【IPB200N25N3摹IPP200N25N3摹IPI200N25N3摹$(*'#$%TM3电源晶体】,IC型号IPI200N25N3G,IPI200N25N3G PDF资料,IPI200N25N3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

$(*'#$%

TM

3电源晶体管

特点

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R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

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DS （ ON）

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1)

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

250

20

64

V

m#

A

针对目标应用程序

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TYPE

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

包

记号

PG-TO263-3

200N25N

PG-TO220-3

200N25N

PG-TO262-3

200N25N

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

2)

价值

64

46

256

320

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

I

D

=47 A,

R

GS

=25

#

mJ

V

W

°C

T

C

=25 °C

300

-55 ... 175

55/175/56

J- STD20和JESD22

见图3

修订版2.3

第1页

2010-10-19

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6平方厘米散热面积

3)

-

0.5

62

40

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=270 A

V

DS

=200 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=200 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

栅极电阻

跨

I

GSS

R

DS （ ON）

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=64 A

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=64 A

250

2

-

3

0.1

-

4

1

A

V

-

61

10

1

17.5

2.4

122

100

20

-

nA

m#

#

S

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

3)

修订版2.3

第2页

2010-10-19

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

4)

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=100 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=1.6

#

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

5340

297

4

18

20

45

12

7100

395

-

pF

ns

Q

gs

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=100 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=100 V,

I

D

=25 A,

V

GS

= 0到10伏

-

22

7

13

64

4.2

135

-

86

-

179

nC

V

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

-

T

C

=25 °C

-

V

GS

=0 V,

I

F

=64 A,

T

j

=25 °C

V

R

=100 V,

I

F

=25 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1

170

780

64

256

1.2

-

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版2.3

第3页

2010-10-19

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

:

320

70

280

60

240

50

200

P

合计

[W]

40

160

I

D

[A]

30

20

10

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

120

80

40

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

1 s

10 s

10

2

100 s

0.5

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

10

1

10毫秒

10

-1

0.2

0.1

DC

0.05

10

0

0.02

0.01

单脉冲

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版2.3

第4页

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IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

150

10 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

30

125

7V

5V

25

4.5 V

5V

100

20

7V

10 V

75

R

DS （ ON）

[毫瓦]

4.5 V

I

D

[A]

15

50

10

25

5

0

1

2

3

4

5

0

20

40

60

80

100

120

140

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

140

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

180

160

140

120

100

120

80

100

80

60

40

20

175 °C

60

g

fs

[S]

25 °C

I

D

[A]

20

0

2

4

6

8

0

25

50

75

100

125

0

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版2.3

第5页

2010-10-19

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

的OptiMOS

TM

3电源晶体管

特点

N沟道，正常水平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

根据JEDEC合格

1)

针对目标应用程序

无卤素根据IEC61249-2-21

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

250

20

64

V

mΩ

A

适用于高频开关和同步整流

TYPE

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

包

记号

PG-TO263-3

200N25N

PG-TO220-3

200N25N

PG-TO262-3

200N25N

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

2)

价值

64

46

256

320

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

I

D

=47 A,

R

GS

=25

Ω

mJ

V

W

°C

T

C

=25 °C

300

-55 ... 175

55/175/56

J- STD20和JESD22

见图3

2.2版

第1页

2009-10-23

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6平方厘米散热面积

3)

-

0.5

62

40

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=270 A

V

DS

=200 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=200 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

栅极电阻

跨

I

GSS

R

DS （ ON）

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=64 A

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=64 A

250

2

-

3

0.1

-

4

1

A

V

-

61

10

1

17.5

2.4

122

100

20

-

nA

mΩ

Ω

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

3)

2.2版

第2页

2009-10-23

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

4)

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=100 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=1.6

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

5340

297

4

18

20

45

12

7100

395

-

pF

ns

Q

gs

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=100 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=100 V,

I

D

=25 A,

V

GS

= 0到10伏

-

22

7

13

64

4.2

135

-

86

-

179

nC

V

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=64 A,

T

j

=25 °C

V

R

=100 V,

I

F

=25 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1

170

780

64

256

1.2

-

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

2.2版

第3页

2009-10-23

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

320

70

280

60

240

50

200

P

合计

[W]

40

160

I

D

[A]

30

20

10

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

120

80

40

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

1 s

10

2

10 s

100 s

0.5

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

10

1

10毫秒

10

-1

0.2

0.1

DC

0.05

0.02

0.01

单脉冲

10

0

10

-1

10

-1

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

2.2版

第4页

2009-10-23

IPB200N25N3摹

IPP200N25N3摹

IPI200N25N3摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

150

10 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

30

125

7V

5V

25

4.5 V

5V

100

20

7V

10 V

75

R

DS （ ON）

[m

Ω

]

4.5 V

I

D

[A]

15

50

10

25

5

0

1

2

3

4

5

0

20

40

60

80

100

120

140

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

140

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

180

160

140

120

100

120

80

100

80

60

40

20

175 °C

25 °C

60

g

fs

[S]

0

2

4

6

8

I

D

[A]

20

0

25

50

75

100

125

0

V

GS

[V]

I

D

[A]

2.2版

第5页

2009-10-23