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IPP028N08N3摹IPI028N08N3摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
N沟道,正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
极低的导通电阻
R
DS ( ON)
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
80
2.8
100
以前的工程
示例代码:
IPP02CN08N
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPP028N08N3摹
IPI028N08N3摹
记号
PG-TO220-3
028N08N
PG-TO262-3
028N08N
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D,脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=100 A,
R
GS
=25
价值
100
100
400
1430
±20
300
-55 ... 175
55/175/56
mJ
V
W
°C
单位
A
1.0版
第1页
2008-01-25
IPP028N08N3摹IPI028N08N3摹
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻,结 - 案
热阻,
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
0.5
62
40
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=270 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
V
GS
=6 V,
I
D
=50 A
栅极电阻
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=100 A
80
2
-
-
2.8
0.1
-
3.5
1
A
V
-
-
-
-
-
94
10
1
2.4
2.8
2.7
187
100
100
2.8
4.2
-
-
S
nA
m
1)
J- STD20和JESD22
见图3
2)
3)
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第2页
2008-01-25
IPP028N08N3摹IPI028N08N3摹
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=40 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=40 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
10700
2890
100
28
73
86
33
14200 pF的
3840
150
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=40 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=40 V,
I
D
=100 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
50
30
50
155
4.7
210
67
45
72
206
-
279
nC
V
nC
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
V
R
=40 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1.0
113
317
100
400
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
1.0版
第3页
2008-01-25
IPP028N08N3摹IPI028N08N3摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
≥10
V
350
120
300
100
250
80
P
合计
[W]
200
I
D
[A]
150
100
50
0
0
50
100
150
200
60
40
20
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
100 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
0
0.5
10
2
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10毫秒
DC
10
-1
0.2
0.1
10
1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2008-01-25
IPP028N08N3摹IPI028N08N3摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
400
10 V
6V
7V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
15
350
12
300
5.5 V
4.5 V
5V
200
R
DS ( ON)
[m
]
5V
250
9
I
D
[A]
150
6
100
3
50
4.5 V
10 V
5.5 V
7V
6V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50
100
150
200
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
300
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
250
250
200
200
150
150
g
fs
[S]
100
25 °C
175 °C
I
D
[A]
100
50
50
0
0
2
4
6
8
0
0
50
100
150
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
第5页
2008-01-25
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