IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L -04 ， IPP100P03P3L -04
的OptiMOS
-P
沟槽功率三极管
产品概述
V
DS
-30
4
-100
V
m
A
特点
P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色封装（符合RoHS）
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
拟反向电池保护
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L-04
IPP100P03P3L-04
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
记号
3P03L04
3P03L04
3P03L04
漏
销2
门
销1
来源
3脚
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=-10V
T
C
=100°C,
V
GS
=-10V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25°C
T
C
=25°C
I
D
=-80A
价值
单位
A
-100
-100
-400
450
-16 / +5
200
-55 ... +175
55/175/56
mJ
V
W
°C
修订版1.1
第1页
2007-09-25
IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L -04 ， IPP100P03P3L -04
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
-
-
0.65
62
62
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-475A
V
DS
=-30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-16V,
V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-50A
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-50A,
SMD版
V
GS
=-10V,
I
D
=-80A
V
GS
=-10V,
I
D
=-80A,
SMD版
-30
-1
-
-1.5
-
-2.1
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-
-
-
-10
-10
4.8
4.5
3.3
3.0
-100
-100
7.6
7.3
4.3
4
nA
m
修订版1.1
第2页
2007-09-25
IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L -04 ， IPP100P03P3L -04
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-50A,
R
G
=6
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
7150
2150
1650
30
45
200
180
9300
2800
2500
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-24V,
I
D
=-80A,
V
GS
= 0至-10V
-
-
-
-
25
55
150
-3.0
33
82.5
200
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
A
=25°C
T
A
=25°C
V
GS
=0V,
I
F
=-80A
V
R
=-15V,
I
F
=-50A,
di
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-0.6
-
-
-1
-100
-400
-1.2
A
V
反向恢复时间
2)
t
rr
-
50
-
ns
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
55
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.65 K / W ，芯片能够执行
I
D
= -195A在25℃ 。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E在
www.infineon.com/optimos
由设计确定。不受生产测试。
2)
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.1
第3页
2007-09-25
IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L -04 ， IPP100P03P3L -04
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≤
-4 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≤
-4 V
250
120
200
100
80
150
P
合计
[W]
-I
D
[A]
100
50
0
0
50
100
150
200
60
40
20
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
1000
1 s
10 s
100 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
0
0.5
限于由导通状态
阻力
100
1毫秒
10
-1
0.1
0.05
Z
thJC
〔 K / W〕
-I
D
[A]
0.01
10
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.1
第4页
2007-09-25
IPB100P03P3L-04
IPI100P03P3L -04 ， IPP100P03P3L -04
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
400
10 V
5V
4.5 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
16
3V
14
300
4V
3.5 V
12
10
200
3.5 V
R
DS （ ON）
[m]
-I
D/
[A]
8
6
4
4V
4.5 V
5V
10 V
100
3V
2
2.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 4V
参数：
T
j
200
-55 °C
25 °C
175 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= -80 A;
V
GS
= 10 V
5
4
150
R
DS （ ON）
[m
]
1
2
3
4
5
3
-I
D
[A]
100
2
50
1
0
0
-60
-20
20
60
100
140
180
-V
GS
[V]
T
j
[°C]
修订版1.1
第5页
2007-09-25
QQ：2881677436 复制
