数据表号PD- 6.075 -G
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
高压半桥
特点
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
高侧栅极驱动器设计用于引导
手术
匹配的传播延迟为两个通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
在相HIN半桥输出
散热器版本（P2）的具有改进的PD
产品概述
V
IN （MAX）
吨/关
TRR
R
DS
（上）
250V- 214/224
500V - 420
130 & 90纳秒
260纳秒
2.0 - H214
1.1 - H224
3.0 - H420
2.0W
4.0W - P2
描述
该IR01H （ D） xxx是一个高电压，高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术，随着HEXFET功率
MOSFET技术，使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入是相容
IBLE与标准CMOS或LSTTL输出。该
前端设有一个独立的高侧和低侧
驱动器的相位与逻辑兼容输入
信号。输出要素在半2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲桥配置
舞台设计为最小交叉传导的
半桥。传播延迟的高和低
侧功率MOSFET相匹配，以简化使用。
P
D
(T
A
= 25℃ ）
套餐
典型连接
高压直流母线
VIN
D1
注： D1不需要
高清型
6
VCC
H
IN
L
IN
1
VCC
V
B
2
H
IN
V
IN
VO
9
3
L
IN
7
COM
TO
负载
4
COM
1
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热阻
和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
T
S
T
L
高电压源
德网络nition
214/224
420
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
≤
+25
o
C
- P2
热阻，结到环境
- P2
热阻，结到外壳（散热片）
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
- P2
214/224
420
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
- 0.3
-0.3
—
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
250
500
275
525
V
IN
+ 0.3
V
cc
+ 0.3
25
3.50
2
4.0
60
30
20
150
150
300
单位
V
V
V
V
V / ns的
W
W
° C / W
o
W
C / W
°C
o
° C / W
C
°C
2
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
V
O
V
CC
V
IH
/V
IL
T
A
Id
高电压源
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
214/224
420
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
连续漏电流（ TA = 25
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TA = 85
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TC = 25
o
C)
214-P2
224-P2
420-P2
214/224
420
分钟。
V
O
+ 10
—
—
（注1 ）
—
10
0
-40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
V
O
+ 20
250
500
250
500
20
V
CC
125
0.85
1.4
1.1
1.9
0.7
1.1
0.55
0.9
0.7
1.4
0.5
0.8
1.7
2.3
1.4
单位
V
V
V
V
V
V
o
C
A
A
A
注1 ：
逻辑运算为-5 VO为250V （ 224分之214 ）和500V （ 420 ） 。
保持在-5到-V V0逻辑状态
B
3
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。开关时间波形的定义示于
图2中。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
QRR
德网络nition
导通传播延迟（见注2 ）
关断传播延迟（见注2 ）
导通上升时间（见注2 ）
关断下降时间（见注2 ）
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间（ MOSFET体二极管）
反向恢复电荷（ MOSFET体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
—
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
—
—
—
C
I
F
= 0.7A
的di / dt
= 100 A /美
VS = 0V
VS = 500V
ns
注2：指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极输入
电压。这表现为，何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。输入电压和电流电平参考
COM 。
符号
V
CCUV +
V
CCUV-
I
QCC
I
QBS
I
os
V
IH
V
IL
I
IN +
I
IN-
RDS （ ON）
门槛
德网络nition
V
CC
电源欠压积极正在进行
V
CC
电源欠压负向
门槛
静态V
CC
电源电流
静态V
BS
电源电流
偏置电源漏电流
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
静态漏 - 源极导通电阻
214
224
420
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
8.8
7.5
—
—
—
2.7
—
—
—
—
—
—
—
—
9.3
8.2
140
20
—
—
—
20
—
2.0
1.1
3.0
0.8
0.85
9.8
8.6
240
50
50
—
0.8
40
1.0
—
—
—
—
—
V
V
V
A
A
A
V
V
B
= V
S
= 500V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
V
V
CC
= 10V至20V
A
V
Id=850mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
o
o
o
o
o
V
SD
二极管的正向电压
214/420
224
4
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
功能框图
V
D1
B
VIN
6
9
1
VCC
H
O
IRFCxxx
2
H
IN
IR2101
V
S
7
VO
IRFCxxx
3
L
IN
L
O
注： XXX = 214或224或420
只包含在HD型D1
4
COM
注： XXX = 214或224或420
铅定义
符号
VCC
HIN
LIN
V
B
V
+
VO
COM
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出逻辑输入，相
对于低端半桥输出逻辑输入，相
高侧栅极驱动浮动电源
高电压源
半桥输出
逻辑和半桥回报偏低
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VCC
HIN
LIN
COM
VB
VO
VIN
9
6
1
2
3
4
7
5
数据表号PD- 6.075 -G
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
高压半桥
特点
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
高侧栅极驱动器设计用于引导
手术
匹配的传播延迟为两个通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
在相HIN半桥输出
散热器版本（P2）的具有改进的PD
产品概述
V
IN （MAX）
吨/关
TRR
R
DS
（上）
250V- 214/224
500V - 420
130 & 90纳秒
260纳秒
2.0 - H214
1.1 - H224
3.0 - H420
2.0W
4.0W - P2
描述
该IR01H （ D） xxx是一个高电压，高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术，随着HEXFET功率
MOSFET技术，使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入是相容
IBLE与标准CMOS或LSTTL输出。该
前端设有一个独立的高侧和低侧
驱动器的相位与逻辑兼容输入
信号。输出要素在半2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲桥配置
舞台设计为最小交叉传导的
半桥。传播延迟的高和低
侧功率MOSFET相匹配，以简化使用。
P
D
(T
A
= 25℃ ）
套餐
典型连接
高压直流母线
VIN
D1
注： D1不需要
高清型
6
VCC
H
IN
L
IN
1
VCC
V
B
2
H
IN
V
IN
VO
9
3
L
IN
7
COM
TO
负载
4
COM
1
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热阻
和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
T
S
T
L
高电压源
德网络nition
214/224
420
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
≤
+25
o
C
- P2
热阻，结到环境
- P2
热阻，结到外壳（散热片）
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
- P2
214/224
420
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
- 0.3
-0.3
—
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
250
500
275
525
V
IN
+ 0.3
V
cc
+ 0.3
25
3.50
2
4.0
60
30
20
150
150
300
单位
V
V
V
V
V / ns的
W
W
° C / W
o
W
C / W
°C
o
° C / W
C
°C
2
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
V
O
V
CC
V
IH
/V
IL
T
A
Id
高电压源
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
214/224
420
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
连续漏电流（ TA = 25
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TA = 85
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TC = 25
o
C)
214-P2
224-P2
420-P2
214/224
420
分钟。
V
O
+ 10
—
—
（注1 ）
—
10
0
-40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
V
O
+ 20
250
500
250
500
20
V
CC
125
0.85
1.4
1.1
1.9
0.7
1.1
0.55
0.9
0.7
1.4
0.5
0.8
1.7
2.3
1.4
单位
V
V
V
V
V
V
o
C
A
A
A
注1 ：
逻辑运算为-5 VO为250V （ 224分之214 ）和500V （ 420 ） 。
保持在-5到-V V0逻辑状态
B
3
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。开关时间波形的定义示于
图2中。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
QRR
德网络nition
导通传播延迟（见注2 ）
关断传播延迟（见注2 ）
导通上升时间（见注2 ）
关断下降时间（见注2 ）
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间（ MOSFET体二极管）
反向恢复电荷（ MOSFET体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
—
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
—
—
—
C
I
F
= 0.7A
的di / dt
= 100 A /美
VS = 0V
VS = 500V
ns
注2：指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极输入
电压。这表现为，何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。输入电压和电流电平参考
COM 。
符号
V
CCUV +
V
CCUV-
I
QCC
I
QBS
I
os
V
IH
V
IL
I
IN +
I
IN-
RDS （ ON）
门槛
德网络nition
V
CC
电源欠压积极正在进行
V
CC
电源欠压负向
门槛
静态V
CC
电源电流
静态V
BS
电源电流
偏置电源漏电流
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
静态漏 - 源极导通电阻
214
224
420
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
8.8
7.5
—
—
—
2.7
—
—
—
—
—
—
—
—
9.3
8.2
140
20
—
—
—
20
—
2.0
1.1
3.0
0.8
0.85
9.8
8.6
240
50
50
—
0.8
40
1.0
—
—
—
—
—
V
V
V
A
A
A
V
V
B
= V
S
= 500V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
V
V
CC
= 10V至20V
A
V
Id=850mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
o
o
o
o
o
V
SD
二极管的正向电压
214/420
224
4
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
功能框图
V
D1
B
VIN
6
9
1
VCC
H
O
IRFCxxx
2
H
IN
IR2101
V
S
7
VO
IRFCxxx
3
L
IN
L
O
注： XXX = 214或224或420
只包含在HD型D1
4
COM
注： XXX = 214或224或420
铅定义
符号
VCC
HIN
LIN
V
B
V
+
VO
COM
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出逻辑输入，相
对于低端半桥输出逻辑输入，相
高侧栅极驱动浮动电源
高电压源
半桥输出
逻辑和半桥回报偏低
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VCC
HIN
LIN
COM
VB
VO
VIN
9
6
1
2
3
4
7
5
数据表号PD- 6.075 -G
IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
高压半桥
特点
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
高侧栅极驱动器设计用于引导
手术
匹配的传播延迟为两个通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
在相HIN半桥输出
散热器版本（P2）的具有改进的PD
产品概述
V
IN （MAX）
吨/关
TRR
R
DS
（上）
250V- 214/224
500V - 420
130 & 90纳秒
260纳秒
2.0 - H214
1.1 - H224
3.0 - H420
2.0W
4.0W - P2
描述
该IR01H （ D） xxx是一个高电压，高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术，随着HEXFET功率
MOSFET技术，使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入是相容
IBLE与标准CMOS或LSTTL输出。该
前端设有一个独立的高侧和低侧
驱动器的相位与逻辑兼容输入
信号。输出要素在半2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲桥配置
舞台设计为最小交叉传导的
半桥。传播延迟的高和低
侧功率MOSFET相匹配，以简化使用。
P
D
(T
A
= 25℃ ）
套餐
典型连接
高压直流母线
VIN
D1
注： D1不需要
高清型
6
VCC
H
IN
L
IN
1
VCC
V
B
2
H
IN
V
IN
VO
9
3
L
IN
7
COM
TO
负载
4
COM
1
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IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热阻
和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
T
S
T
L
高电压源
德网络nition
214/224
420
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
≤
+25
o
C
- P2
热阻，结到环境
- P2
热阻，结到外壳（散热片）
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
- P2
214/224
420
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
- 0.3
-0.3
—
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
250
500
275
525
V
IN
+ 0.3
V
cc
+ 0.3
25
3.50
2
4.0
60
30
20
150
150
300
单位
V
V
V
V
V / ns的
W
W
° C / W
o
W
C / W
°C
o
° C / W
C
°C
2
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IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
V
O
V
CC
V
IH
/V
IL
T
A
Id
高电压源
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
214/224
420
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
连续漏电流（ TA = 25
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TA = 85
o
C)
214
214-P2
224
224-P2
420
420-P2
（ TC = 25
o
C)
214-P2
224-P2
420-P2
214/224
420
分钟。
V
O
+ 10
—
—
（注1 ）
—
10
0
-40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
V
O
+ 20
250
500
250
500
20
V
CC
125
0.85
1.4
1.1
1.9
0.7
1.1
0.55
0.9
0.7
1.4
0.5
0.8
1.7
2.3
1.4
单位
V
V
V
V
V
V
o
C
A
A
A
注1 ：
逻辑运算为-5 VO为250V （ 224分之214 ）和500V （ 420 ） 。
保持在-5到-V V0逻辑状态
B
3
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IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。开关时间波形的定义示于
图2中。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
QRR
德网络nition
导通传播延迟（见注2 ）
关断传播延迟（见注2 ）
导通上升时间（见注2 ）
关断下降时间（见注2 ）
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间（ MOSFET体二极管）
反向恢复电荷（ MOSFET体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
—
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
—
—
—
C
I
F
= 0.7A
的di / dt
= 100 A /美
VS = 0V
VS = 500V
ns
注2：指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极输入
电压。这表现为，何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。输入电压和电流电平参考
COM 。
符号
V
CCUV +
V
CCUV-
I
QCC
I
QBS
I
os
V
IH
V
IL
I
IN +
I
IN-
RDS （ ON）
门槛
德网络nition
V
CC
电源欠压积极正在进行
V
CC
电源欠压负向
门槛
静态V
CC
电源电流
静态V
BS
电源电流
偏置电源漏电流
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
静态漏 - 源极导通电阻
214
224
420
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
8.8
7.5
—
—
—
2.7
—
—
—
—
—
—
—
—
9.3
8.2
140
20
—
—
—
20
—
2.0
1.1
3.0
0.8
0.85
9.8
8.6
240
50
50
—
0.8
40
1.0
—
—
—
—
—
V
V
V
A
A
A
V
V
B
= V
S
= 500V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
V
V
V
CC
= 10V至20V
A
V
Id=850mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=700mA/T
J
=150 C
Id=1.1A/T
J
=150 C
o
o
o
o
o
V
SD
二极管的正向电压
214/420
224
4
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IR01H （D ） 214 / IR01H （D ） 214 -P2
IR01H （D ） 224 / IR01H （D ） 224 -P2
IR01H （D ） 420 / IR01H （D ） 420 -P2
功能框图
V
D1
B
VIN
6
9
1
VCC
H
O
IRFCxxx
2
H
IN
IR2101
V
S
7
VO
IRFCxxx
3
L
IN
L
O
注： XXX = 214或224或420
只包含在HD型D1
4
COM
注： XXX = 214或224或420
铅定义
符号
VCC
HIN
LIN
V
B
V
+
VO
COM
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出逻辑输入，相
对于低端半桥输出逻辑输入，相
高侧栅极驱动浮动电源
高电压源
半桥输出
逻辑和半桥回报偏低
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VCC
HIN
LIN
COM
VB
VO
VIN
9
6
1
2
3
4
7
5
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