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IPP04N03L
IPB04N03L
的OptiMOS
降压转换器系列
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
最大。 SMD版
I
D
P- TO263 -3-2
30
3.9
80
P- TO220 -3-1
V
m
A
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
非常适合快速开关降压转换器
TYPE
IPP04N03L
IPB04N03L
包
订购代码
记号
04N03L
04N03L
P- TO220 -3-1 Q67042 - S4108
P- TO263 -3-2 Q67042 - S4107
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
1)
价值
80
80
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
320
60
18
6
±20
188
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
I
D
=55A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=80A,
V
DS
= 24V ，的di / dt = 200A / μs的，
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
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IPP04N03L
IPB04N03L
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
-
-
-
值
典型值。
0.51
-
-
马克斯。
0.8
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
R
DS （ ON）
-
-
-
30
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 130 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
10
1
1
100
100
nA
m
4.9
4.6
3.6
3.2
6.2
5.9
4.2
3.9
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=45A
V
GS
=4.5V,
I
D
= 45A ， SMD版
漏源导通电阻
4)
V
GS
=10V,
I
D
=45A
V
GS
=10V,
I
D
= 45A ， SMD版
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 0.8K / W ，芯片能够执行
I
D
= 165A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4Diagrams都涉及到直导线版本
第2页
2003-01-17
IPP04N03L
IPB04N03L
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
输出充电
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
V
R
=-V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
符号
条件
分钟。
值
典型值。
23
2930
1150
270
1.9
12.7
20
54.2
18.9
马克斯。
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=80A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
11.5
-
-
-
-
-
-
-
-
S
3900 pF的
1520
420
-
19
30
81.3
28.3
ns
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=20A,
R
G
=2.2
Q
gs
Q
gd
Q
g
Q
OSS
V
DD
=15V,
I
D
=40A
-
-
-
-
-
9.9
23
41.8
40.4
3.2
12.4 NC
35
52
50
-
nC
V
V
DD
=15V,
I
D
=40A,
V
GS
= 0 5V
V
DS
=15V,
I
D
=40A,
V
GS
=0V
V
（高原）
V
DD
=15V,
I
D
=40A
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.9
50
61
80
320
1.2
62
76
A
V
ns
nC
第3页
2003-01-17
IPP04N03L
IPB04N03L
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
200
IPP04N03L
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
IPP04N03L
90
W
A
160
140
120
100
70
60
50
40
P
合计
80
30
60
40
20
0
0
100 120 140 160
°C
190
20
10
0
0
20
40
60
80
I
D
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
IPP04N03L
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
IPP04N03L
K / W
D
A
=
V
DS
DS
（上
)
/
I
t
P = 30.0μs
10
0
I
D
R
10
2
100 s
Z
thJC
10
-1
10
-2
1毫秒
D = 0.50
0.20
10
1
DC
10毫秒
10
-3
0.10
0.05
10
-4
单脉冲
0.02
0.01
10
0 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2003-01-17
IPP04N03L
IPB04N03L
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
190
IPP04N03L
P
合计
= 188W
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
IPP04N03L
14
A
160
140
j
i
h
V
GS [ V]
a
2.5
b
c
d
2.8
3.0
3.3
3.5
3.8
4.0
4.3
4.5
10.0
12
11
e
f
g
R
DS （ ON）
10
9
8
7
6
5
4
j
h
i
I
D
120
100
80
60
40
20
0
0
g
e
f
g
f
h
i
j
e
d
3
2
V
GS
[V] =
e
f
3.5 3.8
g
4.0
h
i
j
4.3 4.5 10.0
c
b
a
1
4
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
5
0
0
20
40
60
80
100
A
140
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
35
A
S
120
25
100
g
fs
20
15
10
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
D
80
60
40
20
0
0
V
4.5
V
GS
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
A
200
I
D
第5页
2003-01-17
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IDT7026L25GB
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