1,2,3
0
-5
V
SS
V
SS
马克斯。
V
S1,2,3
+ 20
600
20
V
B1,2,3
V
CC
5
V
CC
V
CC
单位
V
ITRIP输入电压
V
SS
V
SS
+ 5
逻辑输入电压LIN , HIN , EN
V
SS
V
SS
+ 5
-40
环境温度
125
°
C
注1 :
逻辑操作的
V
S
的COM -5 V至COM举办+ 600 V.逻辑状态
V
S
COM -5到COM -
V
BS 。
(请参考设计提示DT97 -3详细介绍) 。
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V
ITRIP
V
IN
T
A
3
IR21364(S&J)PbF
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS 1,2,3
)= 15V, TA = 25° ,除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数是参照
C
V
SS
并适用于所有六个通道( HIN1,2,3和LIN1,2,3 ) 。在V
O
我
O
参数参考COM
和V
S1,2,3
并适用于各输出引线: HO1,2,3和LO1,2,3 。
符号
V
IH
V
IL
V
EN , TH +
V
EN , TH-
V
IT, TH +
V
IT, HYS
V
RCIN , TH +
V
RCIN , HYS
V
OH
V
OL
V
CCUV +
V
CCUV-
V
CCUVHY
V
BSUV +
V
BSUV-
V
BSUVHY
LLK
I
QBS
I
QCC
I
LIN
+
I
LIN
-
I
HIN
+
I
HIN
-
I
ITRIP +
I
ITRIP-
I
EN +
I
恩
I
RCIN
IO +
IO-
R
on_RCIN
R
on_FAULT
德网络nition
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入电压
启用正向阈值
使负门槛
ITRIP正向阈值
ITRIP滞后
RCIN正向阈值
RCIN滞后
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压滞后
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
BS
电源欠压
迟滞
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
输入偏置电流( LOUT = HI )
输入偏置电流( LOUT = LO)
输入偏置电流( HOUT = HI )
输入偏置电流( HOUT = LO)
“高” ITRIP输入偏置电流
“低” ITRIP输入偏置电流
“高”启用输入偏置电流
“低”使能输入偏置电流
RCIN,输入偏置电流
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
RCIN低导通电阻
FAULT低导通电阻
IR21364
IR21364
IR21364
IR21364
IR21364
IR21364
最小典型最大单位
—
2.5
—
0.8
0.37
—
—
—
—
—
9.6
8.6
—
9.6
8.6
—
—
—
—
—
-1
—
-1
—
-1
—
-1
—
120
250
—
—
—
—
—
—
0.46
0.07
8
3
0.9
0.4
10.4
9.4
1
10.4
9.4
1
—
70
0.6
100
—
100
—
3.3
—
100
—
—
200
350
50
50
0.8
—
2.5
—
0.55
—
—
—
1.4
0.6
11.2
10.2
—
11.2
10.2
—
50
120
1.3
195
—
195
—
6
—
—
—
1
—
mA
—
100
100
A
mA
V
TEST
条件
IO能力= 20 mA
A
V
B
= V
S
= 600 V
V
B1,2,3
= V
S1,2,3
=
600 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
LIN
= 3.3 V
V
LIN
= 0 V
V
HIN
= 3.3 V
V
HIN
= 0 V
V
ITRIP
= 3.3 V
V
ITRIP
= 0 V
V
EN
= 3.3 V
V
EN
= 0 V
Vrcin = 0 V或15
V
VO = 0 V ,
PW
≤
10 s
VO = 15 V ,
PW
≤
10 s
I = 1.5毫安
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动态电气特性
动态电气特性V
CC
= V
BS
= V
BIAS
= 15 V, V
S1,2,3
= V
SS
= COM , TA = 25 °, CL = 1000 pF的
C
除非另有说明
.
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
EN
t
ITRIP
t
bl
t
FLT
t
飞翎
t
filterEN
DT
MT
MDT
PM
t
FLTCLR
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
实现低输出关断传播
延迟
ITRIP输出关断传播延迟
ITRIP消隐时间
ITRIP到故障传播延迟
输入滤波时间( HIN , LIN )
使能输入滤波时间
死区时间
吨,盘中匹配时间(在所有六个声道)
DT匹配(高>Lo &罗>Hi在所有通道上)
脉冲宽度失真( PWIN - pwout )
故障清除时间RCIN : R = 2 M,C = 1 nF的
民
350
375
—
—
300
500
100
400
100
100
220
—
—
—
1.3
典型值
500
530
125
50
450
750
150
600
200
200
290
—
—
—
1.65
最大单位
650
685
190
75
600
1000
—
800
—
—
360
75
70
75
2
ms
ns
测试条件
V
IN
= 0 V & 5 V
V
IN,
V
EN
= 0 V或5 V
V
ITRIP
= 5 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
ITRIP
= 5 V
V
IN
= 0 V & 5 V
外部的死区时间
>450纳秒
输入PW = 10微秒
V
IN
= 0 V或5 V
V
ITRIP
= 0 V
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