IR2103(S)PBF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定
3.3V ， 5V和15V逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
内部设置死区时间
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与LIN输入
产品概述
V
OFFSET
（最大）
I
O+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
死区时间（典型值）。
600V
130毫安/ 270毫安
10V – 20V
680 & 150纳秒
520纳秒
描述
该IR2103 （S ）为高电压，高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有依赖性高，低侧参考输出
通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V兼容
逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级
专为最小驱动器跨导。浮置沟道
可被用来驱动在该N沟道功率MOSFET或IGBT
高端配置，它的工作频率高达600伏。
封装选项
8引脚SOIC
8引脚PDIP
订购信息
基本零件编号
IR2103SPBF
IR2103SPBF
IR2103PBF
标准包装
套餐类型
SO8N
SO8N
PDIP8
形式
管
磁带和卷轴
管
QUANTITY
95
2500
50
订购型号
IR2103SPBF
IR2103STRPBF
IR2103PBF
1
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2013国际整流器
2013年4月18日
IR2103(S)PBF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/
dt
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & ）
LIN
允许的偏移电压瞬变
8引脚PDIP
封装功耗
@ T
A
≤ +25°C
8引脚SOIC
热阻，结到
环境
8引脚PDIP
8引脚SOIC
分钟。
-0.3
V
B
-
25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作设备应当在使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
V
S
10
0
0
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
125
°C
V
单位
逻辑运算的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示DT97-3的
更多详细信息） 。
4
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2013国际整流器
2013年4月18日
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