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IPB091N06N摹
IPP091N06N摹
的OptiMOS
功率晶体管
特点
快速开关应用低栅极电荷
N沟道增强型 - 正常水平
175 ° C的工作温度
额定雪崩
无铅引脚电镀，符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
SMDversion
60
9.1
80
V
m
A
TYPE
IPP091N06N摹
IPB091N06N摹
包
记号
PG-TO220-3-1
091N06N
PG-TO263-3-2
091N06N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
1)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
80
66
320
370
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
2)
I
D
=80 A,
R
GS
=25
I
D
=80 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
188
-55 ... 175
55/175/56
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.8 K / W ，芯片能够执行93 A.
见图3
1.0版
第1页
2006-06-20
IPB091N06N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=130 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=60 V
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD版
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=80 A
60
2.1
-
-
3
0.01
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
IPP091N06N摹
单位
马克斯。
0.8
62
40
K / W
-
4
1
V
A
-
1
100
-
-
-
-
41.5
1
7.6
7.3
2.3
83
100
9.1
8.8
nA
m
-
S
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区
漏极连接点。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第2页
2006-06-20
IPB091N06N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
IPP091N06N摹
单位
马克斯。
值
典型值。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
R
G
=4.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2100
600
150
14
29
39
28
2800
800
225
21
44
58
42
pF
ns
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V
V
DD
=30 V,
I
D
=80 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
-
12
6
28
33
61
5.6
39
16
8
41
49
81
-
52
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.95
50
76
80
320
1.3
63
95
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
1.0版
第3页
2006-06-20
IPB091N06N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
IPP091N06N摹
200
180
160
140
120
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
P
合计
[W]
100
80
60
40
20
0
T
C
[°C]
I
D
[A]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
1 s
限于由导通状态
阻力
10 s
100 s
DC
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
0
0.5
10
2
1毫秒
10毫秒
0.2
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
10
-1
0.1
0.05
0.02
10
0
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2006-06-20
IPB091N06N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
240
220
200
180
160
140
6.5 V
20 V
10 V
IPP091N06N摹
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
7V
5V
20
R
DS （ ON）
[m
]
I
D
[A]
120
100
80
60
5.5 V
6V
5.5 V
6V
10
7V
6.5 V
10 V
20 V
40
5V
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
140
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
120
100
120
100
80
60
40
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
175 °C
25 °C
80
g
fs
[S]
I
D
[A]
60
20
0
0
40
80
120
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
第5页
2006-06-20
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