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MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管
的CoolMOS CFD
650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPW65R080CFD
数据表
2.0版本, 2011-02-02
最终科幻
工业&多元化
650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPW65R080CFD
1
描述
的CoolMOS 是一项革命性的技术,用于高压功率MOSFET ,
根据超结( SJ )原理设计,由英飞凌率先推出
技术。 650V的CoolMOS CFD系列结合的经验
领先SJ MOSFET供应商的高级的创新。由此产生的设备
提供了一个快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供了一个非常快的
和强大的体二极管。极低的开关,换向这个组合
和导通损耗与高耐用性做出特别共振
切换应用更加可靠,效率更高,重量更轻,并且冷却器
销2
特点
超快速体二极管
极高的耐用性减刑
极低造成的损失非常低的FOM
DSON
*Q
g
与ê
OSS
易于使用/驱动器
根据JEDEC合格的工业级应用
1)
,
无铅电镀,无卤素模子化合物
销1
来源
3脚
应用
650V的CoolMOS CFD尤其适合于谐振开关PWM级为
例如PC Silverbox ,液晶电视,灯具,服务器,电信和太阳能
请注意:对于MOSFET并联使用铁氧体磁珠上的门
或单独的图腾柱通常建议。
表1
参数
主要性能参数
价值
700
0.08
900
1
180
10
170
137
12.5
PG-TO247
单位
V
A / μs的
C
ns
A
nC
A
J
记号
65F6080
相关链接
IFX的CoolMOS网页
IFX设计工具
V
DS
@
T
, MAX
R
DS ( ON) ,最大
体二极管D
i
/d
t
Q
rr
t
rr
I
RRM
Q
克,典型值
I
D,脉冲
E
OSS
@ 400V
TYPE
IPW65R080CFD
1 ) J- STD20和JESD22
最终数据手册
2
2.0版本, 2011-02-02
650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPW65R080CFD
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目录
1
描述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
目录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2
3
4
5
6
7
最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
电气特性图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
最终数据手册
3
2.0版本, 2011-02-02
650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPW65R080CFD
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃,除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
雪崩能量,重复
雪崩电流,重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
安装力矩
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
最大的二极管整流
速度
3)
1 )通过有限
T
,最大值
2 )脉冲宽度
t
p
T
, MAX
I
S
I
S,脉冲
dv / dt的
di
f
/ DT
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D,脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
43.3
27.4
137
1160
1.76
8.7
50
20
30
391
150
60
43.3
140
50
900
W
°C
NCM
A
A
V / ns的
A / μs的
M3和M3.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
=0...400 V,
I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC( f>1赫兹)
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 8.7 A,V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
3)
I
SD
≤I
D
,二/ dt≤900A / μs的,
V
的dcLINK
=400V,
V
PEAK
& LT ; V
( BR ) DSS
,
T
j
& LT ;吨
JMAX
,相同的低和高侧开关
3
热特性
表3
参数
热特性TO- 247
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
0.32
62
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
焊接温度,
波峰焊只允许在
LEADS
R
thJA
T
出售
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4
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650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPW65R080CFD
电气特性
4
电气特性
电气特性,在
T
J = 25 ℃,除非另有规定。
表4
参数
静态特性
符号
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
650
3.5
-
-
栅极 - 源极漏电流
-
4
-
500
-
0.072
0.19
0.75
典型值。
马克斯。
-
4.5
1
-
100
0.08
-
-
nA
A
V
单位
注/测试条件
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
DS
=
V
GS
,
I
D
= 1.76毫安
V
DS
=650 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=650 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=17.6 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=17.6 A,
T
j
=150 °C
f
= 1 MHz时,漏极开路
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
-
-
-
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
栅极电阻
R
G
-
表5
参数
动态特性
符号
分钟。
典型值。
5030
215
135
675
20
18
85
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意: /
测试条件
输入电容
输出电容
有效输出电容,
能源相关
1)
有效的输出电容,时间
相关
2)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
C
国际空间站
C
OSS
C
O( ER )
C
O( TR )
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
V
GS
=0 V,
V
DS
=0...480 V
I
D
=常数,
V
GS
=0 V
V
DS
=0...480V
V
DD
=400 V,
V
GS
=13 V,
I
D
=26.3 A,
R
G
= 1.8
下降时间
t
f
-
6
-
1)
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
( BR ) DSS
2)
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
( BR ) DSS
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2.0版本, 2011-02-02
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IPW65R080CFD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IPW65R080CFD
INFINEON/英飞凌
21+
10000
TO-247
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
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Infineon(英飞凌)
22+
11258
原装原厂公司现货
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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Infineon
21+
1200
NA
只做原装实单申请
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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INFINEON
2021+
2977
TO-247
只做原装实单申请
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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Infineon Technologies
2414+
3000
TO-247-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
IPW65R080CFD
INFINEON
2019
14900
TO-247
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
IPW65R080CFD
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24+
8000
TO-247
全新原装正品,热卖价优
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电话:0755-23975412
联系人:钟
地址:广东省深圳市福田区华强北路广博现代之窗A座13楼13H房
IPW65R080CFD
Infineon(英飞凌)
24+
50000
TO-247
原装进口现货支持期货订货排单
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INFINEON
24+
68500
TO-247
一级代理/放心采购
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联系人:郑
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