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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第746页 > IR21064
数据表号PD60162版本V
IR2106(4)
(S)
特点
高端和低端驱动器
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V ( IR2106 ( 4 ) )
欠压锁定两个通道
3.3V , 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出同相输入端( IR2106 )
8引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚SOIC
14引脚PDIP
描述
的IR2106 (4)( S)的高电压,
高速功率MOSFET和
输入
传导
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
部分
IGBT驱动器具有独立的高
预防
逻辑
逻辑
和低侧参考输出信
2106/2301
COM
HIN / LIN
no
220/200
内尔斯。专有的HVIC和锁存器
21064
VSS / COM
免疫CMOS技术使
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
220/200
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
坚固耐用的单片式结构。
2109/2302
内部540ns
COM
逻辑输入兼容
IN / SD
是的
750/200
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
标准CMOS或LSTTL输出,
是的
160/140
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
下降到3.3V逻辑。输出driv-
器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮动
通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT哪些
工作频率高达600伏。
2106/2301//2108//2109/2302/2304
功能比较
典型连接
V
CC
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2106
HO
V
CC
HIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
(请参阅铅分配其是否
RECT引脚配置) 。这个/这些
图( s)显示电气连接
系统蒸发散而已。请参考我们的应用程序
阳离子笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
LIN
IR21064
COM
LO
V
SS
V
SS
www.irf.com
1
IR2106(4)
(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地( IR21064只)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻,结到环境
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
°C
2
www.irf.com
IR2106(4)
(S)
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压绝对IR2106 ( 4 )
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压IR2106 ( 4 )
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地( IR21064只)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
220
200
0
150
50
马克斯。单位测试条件
300
280
30
220
80
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
www.irf.com
3
IR2106(4)
(S)
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数
参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入引线。在V
O
, I
O
和Ron参数是参照
COM和适用于各输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压( IR2106 (4))
逻辑“0”输入电压( IR2106 (4))
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
V
IN
= 5V ( IR2106 (4))
逻辑“0”输入偏置电流
V
IN
= 0V ( IR2106 (4))
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
20
60
0.8
0.3
75
120
0.8
1.4
0.6
50
130
180
A
8.0
7.4
0.3
120
250
5
8.9
8.2
0.7
200
350
20
2
9.8
9.0
mA
V
O
= 0V,
PW
10
s
V
O
= 15V,
PW
10
s
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
4
www.irf.com
IR2106(4)
(S)
功能方框图
VB
IR2106
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
IR21064
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VSS / COM
水平
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
www.irf.com
5
数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 (S) & (的PbF )
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V , 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅(的PbF )
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 ( S)的高电压,高速
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高,低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出,下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级,最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ,其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
(请参阅铅
分配
正确的针连接
成形) 。这种/
牛逼电子旗下ê
图(多个)
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
1
IR2301 (S) & (的PbF )
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
2
www.irf.com
IR2301 (S) & (的PbF )
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
220
200
0
130
50
马克斯。单位测试条件
300
280
50
220
80
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V ,和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数是参照
COM和适用于相应的输入引线。在V
O
, I
O
和Ron参数参考COM并
适用于各自的输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负
负门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
20
50
3.3
3
0.1
120
250
0.8
0.3
60
120
5
4.1
3.8
0.3
200
350
0.8
1.4
0.6
50
100
190
20
2
5
4.7
mA
V
O
= 0V,
PW
10
s
V
O
= 15V,
PW
10
s
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
V
www.irf.com
3
IR2301 (S) & (的PbF )
功能方框图
VB
UV
检测
R
HV
水平
脉冲
发电机
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VSS / COM
水平
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
铅定义
符号说明
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出逻辑输入( HO) ,相
低侧栅极驱动器输出逻辑输入( LO )的相位
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
4
www.irf.com
IR2301 (S) & (的PbF )
铅作业
1
2
3
4
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2301
IR2301S
HIN
LIN
HIN
LIN
50%
50%
tr
90%
花花公子
90%
tf
HO
LO
图1.输入/输出时序图
HO
LO
10%
10%
图2.开关时间波形定义
HIN
LIN
50%
50%
LO
HO
10%
MT
90%
MT
LO
HO
图3.延迟匹配波形定义
www.irf.com
5
初步数据表号PD60162J
IR2106/IR21064
IR2107/IR21074
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
延迟匹配
600V最大。
120毫安/ 250毫安
10 - 20V
180纳秒
50纳秒
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
5V施密特触发输入逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出同相输入端( IR2106 / IR21064 )
输出的相位与输入( IR2107 / IR21074 )
描述
该IR2106 / IR21064 / IR2107 / IR21074是高电压
年龄,高速功率MOSFET和IGBT驱动器
具有独立的高侧和低侧参考输出
把渠道。专有的HVIC和锁存免疫
CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入是用标准的兼容
准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级,
最小驱动器跨导。浮动
信道可被用于驱动N沟道功率
MOSFET或IGBT在高侧配置
它的工作频率高达600伏。
套餐
14引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚PDIP
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
HIN
LIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
欣/ HIN
LIN / LIN
COM
高达600V
IR21064/IR21074
IR2106/IR2107
V
CC
HIN
HIN
LIN
LIN
HO
V
CC
欣/ HIN
LIN / LIN
V
B
V
S
TO
负载
V
SS
V
SS
COM
LO
IR2106/IR21064/IR2107/IR21074
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2106 / IR21064 )
( HIN & LIN - IR2107 / IR21074 )
逻辑地( IR21064 / IR21074只)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻,结到环境
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2106 / IR21064 )
( HIN & LIN - IR2107 / IR21074 )
逻辑地( IR21064 / IR21074只)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
.
2
www.irf.com
IR2106/IR21064/IR2107/IR21074
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
180
170
0
150
50
马克斯。单位测试条件
270
250
50
220
80
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数
参考V
SS
/ COM ,并适用于各自的输入导线: HIN和LIN ( IR2106 / IR21064 )和HIN和LIN
( IR2107 / IR21074 ) 。在V
O
, I
O
和Ron参数参考COM和适用于各个输出
领导: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压( IR2106 / IR21064 )
逻辑“0”输入电压( IR2107 / IR21074 )
逻辑“0”输入电压( IR2106 / IR21064 )
逻辑“1”输入电压( IR2107 / IR21074 )
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
0.8
0.3
60
120
5
0.8
1.4
0.6
50
150
240
20
mA
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V ( IR2106 (4))
V
IN
= 0V ( IR2107 (4))
1
8.9
8.2
0.7
200
350
2
9.8
9.0
V
0.3
120
250
mA
V
O
= 0V,
PW
10 s
V
O
= 15V,
PW
10 s
V
IN
= 0V ( IR2106 (4))
V
IN
= 5V ( IR2107 (4))
20
50
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
8.0
7.4
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3
IR2106/IR21064/IR2107/IR21074
功能框图
VB
2106
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
21064
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
4
www.irf.com
IR2106/IR21064/IR2107/IR21074
VB
2107
+5V
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VSS / COM
水平
VS
VCC
+5V
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
21074
+5V
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VSS / COM
水平
VS
VCC
+5V
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
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5
数据表号PD60162版本V
IR2106(4)
(S)
特点
高端和低端驱动器
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V ( IR2106 ( 4 ) )
欠压锁定两个通道
3.3V , 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出同相输入端( IR2106 )
8引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚SOIC
14引脚PDIP
描述
的IR2106 (4)( S)的高电压,
高速功率MOSFET和
输入
传导
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
部分
IGBT驱动器具有独立的高
预防
逻辑
逻辑
和低侧参考输出信
2106/2301
COM
HIN / LIN
no
220/200
内尔斯。专有的HVIC和锁存器
21064
VSS / COM
免疫CMOS技术使
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
220/200
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
坚固耐用的单片式结构。
2109/2302
内部540ns
COM
逻辑输入兼容
IN / SD
是的
750/200
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
标准CMOS或LSTTL输出,
是的
160/140
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
下降到3.3V逻辑。输出driv-
器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮动
通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT哪些
工作频率高达600伏。
2106/2301//2108//2109/2302/2304
功能比较
典型连接
V
CC
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2106
HO
V
CC
HIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
(请参阅铅分配其是否
RECT引脚配置) 。这个/这些
图( s)显示电气连接
系统蒸发散而已。请参考我们的应用程序
阳离子笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
LIN
IR21064
COM
LO
V
SS
V
SS
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1
IR2106(4)
(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地( IR21064只)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻,结到环境
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
°C
2
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IR2106(4)
(S)
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压绝对IR2106 ( 4 )
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压IR2106 ( 4 )
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地( IR21064只)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
220
200
0
150
50
马克斯。单位测试条件
300
280
30
220
80
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
www.irf.com
3
IR2106(4)
(S)
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数
参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入引线。在V
O
, I
O
和Ron参数是参照
COM和适用于各输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压( IR2106 (4))
逻辑“0”输入电压( IR2106 (4))
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
V
IN
= 5V ( IR2106 (4))
逻辑“0”输入偏置电流
V
IN
= 0V ( IR2106 (4))
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
20
60
0.8
0.3
75
120
0.8
1.4
0.6
50
130
180
A
8.0
7.4
0.3
120
250
5
8.9
8.2
0.7
200
350
20
2
9.8
9.0
mA
V
O
= 0V,
PW
10
s
V
O
= 15V,
PW
10
s
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
4
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IR2106(4)
(S)
功能方框图
VB
IR2106
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
IR21064
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
HIN
VSS / COM
水平
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
www.irf.com
5
数据表号PD60207 Rev.A的
IR2302
(S) & (的PbF )
半桥驱动器
特点
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V , 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部540ns死区时间
较低的di /更好的噪声dt的栅极驱动器
免疫
关闭输入关闭两个通道
8引脚SOIC还提供无铅(的PbF ) 。
8引脚SOIC
IR2302(S)
(也可用无铅(的PbF ) )
8引脚PDIP
IR2302
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
部分
2106/2301
21064
2108
21084
2109/2302
21094
输入
逻辑
HIN / LIN
HIN / LIN
传导
预防
逻辑
no
是的
死区时间
接地引脚
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
内部540ns
可编程0.54 5
s
描述
IN / SD
是的
的IR2302 ( S)的高电压,高速
可编程0.54 5
s
功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖新生
是的
HIN / LIN
内部为100ns
2304
COM
凹痕高,低侧参考输出
通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮动通道可
可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在其中运行到高端配置
600伏。
内部540ns
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
IR2302
TO
负载
IN
SD
COM
(请参阅铅作业的
正确的配置) 。这种/
这些图( s)显示elec-
只有Trical公司联系。请参考我们的应用笔记
和DesignTips正确的电路板布局。
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1
IR2302(
S
) & (的PbF )
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压(IN & SD )
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压(IN & SD )
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
2
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IR2302(
S
) & (的PbF )
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V ,C
L
= 1000pF的,和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
花花公子
TSD
MT
tr
tf
DT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间: LO关断何导通( DT
LO- HO) &
何关断到LO开启( DT
HO- LO )
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
分钟。
550
400
典型值。
750
200
200
0
130
50
540
0
马克斯。单位测试条件
950
280
280
50
220
80
680
60
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数是参照
COM和适用于相应的输入导线:IN和SD 。在V
O
, I
O
和Ron参数参考COM
并适用于各输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD , TH +
V
SD , TH-
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压
负门槛
迟滞
高输出短路脉冲vurrent
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.9
2.9
20
0.4
3.3
3
0.1
120
250
0.8
0.3
60
1.0
5
4.1
3.8
0.3
200
350
0.8
0.8
1.4
0.6
50
100
1.6
20
2
5
4.7
V
O
= 0V , PW
10
s
V
O
= 15V , PW
10
s
A
mA
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
IN = 5V , SD = 0V
IN = 0V , SD = 5V
V
mA
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3
IR2302(
S
) & (的PbF )
功能方框图
VB
UV
检测
R
HV
水平
脉冲
发电机
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
IN
VSS / COM
水平
VS
死区时间
UV
检测
VCC
+5V
LO
SD
VSS / COM
水平
延迟
COM
4
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IR2302(
S
) & (的PbF )
铅定义
符号说明
IN
SD
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高和低侧栅极驱动器输出(HO和LO ) ,同相何逻辑输入
关机逻辑输入
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
(也可用无铅(的PbF )
IR2302
IR2302S
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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15000.00
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
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366
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原装现货,假一罚十
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原装现货,假一罚十
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电话:0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人:李先生
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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联系人:夏先生
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