【TYPEIPF039N03L摹IPU039N03L摹的OptiMOS3电源晶体管特点快速开关MOSF】,IC型号IPU039N03LG,IPU039N03LG PDF资料,IPU039N03LG经销商,ic,电子元器件-51电子网

TYPE

IPF039N03L摹

IPU039N03L摹

的OptiMOS

3电源晶体管

特点

快速开关MOSFET的开关电源

优化技术的DC / DC转换器

根据JEDEC合格

为目标的应用

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

DS （ ON）

额定雪崩

无铅电镀;符合RoHS标准

TYPE

IPF039N03L摹

IPU039N03L摹

产品概述

DS （ ON），最大

3.9

包

记号

PG-TO252-3-23

039N03L

PG-TO251-3-21

039N03L

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=10 V,

=25 °C

=10 V,

=100 °C

=4.5 V,

=25 °C

=4.5 V,

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩电流，单脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

价值

350

115

±20

单位

D，脉冲

的dV / dt

=25 °C

=50 A,

=25

=50 A,

=24 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

， MAX

=175 °C

KV / μs的

J- STD20和JESD22

修订版0.9的目标数据表

第1页

2006-10-23

IPF039N03L摹

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最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

符号条件

合计

英镑

=25 °C

价值

-55 ... 175

55/175/56

单位

°C

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

thJC

thJA

最小的足迹

6平方厘米散热面积

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

=0 V,

= 1毫安

GS （ TH）

DSS

=250 A

=30 V,

=0 V,

=25 °C

=30 V,

=0 V,

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=4.5 V,

=30 A

=10 V,

=30 A

栅极电阻

跨

1.6

K / W

0.1

2.2

4.2

3.3

1.6

100

5.2

3.9

|>2|I

DS （ ON）最大值

=30 A

参见图3详细信息

参见图13更详细的信息

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

从测得的漏标签，源极引脚

修订版0.9的目标数据表

第2页

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IPU039N03L摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量

G（ TH ）

高原

=15 V,

=30 A,

= 0到10伏

=0.1 V,

= 0 4.5 V

=15 V,

=0 V

=15 V,

=30 A,

= 0 4.5 V

6.3

5.6

2.9

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=15 V,

=10 V,

=30 A,

=1.6

=0 V,

=15 V,

= 1兆赫

4000

1400

5300

1900

120

值

典型值。

马克斯。

单位

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

G（同步）

OSS

S，脉冲

=25 °C

=0 V,

=30 A,

=25 °C

=15 V,

/ DT = 400 A / μs的

0.85

350

1.1

反向恢复电荷

参见图16栅极电荷参数定义

修订版0.9的目标数据表

第3页

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IPF039N03L摹

IPU039N03L摹

1功耗

合计

= F （T

)

2漏极电流

= F （T

);

≥10

100

合计

[W]

[A]

100

150

200

100

150

200

[°C]

3安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

1 s

限于由导通状态

阻力

10 s

4最大。瞬态热阻抗

thJC

= F （T

)

参数：

100 s

0.5

1毫秒

thJC

〔 K / W〕

[A]

0.2

0.1

10毫秒

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

-1

0.01

-6

-5

-4

-3

-2

-1

[V]

[s]

修订版0.9的目标数据表

第4页

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IPF039N03L摹

IPU039N03L摹

5典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

150

4.5 V

10 V

3.2 V

6典型。上电阻漏 - 源

DS （ ON）

= F（我

);

=25 °C

参数：

120

3.5 V

DS （ ON）

]

3.5 V

[A]

4.5 V

3.2 V

10 V

11.5 V

2.8 V

100

[V]

[A]

7典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

参数：

150

8典型。正向跨导

= F（我

);

=25 °C

160

120

[S]

175 °C

25 °C

[A]

100

[V]

[A]

修订版0.9的目标数据表

第5页

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