IPW90R800C3
的CoolMOS
功率晶体管
特点
最低的数字品质因数的
ON
X Q
g
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
超低栅极电荷
产品概述
V
DS
@
T
J
=25°C
R
DS （ ON） ，最大
@
T
J
= 25°C
Q
克，典型值
900
0.8
42
V
nC
PG-TO247
的CoolMOS 900V是专为：
准谐振反激/正激拓扑
PC Silverbox和消费电子应用
工业开关电源
TYPE
IPW90R800C3
包
PG-TO247
记号
9R800C
最大额定值，
at
T
J
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...400 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
1.0版
P
合计
T
J
,
T
英镑
M3和M3.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=1.4 A,
V
DD
=50 V
I
D
=1.4 A,
V
DD
=50 V
价值
6.9
4.4
15
157
0.46
1.4
50
±20
±30
104
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
2008-07-29
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
IPW90R800C3
最大额定值，
at
T
J
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
4.1
15
4
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
1.2
62
K / W
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
J
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.46毫安
V
DS
=900 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=900 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=4.1 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=4.1 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
900
2.5
-
-
3
-
-
3.5
1
A
V
-
-
-
10
-
0.62
-
100
0.8
nA
-
-
1.7
1.3
-
-
1.0版
第2页
2008-07-29
请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
IPW90R800C3
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
1100
52
34
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
至500 V
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=4.1 A,
R
G
=50
-
-
-
-
-
130
70
20
400
32
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=4.1 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
5
18
42
4.6
-
-
待定
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=4.1 A,
T
J
=25 °C
-
-
0.8
360
5.3
24
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
，二/ dt≤ 200 A / μs的，V
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
J
＆ LT ;吨
， MAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至50％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至50％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
1.0版
第3页
2008-07-29
请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
IPW90R800C3
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
110
100
90
80
70
10
1
10 s
100 s
10
2
限于由导通状态
阻力
1 s
P
合计
[W]
I
D
[A]
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
1毫秒
10毫秒
10
0
DC
10
-1
1
10
100
1000
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
J
=25 °C
参数：
V
GS
20
20 V
10 V
8V
6V
15
10
0
5.5 V
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.2
0.1
10
5V
10
-1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
5
4.5 V
4V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
0
5
10
15
20
25
t
p
[s]
V
DS
[V]
1.0版
第4页
2008-07-29
请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
IPW90R800C3
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
J
=150 °C
参数：
V
GS
10
20 V
10 V
8V
6V
5V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
J
=150 °C
参数：
V
GS
10
8
8
4.5 V
10 V
4
4V
R
DS （ ON）
[
]
6
6
I
D
[A]
4
5V
4.8 V
2
2
4.5 V
4V
0
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
J
);
I
D
=4.1 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
=20V
参数：
T
J
2.5
20
25 °C
2
15
R
DS （ ON）
[
]
1.5
I
D
[A]
10
150 °C
1
98 %
典型值
5
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
J
[°C]
V
GS
[V]
1.0版
第5页
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请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
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