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IPW60R045CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
全球最佳
R
DS ，ON
在TO247
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
@ T
JMAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
650
0.045
150
V
nC
PG-TO247-3-1
CS的CoolMOS是专门设计用于：
硬开关SMPS拓扑结构
TYPE
IPW60R045CP
包
PG-TO247-3-1
订购代码
SP000067149
记号
6R045
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
修订版2.0
P
合计
T
j
,
T
英镑
M3和M3.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
价值
60
38
230
1950
3
11
50
±20
±30
431
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
2006-06-19
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
IPW60R045CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
44
230
15
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
0.29
62
K / W
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
-3毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=44 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=44 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
600
2.5
-
-
3
-
-
3.5
10
A
V
-
-
-
50
-
0.04
-
100
0.045
nA
-
-
0.11
1.3
-
-
修订版2.0
第2页
2006-06-19
IPW60R045CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
=0 V,
I
F
=44 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
0.9
600
17
60
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=44 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
34
51
150
5.0
-
-
190
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=44 A,
R
G
=3.3
-
-
-
-
-
820
30
20
100
10
-
-
-
-
-
ns
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
6800
320
310
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
< = I
D
，二/ dt< = 100A / μs的，V
的dcLINK
= 400V ， Vpeak<V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
修订版2.0
第3页
2006-06-19
IPW60R045CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
500
10
3
限于由导通状态
阻力
400
1 s
10 s
10
2
300
100 s
P
合计
[W]
I
D
[A]
1毫秒
200
10
1
DC
10毫秒
100
0
0
40
80
120
160
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
250
20 V
10 V 8 V
3最大。瞬态热阻抗
Z
（ thJC ）
= F （T
p
)
参数：
D =吨
p
/T
10
0
7V
200
0.5
10
-1
0.2
Z
thJC
〔 K / W〕
150
I
D
[A]
0.1
0.05
0.02
6V
100
5.5 V
10
-2
0.01
单脉冲
50
5V
4.5 V
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版2.0
第4页
2006-06-19
IPW60R045CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
140
8V
7V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
0.16
5V
5.5 V
6V
20 V
6V
6.5 V
120
10 V
100
5.5 V
0.12
7V
R
DS （ ON）
[
]
80
20 V
I
D
[A]
0.08
60
5V
40
4.5 V
0.04
20
0
0
5
10
15
20
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=44 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
0.12
320
C °25
280
0.1
240
0.08
200
R
DS （ ON）
[
]
0.06
98 %
典型值
I
D
[A]
160
C °150
120
0.04
80
0.02
40
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
修订版2.0
第5页
2006-06-19
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