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IPP04N03LB摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
适用于高频DC / DC转换器
根据JEDEC的目标应用程序合格
N沟道 - 逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
卓越的热电阻
175 ° C的工作温度
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
1)
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
3.8
80
V
m
A
PG-TO220-3-1
TYPE
IPP04N03LB摹
包
PG-TO220-3-1
记号
04N03LB
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
4)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
80
80
320
270
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
3)
I
D
=80 A,
R
GS
=25
I
D
=80 A,
V
DS
=20 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
107
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
修订版0.93
第1页
2006-05-10
IPP04N03LB摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
5)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=70 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=55 A
V
GS
=10 V,
I
D
=55 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=55 A
30
1.2
-
-
1.6
0.1
-
2
1
A
V
-
-
-
-
-
-
1.4
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
10
10
4.3
3.2
1.1
113
100
100
5.4
3.8
-
-
S
nA
m
2)
3)
4)
5)
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.4 K / W ，芯片能够执行125 A.
见图3
T
， MAX
= 150 ℃，占空比
D
为<0.25
V
GS
<-5 V
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版0.93
第2页
2006-05-10
IPP04N03LB摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.94
78
320
1.2
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=40 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
12.1
6.3
7.8
14
30
3.1
27
31
16
8.3
11.7
19
40
-
35
42
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3912
1391
177
11
9
39
6.0
5203
1850
265
16
13
59
9.0
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
20
nC
6)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版0.93
第3页
2006-05-10
IPP04N03LB摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
120
100
100
80
80
60
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
40
20
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
1
0.5
100
DC
100 s
0.2
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
1毫秒
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10毫秒
10
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
10
-6
0
10
-5
0
10
-4
0
10
-3
0
10
-2
0
10
-1
0
10
0
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版0.93
第4页
2006-05-10
IPP04N03LB摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
140
4.5 V
10 V
4.1 V
3.8 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
2.8V
3V
3.5 V
3.2 V
3.8 V
120
20
100
80
3.5 V
60
3.2 V
R
DS （ ON）
[m
]
15
I
D
[A]
10
40
3V
4.1 V
5
20
2.8 V
4.5 V
10 V
0
0
1
2
3
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
140
140
120
120
100
100
80
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
80
60
60
40
40
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版0.93
第5页
2006-05-10
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