【IPDH4N03LA摹IPSH4N03LA摹的OptiMOS2电源晶体管特点适用于高频DC / DC】,IC型号IPSH4N03LAG,IPSH4N03LAG PDF资料,IPSH4N03LAG经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPDH4N03LA摹

IPSH4N03LA摹

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

适用于高频DC / DC转换器

根据JEDEC的目标应用合格

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

卓越的热电阻

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

1)

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

（ SMD版）

I

D

25

4.2

90

V

m

A

TYPE

IPDH4N03LA摹

IPSH4N03LA摹

包

订购代码

记号

P-TO252-3-11

Q67042-S4250

H4N03LA

P-TO251-3-11

Q67042-S4254

H4N03LA

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

3)

I

D

=90 A,

R

GS

=25

I

D

=90 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

90

77

360

150

6

±20

94

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

启示录0.92 - 目标数据表

第1页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=40 A

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A,

SMD版

V

GS

=10 V,

I

D

=60 A

V

GS

=10 V,

I

D

=60 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=60 A

25

1.2

-

1.6

0.1

-

值

典型值。

IPSH4N03LA摹

单位

马克斯。

1.6

75

50

K / W

-

2

1

V

A

-

45

10

6.1

5.9

3.7

3.5

1.3

90

100

7.6

7.4

4.4

4.2

-

S

nA

m

1)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 1.6 K / W ，芯片能够执行109 A.

见图3

T

， MAX

= 150 ℃，占空比

D

为<0.25

V

GS

<-5 V

1)

3)

4)

5)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

启示录0.92 - 目标数据表

第2页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=78 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.93

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

G（同步）

Q

OSS

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0至5伏

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=45 A,

V

GS

= 0至5伏

-

8

3.9

5.6

10

19

3.4

17

20

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=2.7

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

2400

920

110

9

7

29

4.6

值

典型值。

IPSH4N03LA摹

单位

马克斯。

3200

1200

160

14

11

44

7

pF

ns

11

5.1

8

14

26

-

23

27

nC

V

nC

78

360

1.2

A

V

反向恢复电荷

Q

rr

-

15

nC

6)

参见图16栅极电荷参数定义

启示录0.92 - 目标数据表

第3页

2004-10-27

启示录0.92 - 目标数据表

第4页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPSH4N03LA摹

120

100

80

60

P

合计

[W]

60

I

D

[A]

40

20

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

40

20

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

1 s

100

1

0.5

I

D

[A]

DC

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

10

10毫秒

0.1

0.02

0.01

单脉冲

1

0.1

1

10

100

0.01

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

启示录0.92 - 目标数据表

第5页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

IPSH4N03LA摹

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

适用于高频DC / DC转换器

根据JEDEC的目标应用合格

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

卓越的热电阻

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

1)

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

（ SMD版）

I

D

25

4.2

90

V

m

A

TYPE

IPDH4N03LA摹

IPSH4N03LA摹

包

订购代码

记号

P-TO252-3-11

Q67042-S4250

H4N03LA

P-TO251-3-11

Q67042-S4254

H4N03LA

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

3)

I

D

=90 A,

R

GS

=25

I

D

=90 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

90

77

360

150

6

±20

94

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

启示录0.92 - 目标数据表

第1页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=40 A

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A,

SMD版

V

GS

=10 V,

I

D

=60 A

V

GS

=10 V,

I

D

=60 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=60 A

25

1.2

-

1.6

0.1

-

值

典型值。

IPSH4N03LA摹

单位

马克斯。

1.6

75

50

K / W

-

2

1

V

A

-

45

10

6.1

5.9

3.7

3.5

1.3

90

100

7.6

7.4

4.4

4.2

-

S

nA

m

1)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 1.6 K / W ，芯片能够执行109 A.

见图3

T

， MAX

= 150 ℃，占空比

D

为<0.25

V

GS

<-5 V

1)

3)

4)

5)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

启示录0.92 - 目标数据表

第2页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=78 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.93

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

G（同步）

Q

OSS

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0至5伏

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=45 A,

V

GS

= 0至5伏

-

8

3.9

5.6

10

19

3.4

17

20

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=2.7

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

2400

920

110

9

7

29

4.6

值

典型值。

IPSH4N03LA摹

单位

马克斯。

3200

1200

160

14

11

44

7

pF

ns

11

5.1

8

14

26

-

23

27

nC

V

nC

78

360

1.2

A

V

反向恢复电荷

Q

rr

-

15

nC

6)

参见图16栅极电荷参数定义

启示录0.92 - 目标数据表

第3页

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启示录0.92 - 目标数据表

第4页

2004-10-27

IPDH4N03LA摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPSH4N03LA摹

120

100

80

60

P

合计

[W]

60

I

D

[A]

40

20

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

40

20

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

1 s

100

1

0.5

I

D

[A]

DC

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

10

10毫秒

0.1

0.02

0.01

单脉冲

1

0.1

1

10

100

0.01

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

启示录0.92 - 目标数据表

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