PD-60085B
IR2110L4
特点
n
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 400V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10 20V
n
欠压锁定两个通道
n
独立的逻辑电源电压范围为5 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
逐周期边沿触发关断逻辑
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
同相输入输出
高端和低端驱动器
产品概述
VOFFSET
IO +/-
VOUT
吨/关(典型值)。
延迟匹配
400V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120ns的& 94ns
10ns
描述
该IR2110L4是一种高电压,高速功率MOSFET
和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧
参考输出通道。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出。输出驱动器fetures
a
高脉冲电流缓冲级,最低
驱动器跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。浮动
信道可以被用来驱动一个N沟道功率MOSFET
或IGBT在高侧配置,它运行起来
400伏。
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有电压参数
绝对电压参考COM 。热电阻和功耗额定值下测板
安装和静止空气条件。
绝对最大额定值
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
允许的偏移电源电压瞬变(图2)
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
重量
分钟。
-0.5
V
S
- 0.5
-0.5
-0.5
-0.5
V
CC
- 20
V
SS
- 0.5
-55
-55
马克斯。
V
S
+ 20
400
V
B
+ 0.5
20
V
CC
+ 0.5
V
SS
+ 20
V
CC
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
50
1.6
75
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
g
1.5 (典型值)
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1
05/02/11
IR2110L4
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正常工作的设备应
推荐的条件下使用。在VS和VSS抵消评级与所有电源测试
偏置在15V的差分。在其他偏压条件典型的评分示于图36和37 。
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
VB
VS
VHO
VCC
V LO
VDD
VSS
VIN
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
VS + 10
-4
VS
10
0
VSS + 5
-5
V SS
VS + 20
400
VB
20
VCC
V SS + 20
5
VDD
V
动态电气特性
VBIAS (VCC , VBS中,VDD ) = 15V ,和VSS = COM ,除非另有规定。动态电
特征是使用在图3所示的测试电路进行测量。
TJ = 25°C
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
分钟。
典型值。
120
94
110
25
17
TJ =
-55到125°C
马克斯。分钟。马克斯。单位
150
125
140
35
25
20
260
220
235
50
40
测试条件
V
S
= 0V
V
S
= 400V
V
S
= 400V
C L = 1000pF的
C L = 1000pF的
ns
|
Ht
on
-LT
on
|/|
Ht
关闭
-LT
关闭
|
典型连接
最多
4
500V
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
TO
负载
2
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IR2110L4
静态电气特性
VBIAS ( VCC , VBS , VDD ) = 15V , TA = 25 ℃, VSS = COM ,除非另有规定。在VIN , VTH和
IIN参数参考VSS ,并适用于所有的三个逻辑输入导线: HIN , LIN和SD 。
于是,VO和IO参数参考COM和适用于各个输出引线: HO或
LO 。
TJ = 25°C
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
参数
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压, VO
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
民
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
2.0
—
—
0.7
—
—
125
180
5
15
—
8.6
8.2
8.5
8.2
—
—
TJ = -55
125°C
典型值。马克斯。分钟。最大单位
—
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
9.7
9.4
9.6
9.4
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.7
1.5
0.1
250
500
600
60
70
10
—
—
—
—
—
—
A
V
O
= 0V, V
IN
= VDD
PW < = 10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW < = 10
s
V
V
测试条件
V
DD
= 15V
V
DD
= 15V
V
IN
= V
IH
, I
O
= 0A
V
IN
= V
IL
, I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 400V
V
IN
= V
IH
或V
IL
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= 15V
V
IN
= 0V
V
BSUV +
V
BS
电源欠压积极
门槛
V
BSUV-
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负
门槛
I
O+
高输出短路脉冲
当前
I
O-
低输出短路脉冲
当前
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3