添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第431页 > IPI60R099CP
IPI60R099CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
全球最佳
R
DS ，ON
在TO220
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
650
0.099
60
V
nC
PG-TO262-3-1
的CoolMOS CP是专门设计用于：
硬开关SMPS拓扑结构的服务器和邮电
TYPE
IPI60R099CP
包
PG-TO262
记号
60R099P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
修订版2.0
P
合计
T
j
,
T
英镑
M3和M3.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
价值
31
19
93
800
1.2
11
50
±20
±30
255
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
2008-02-19
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
IPI60R099CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
18
93
15
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
-
-
0.5
62
260
°C
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
600
2.5
-
3
-
3.5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
5
A
-
-
-
50
-
0.09
-
100
0.099
nA
-
-
0.24
1.3
-
-
修订版2.0
第2页
2008-02-19
IPI60R099CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
2800
130
130
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
R
G
=3.3
-
-
-
-
-
340
10
5
60
5
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=18 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
14
20
60
5.0
-
-
80
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=18 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.9
450
12
70
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
，二/ dt≤100A / μs的，V
的dcLINK
= 400V ， Vpeak<V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
修订版2.0
第3页
2008-02-19
IPI60R099CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
300
10
2
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
100 s
200
10
1
DC
1毫秒
P
合计
[W]
I
D
[A]
10毫秒
100
10
0
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
0
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
20 V
8V
105
0.5
90
7V
75
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
10
-1
0.1
I
D
[A]
60
6V
0.05
0.02
0.01
单脉冲
45
5.5 V
30
5V
15
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版2.0
第4页
2008-02-19
IPI60R099CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
50
8V
10 V
20 V
6V
5.5 V
7V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
0.5
40
0.4
5.5 V
6V
6.5 V
7V
R
DS （ ON）
[]
30
0.3
5V
20 V
I
D
[A]
5V
20
4.5 V
0.2
10
0.1
0
0
5
10
15
20
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=18 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
0.3
160
0.25
120
0.2
C °25
R
DS （ ON）
[]
0.15
98 %
I
D
[A]
80
0.1
典型值
C °150
40
0.05
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
修订版2.0
第5页
2008-02-19
IPI60R099CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
全球最佳
R
DS ，ON
在TO220
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
650
0.099
60
V
nC
PG-TO262
的CoolMOS CP是专为：
硬开关SMPS拓扑结构的服务器和邮电
TYPE
IPI60R099CP
包
PG-TO262
记号
6R099
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
价值
31
19
93
800
1.2
11
50
±20
±30
255
-55 ... 150
W
°C
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
1.0版
第1页
2007-01-25
IPI60R099CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
18
93
15
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
-
-
0.5
62
260
°C
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
600
2.5
-
3
-
3.5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
5
A
-
-
-
50
-
0.09
-
100
0.099
nA
-
-
0.24
1.3
-
-
1.0版
第2页
2007-01-25
IPI60R099CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
2800
130
130
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
R
G
=3.3
-
-
-
-
-
340
10
5
60
5
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=18 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
14
20
60
5.0
-
-
80
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=18 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.9
450
12
70
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
< = I
D
，二/ dt< = 100A / μs的，V
的dcLINK
= 400V ， Vpeak<V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
1.0版
第3页
2007-01-25
IPI60R099CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
300
10
2
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
100 s
200
10
1
DC
1毫秒
P
合计
[W]
I
D
[A]
10毫秒
100
10
0
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
0
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
20 V
8V
105
0.5
90
7V
75
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
10
-1
0.1
I
D
[A]
60
6V
0.05
0.02
0.01
单脉冲
45
5.5 V
30
5V
15
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
1.0版
第4页
2007-01-25
IPI60R099CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
50
8V
10 V
20 V
6V
5.5 V
7V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
0.5
40
0.4
5.5 V
6V
6.5 V
7V
R
DS （ ON）
[
]
30
0.3
5V
20 V
I
D
[A]
5V
20
4.5 V
0.2
10
0.1
0
0
5
10
15
20
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=18 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
0.3
160
0.25
120
0.2
C °25
R
DS （ ON）
[
]
0.15
98 %
I
D
[A]
80
0.1
典型值
C °150
40
0.05
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
1.0版
第5页
2007-01-25
查看更多IPI60R099CPPDF信息
推荐型号
ICS2402MT
IL8287R
IDT23S08-5HDCI
IRKUF112-02FL
IDT54FCT245APB
IXDD404SI-16
IRHNA57260
ISO3080DWRG4
IMP706PESA
IRFP340R
IRKNF102-12EK
IRKVF200-04EP
IDT71V424S15PH
IDT7140SA35PGI
ISL1208IRT8Z-TK
IRKKF102-06CP
IC41SV44052-70J
IT120F
IDT70V7399S200BC
IRKLF81-02FK
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IPI60R099CP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
IPI60R099CP
INFINEON/英飞凌
21+
9850
TO-262
只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IPI60R099CP
Infineon Technologies
2418+
6640
TO-262-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IPI60R099CP
Infineon
24+
5200
PG-TO262-3
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
IPI60R099CP
Infineon
24+
8000
TO-262
100%原装正品，只做原装正品
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
IPI60R099CP
Infineon technologies
17+
4550
进口全新原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IPI60R099CP
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
TO-262
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IPI60R099CP
INFINEON/英飞凌
24+
8640
TO-262
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华胜英科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ：1402770874 复制

电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
IPI60R099CP
INFINEON
22+/23+
1000
TO262
原装正品 力挺实单
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IPI60R099CP
INFINEON
21+22+
12600
TO262
原装正品
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
IPI60R099CP
INFINEON
14253
23+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
查询更多IPI60R099CP供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！