数据表号PD60163 -P
IR2109(4)
(S)
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间
600V最大。
120毫安/ 250毫安
10 - 20V
750 & 200纳秒
540纳秒
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部540ns死区时间，可编程
达5us的一个外部R
DT
电阻（ IR21094 ）
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
关闭输入断开两个通道。
（可编程至5us的为IR21094 ）
套餐
14引脚SOIC
描述
该IR2109 （ 4 ） （S ）是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高
8引脚SOIC
低侧参考输出通道。专有的HVIC
14引脚PDIP
和锁存免疫CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
8引脚PDIP
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。浮置沟道，可以用来驱动在N沟道功率MOSFET或IGBT
高端配置，它的工作频率高达600伏。
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
IN
SD
COM
高达600V
IR21094
IR2109
HO
V
CC
IN
SD
V
CC
IN
SD
DT
V
SS
R
DT
V
SS
COM
LO
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅作业的正确
配置） 。这个/这些图（ s）显示
电气连接只。请参考我们的
应用笔记和DesignTips正确
电路板布局。
www.irf.com
1
IR2109 （4）（
S
)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
可编程死区时间引脚电压（ IR21094只）
逻辑输入电压（IN & SD ）
逻辑地（ IR21094 / IR21894只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
2
www.irf.com
IR2109 （4）（
S
)
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（IN & SD ）
可编程死区时间引脚电压（ IR21094只）
逻辑地（ IR21094只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25 ℃， DT = VSS的，除非另有规定。
符号
吨
花花公子
TSD
MT
tr
tf
DT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
分钟。
—
—
—
—
—
—
400
4
—
—
典型值。
750
200
200
0
150
50
540
5
0
0
马克斯。单位测试条件
950
280
280
70
220
80
680
6
60
600
微秒
纳秒
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
RDT = 0
RDT = 200K
(IR21094)
RDT=0
RDT = 200K
(IR21094)
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
www.irf.com
3
IR2109 （4）（
S
)
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ， DT = V
SS
和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数是参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入导线：IN和SD 。在V
O
, I
O
和Ron
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH +
V
SD ， TH-
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路脉冲vurrent
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
—
2.9
—
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
120
250
—
—
—
—
0.8
0.3
—
60
1.0
5
1
8.9
8.2
0.7
200
350
—
0.8
—
0.8
1.4
0.6
50
150
1.6
20
2
9.8
9.0
V
—
—
—
mA
V
O
= 0V ， PW
≤
10 s
V
O
= 15V ， PW
≤
10 s
A
A
mA
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
RDT = 0
IN = 5V ， SD = 0V
IN = 0V ， SD = 5V
4
www.irf.com
数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 （ S）的高电压，高速
交
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高，低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
无
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级，最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ，其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
（请参阅铅
分配
正确的针连接
成形） 。这种/
牛逼电子旗下ê
图（多个）
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
1
IR2301 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
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数据表号PD60163 -P
IR2109(4)
(S)
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间
600V最大。
120毫安/ 250毫安
10 - 20V
750 & 200纳秒
540纳秒
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部540ns死区时间，可编程
达5us的一个外部R
DT
电阻（ IR21094 ）
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
关闭输入断开两个通道。
（可编程至5us的为IR21094 ）
套餐
14引脚SOIC
描述
该IR2109 （ 4 ） （S ）是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高
8引脚SOIC
低侧参考输出通道。专有的HVIC
14引脚PDIP
和锁存免疫CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
8引脚PDIP
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。浮置沟道，可以用来驱动在N沟道功率MOSFET或IGBT
高端配置，它的工作频率高达600伏。
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
IN
SD
COM
高达600V
IR21094
IR2109
HO
V
CC
IN
SD
V
CC
IN
SD
DT
V
SS
R
DT
V
SS
COM
LO
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅作业的正确
配置） 。这个/这些图（ s）显示
电气连接只。请参考我们的
应用笔记和DesignTips正确
电路板布局。
www.irf.com
1
IR2109 （4）（
S
)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
可编程死区时间引脚电压（ IR21094只）
逻辑输入电压（IN & SD ）
逻辑地（ IR21094 / IR21894只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
2
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IR2109 （4）（
S
)
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（IN & SD ）
可编程死区时间引脚电压（ IR21094只）
逻辑地（ IR21094只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25 ℃， DT = VSS的，除非另有规定。
符号
吨
花花公子
TSD
MT
tr
tf
DT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
分钟。
—
—
—
—
—
—
400
4
—
—
典型值。
750
200
200
0
150
50
540
5
0
0
马克斯。单位测试条件
950
280
280
70
220
80
680
6
60
600
微秒
纳秒
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
RDT = 0
RDT = 200K
(IR21094)
RDT=0
RDT = 200K
(IR21094)
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
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3
IR2109 （4）（
S
)
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ， DT = V
SS
和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数是参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入导线：IN和SD 。在V
O
, I
O
和Ron
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH +
V
SD ， TH-
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路脉冲vurrent
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
—
2.9
—
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
120
250
—
—
—
—
0.8
0.3
—
60
1.0
5
1
8.9
8.2
0.7
200
350
—
0.8
—
0.8
1.4
0.6
50
150
1.6
20
2
9.8
9.0
V
—
—
—
mA
V
O
= 0V ， PW
≤
10 s
V
O
= 15V ， PW
≤
10 s
A
A
mA
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
RDT = 0
IN = 5V ， SD = 0V
IN = 0V ， SD = 5V
4
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