IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07 ， IPP80P04P4-07
的OptiMOS -P2功率三极管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
（ SMD版）
I
D
-40
7.4
-80
V
mW
A
特点
P沟道 - 普通级 - 增强型
AEC合格
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色封装（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07
IPP80P04P4-07
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
记号
4P0407
4P0407
4P0407
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=-10V
T
C
=100°C,
V
GS
=-10V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
T
C
=25°C
I
D
=-40A
-
-
T
C
=25 °C
-
-
价值
单位
连续漏电流
1)
I
D
-80
A
62
-320
31
-80
±20
88
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
1.0版
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IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07 ， IPP80P04P4-07
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
= -1mA
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-150A
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-20V,
V
DS
=0V
V
GS
=-10V,
I
D
=-80A
V
GS
=-10V,
I
D
=-80A,
SMD版
-40
-2.0
-
-
-3.0
-0.05
-
-4.0
-1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-20
-
5.7
5.4
-200
-100
7.7
7.4
nA
mW
1.0版
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IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07 ， IPP80P04P4-07
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
反向恢复电荷
2)
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-20V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-80A,
R
G
=3.5W
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
4681
1520
45
25
15
34
41
6085
2280
91
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-32V,
I
D
=-80A,
V
GS
= 0至-10V
-
-
-
-
25
13
68
-5.4
33
26
89
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
-
T
C
=25°C
-
V
GS
=0V,
I
F
=-80A,
T
j
=25°C
V
R
=-20V,
I
F
=-50A,
di
F
/ DT = -100A / μs的
-
-
-
-
-
-1
48
54
-80
-320
-1.3
-
-
A
V
ns
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.7K / W ，芯片能够执行-88A在25℃ 。
由设计确定。不受生产测试。
2)
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
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IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07 ， IPP80P04P4-07
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≤ -6V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≤ -6V ; SMD
100
100
80
80
60
60
P
合计
[W]
40
-I
D
[A]
40
20
20
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0; SMD
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
10
0
0.5
100
100 s
Z
thJC
〔 K / W〕
-I
D
[A]
1毫秒
0.1
10
-1
0.05
0.01
10
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
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IPB80P04P4-07
IPI80P04P4-07 ， IPP80P04P4-07
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
320
-10V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= (I
D
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
30
-5V
-5.5V
27
24
240
-7V
21
-I
D
[A]
-6.5V
R
DS （ ON）
[毫瓦]
18
15
12
-6V
160
-6V
9
80
-5.5V
-6.5V
-7V
6
-5V
-10V
3
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
40
80
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= -6V
参数：
T
j
320
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= -80 A;
V
GS
= -10 V ; SMD
9
8
240
R
DS （ ON）
[m
W
]
175 °C
25 °C
7
-I
D
[A]
160
6
80
5
-55 °C
0
2
3
4
5
6
7
8
4
-60
-20
20
60
100
140
180
-V
GS
[V]
T
j
[°C]
1.0版
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