数据表号PD60191 revD
IR21091
（S） & （的PbF ）
半桥驱动器
特点
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
死区时间
600V最大。
120毫安/ 250毫安
10 - 20V
680 & 170纳秒
500纳秒
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部500ns的死区时间，可编程
达5us的一个外部R
DT
电阻器
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
双重功能DT / SD引脚输入会关闭
通道。
可提供无铅
（可编程至5us的）
套餐
描述
该IR21091 （ S）是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高
8引脚SOIC
8引脚PDIP
低侧参考输出通道。专有的HVIC
和锁存免疫CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨
传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高
侧面配置，它的工作频率高达600伏。
典型连接
V
CC
高达600V
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
IR21091(S)
TO
负载
IN
DT / SD
COM
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ s）显示的电连接
只。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR21091
（S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT / SD
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
可编程死区时间和停机引脚电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT / SD
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
可编程死区时间和停机引脚电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
V
CC
125
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS 。
（请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
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IR21091
（S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25 ℃， DT = VSS的，除非另有规定。
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
DT
MDT
TSD
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
关闭传播延迟
分钟。
—
—
—
—
—
400
4
—
—
215
典型值。
750
200
0
150
50
540
5
0
0
—
马克斯。单位测试条件
950
280
70
220
80
680
6
60
600
615
微秒
纳秒
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
RDT = 0
RDT = 200K
RDT=0
RDT = 200K
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ， DT = V
SS
和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数
参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入导线：IN和DT 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
DT / SD引脚关断输入阈值
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路脉冲vurrent
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
—
11.5
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
120
250
—
—
13
0.8
0.3
—
60
1.0
5
1
8.9
8.2
0.7
200
350
—
0.8
14.5
1.4
0.6
50
150
1.6
20
2
9.8
9.0
—
—
—
mA
V
O
= 0V ， PW
≤
10 s
V
O
=15V,PW
≤
10 s
mA
A
V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
RDT = 0
A
IN = 5V ， SD = 0V
IN = 0V ， SD = 5V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
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3
IR21091
（S） & （的PbF ）
铅定义
符号说明
IN
DT / SD
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
可编程死区时间领先，引用到VSS 。当连接到VCC，禁止输入/输出逻辑
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
VCC
IN
DT / SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
IN
DT / SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR21091
IR21091(S)
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初步数据表号PD60191 -A
IR21091
(S)
半桥驱动器
特点
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
死区时间
600V最大。
120毫安/ 250毫安
10 - 20V
680 & 170纳秒
500纳秒
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部500ns的死区时间，可编程
达5us的一个外部R
DT
电阻器
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
双重功能DT / SD引脚输入会关闭
通道。
（可编程至5us的）
套餐
描述
该IR21091 （ S）是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高
低侧参考输出通道。专有的HVIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
和锁存免疫CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮置沟道可以用于
开车在工作频率高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT 。
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
IR21091(S)
TO
负载
IN
DT / SD
COM
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ s）显示的电连接
只。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR21091
(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT / SD
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
可编程死区时间和停机引脚电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT / SD
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
可编程死区时间和停机引脚电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
V
CC
125
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS 。
（请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
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IR21091
(S)
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25 ℃， DT = VSS的，除非另有规定。
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
DT
MDT
TSD
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
关闭传播延迟
分钟。
—
—
—
—
—
400
4
—
—
—
典型值。
750
200
0
150
50
540
5
0
0
—
马克斯。单位测试条件
950
280
70
220
80
680
6
60
600
—
微秒
纳秒
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
RDT = 0
RDT = 200K
RDT=0
RDT = 200K
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ， DT = V
SS
和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数
参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入导线：IN和DT 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
DT / SD引脚关断输入阈值
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路脉冲vurrent
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
—
2.9
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
120
250
—
—
—
0.8
0.3
—
60
1.0
5
1
8.9
8.2
0.7
200
350
—
0.8
—
1.4
0.6
50
150
1.6
20
2
9.8
9.0
—
—
—
mA
V
O
= 0V ， PW
≤
10 s
V
O
=15V,PW
≤
10 s
mA
A
V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
RDT = 0
A
IN = 5V ， SD = 0V
IN = 0V ， SD = 5V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
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IR21091
(S)
铅定义
符号说明
IN
DT / SD
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
可编程死区时间领先，引用到VSS 。当连接到VCC，禁止输入/输出逻辑
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
VCC
IN
DT / SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
IN
DT / SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
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5
QQ：2880707522 复制
