数据表号PD60147 rev.U
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 500V或600V +
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
(IR2110)
(IR2113)
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
500V最大。
600V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 94纳秒
延迟匹配（ IR2110 ） 10 ns（最大值） 。
（ IR2113 ）为20ns最大。
套餐
描述
该IR2110 / IR2113的高压，高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有独立的高侧和低侧参考输出信
16引脚SOIC
内尔斯。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使
14引脚PDIP
IR2110S/IR2113S
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容
IR2110/IR2113
标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。该
浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT哪些
工作频率高达500或600伏。
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达500V或600V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。这个/这些图（ s）显示电
连接而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。附加信息被显示在图28 35 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压（ IR2110 ）
(IR2113)
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
525
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。典型
在其他的偏置条件的评分示于图36和37 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
(IR2110)
(IR2113)
分钟。
V
S
+ 10
注1
注1
V
S
10
0
V
SS
+ 3
-5 （注2 ）
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
500
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-4到+ 500V 。举办了V逻辑状态
S
-4V到-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
注2 ：当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD.
2
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IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。动态
电特性是使用图3中所示的测试电路进行测量。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延迟匹配， HS & LS
TURN- ON / OFF
(IR2110)
(IR2113)
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
7
8
9
10
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120
94
110
25
17
—
—
150
125
140
35
25
10
20
V
S
= 0V
V
S
= 500V/600V
V
S
= 500V/600V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在V
O
我
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
2.0
—
—
—
—
—
125
180
15
20
—
8.6
8.2
8.5
8.2
2.5
2.5
—
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
9.7
9.4
9.6
V
9.4
—
—
A
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW
≤
10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
≤
10
s
A
V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
=V
S
= 500V/600V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
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3
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
功能框图
V
B
V
DD
R Q
S
HIN
HV
水平
移
UV
检测
脉冲
滤波器
R
R
S
Q
HO
V
DD
/V
CC
水平
移
脉冲
根
V
S
SD
UV
检测
V
CC
V
DD
/V
CC
水平
移
LIN
R Q
V
SS
S
LO
延迟
COM
铅定义
符号说明
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
逻辑电源
高侧栅极驱动器输出逻辑输入（ HO） ，相
关机逻辑输入
低侧栅极驱动器输出逻辑输入（ LO ）的相位
逻辑地
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低端电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
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IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
铅作业
14引脚PDIP
16引脚SOIC （宽体）
IR2110/IR2113
IR2110S/IR2113S
14引脚PDIP W / O型铅4
14引脚PDIP W / O型引线4 & 5
IR2110-1/IR2113-1
产品型号
IR2110-2/IR2113-2
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5
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