IPB16CNE8N摹
IPI16CNE8N摹
IPD16CNE8N摹
IPP16CNE8N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道,正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
极低的导通电阻
R
DS ( ON)
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
(TO252)
I
D
85
16
53
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPB16CNE8N摹
IPD16CNE8N摹
IPI16CNE8N摹
IPP16CNE8N摹
包
记号
PG-TO263-3
16CNE8N
PG-TO252-3
16CNE8N
PG-TO262-3
16CNE8N
PG-TO220-3
16CNE8N
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
符号条件
I
D
I
D,脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
T
C
=25 °C
I
D
=53 A,
R
GS
=25
I
D
=53 A,
V
DS
=68 V,
的di / dt = 100 A / μs的,
T
, MAX
=175 °C
价值
53
38
212
107
6
±20
100
-55 ... 175
55/175/56
单位
A
mJ
KV / μs的
V
W
°C
J- STD20和JESD22
见图3
2)
3)
T
JMAX
= 150 ℃,占空比D = 0.01 Vgs<-5V
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2006-02-16
IPB16CNE8N摹
IPI16CNE8N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,结 - 案
热阻,结 -
环境( TO220 , TO262 , TO263 )
热阻,结 -
环境( TO252 )
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPD16CNE8N摹
IPP16CNE8N摹
单位
马克斯。
值
典型值。
1.5
62
40
75
50
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=61 A
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
(TO263)
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
( TO220 , TO262 )
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=53 A
85
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
12.2
100
100
16
nA
m
-
12.4
16.2
-
-
33
12.7
1.2
65
16.5
-
-
S
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
4)
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