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B3 97
IPB35CN10N摹
IPI35CN10N摹
IPP35CN10N摹
IPD33CN10N摹
IPU33CN10N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值（ TO252 ）
I
D
100
34
27
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPB35CN10N摹
IPD33CN10N摹
IPI35CN10N摹
IPP35CN10N摹
IPU33CN10N摹
包
记号
PG-TO263-3
35CN10N
PG-TO252-3
33CN10N
PG-TO262-3
35CN10N
PG-TO220-3
35CN10N
PG-TO251-3
33CN10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
27
20
108
47
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=27 A,
R
GS
=25
I
D
=27 A,
V
DS
=80 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
58
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
2)
3)
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V
第1页
2006-06-02
Rev.1.02
IPB35CN10N摹
IPI35CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）
热阻，结 -
环境（ TO251 ， TO252 ）
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPD33CN10N摹
IPU33CN10N摹
单位
马克斯。
IPP35CN10N摹
值
典型值。
2.6
62
40
75
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=29 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO251)
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO263)
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
（ TO220 ， TO262 ）
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=27 A
100
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
25
100
100
33
nA
m
-
25
33
-
25
35
-
-
15
26
1
30
35
-
-
S
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
Rev.1.02
第2页
2006-06-02
QQ：2881677436 复制
