IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
的OptiMOS
-T
功率晶体管
特点
N沟道 - 逻辑电平 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色包装（无铅）
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
静电放电1C类（ HBM ）
EIA/JESD22-A114-B
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
55
21.3
25
V
m
A
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22
IPP25N06S3L-22
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
订购代码
SP0000-87994
SP0000-87996
SP0000-87993
记号
3N06L22
3N06L22
3N06L22
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
3)
漏栅极电压
2)
门源电压
4)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
DG
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=12 A
价值
25
25
100
60
55
±16
50
-55 ... +175
55/175/56
mJ
V
V
W
°C
单位
A
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
5)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=20 A
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=5 V,
I
D
=11 A
V
GS
=5 V,
I
D
=11 A,
SMD版
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A,
SMD版
55
1.2
-
-
1.7
0.01
-
2.2
1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
1
1
32.9
32.6
100
100
39.9
39.6
nA
m
-
18.4
21.6
-
18.1
21.3
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=25 A,
T
j
=25 °C
V
R
=27.5 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
0.6
-
-
-
0.9
32
25
100
1.3
-
V
ns
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=11 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
11
6
31
4.7
-
-
47
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=27.5 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=14.8
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2260
283
270
9
26
30
43
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
28
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 3.3 K / W的芯片能够携带31一25 ℃。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E在
www.infineon.com/optimos
2)
由设计确定。不受生产测试。
参见图12和13 。
合格的-5V和+ 16V 。
3)
4)
5)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
4 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
4 V
50
30
40
20
30
P
合计
[W]
20
10
10
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
0.5
10
0
100
10 s
0.1
Z
thJC
〔 K / W〕
限于由导通状态
阻力
I
D
[A]
100 s
10
-1
10
1毫秒
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
100
10 V
10V
8V
8V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
60
55
7V
4.5 V
5V
5.5 V
80
6.5 V
50
45
I
D
[A]
6V
R
DS （ ON）
[m]
60
40
35
6V
40
5.5 V
30
6.5 V
5V
25
20
15
7V
8V
10 V
20
4.5 V
0
0
2
4
6
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 4 V
参数：
T
j
60
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V
35
50
30
-55 °C
40
R
DS （ ON）
[m
]
6
25
I
D
[A]
25 °C
30
175 °C
20
20
10
15
0
0
1
2
3
4
5
10
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
的OptiMOS
-T2
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
55
21.3
25
V
m
A
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22
IPP25N06S3L-22
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
记号
3N06L22
3N06L22
3N06L22
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=12.5 A
价值
25
25
100
120
25
±16
50
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
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2007-11-07
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=20 A
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=5 V,
I
D
=11 A
V
GS
=5 V,
I
D
=11 A,
SMD版
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A,
SMD版
55
1.2
-
-
1.7
0.01
-
2.2
1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
1
1
32.9
32.6
18.4
18.1
100
100
39.9
39.6
21.6
21.3
nA
m
修订版1.1
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
反向恢复电荷
2)
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=27.5 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=14.8
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2260
283
270
9
26
30
43
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=11 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
11
6
31
4.7
-
-
47
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=25 A,
T
j
=25 °C
V
R
=27.5 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
0.6
-
-
-
-
0.9
15
15
25
100
1.3
-
-
A
V
ns
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 3.3 K / W的芯片能够携带31一25 ℃。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E
2)
由设计确定。不受生产测试。
合格的-5V和+ 16V 。
3)
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
4 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
4 V
50
30
40
20
30
P
合计
[W]
20
10
10
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
0.1
10
0
100
1 s
0.05
10 s
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
100 s
10
-1
0.05
10
1毫秒
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L - 22 ， IPP25N06S3L -22
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
100
10 V
10V
8V
8V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
60
55
7V
4.5 V
5V
5.5 V
80
6.5 V
50
45
I
D
[A]
6V
R
DS （ ON）
[m]
60
40
35
6V
40
5.5 V
30
6.5 V
5V
25
20
15
7V
8V
10 V
20
4.5 V
0
0
2
4
6
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 4 V
参数：
T
j
60
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V
35
50
30
-55 °C
40
R
DS （ ON）
[m
]
6
25
I
D
[A]
25 °C
30
175 °C
20
20
10
15
0
0
1
2
3
4
5
10
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
修订版1.1
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2007-11-07
QQ：2880707522 复制
