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IPG20N06S4L-26
的OptiMOS -T2功率三极管
产品概述
V
DS
R
DS(on),max4)
I
D
60
26
20
V
mW
A
特点
双N沟道逻辑电平 - 增强型
PG-TDSON-8-4
AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
TYPE
IPG20N06S4L-26
包
PG-TDSON-8-4
记号
4N06L26
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
一个通道激活
符号
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
1)
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
一个通道激活
雪崩能量，单脉冲
2, 4)
雪崩电流，单脉冲
4)
门源电压
功耗
一个通道激活
工作和存储温度
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
I
D
=10A
-
-
T
C
=25 °C
-
价值
单位
I
D
20
A
18
80
35
15
±16
33
-55 ... +175
mJ
A
V
W
°C
1.0版
第1页
2010-10-15
IPG20N06S4L-26
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
-
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
4)
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 10A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
4)
漏源导通电阻
4)
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=10 A
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A
60
1.2
-
-
1.7
0.01
-
2.2
1
A
V
-
-
-
-
100
60
4.5
-
-
K / W
-
-
-
-
5
-
31
21
100
100
46
26
nA
mW
1.0版
第2页
2010-10-15
IPG20N06S4L-26
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
4)
输出电容
4)
反向传输电容
4)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2, 4)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
一个通道激活
二极管脉冲电流
2)
一个通道激活
二极管的正向电压
I
S
T
C
=25 °C
I
S，脉冲
V
GS
=0 V,
I
F
=17 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
80
-
-
20
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=48 V,
I
D
=20 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
4.3
1.7
15
3.9
5.6
3.4
20
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A,
R
G
=11
W
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1100
300
18
5
1.5
18
10
1430
390
36
-
-
-
-
ns
pF
V
SD
-
0.95
1.3
V
反向恢复时间
2)
t
rr
-
33
-
ns
反向恢复电荷
2, 4)
1)
Q
rr
-
30
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 4.5K / W ，芯片能够执行26.6A在25℃ 。
按设计规定。不受生产测试。
2)
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
4)
每通道
1.0版
第3页
2010-10-15
IPG20N06S4L-26
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥ 6 V ;一个通道激活
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥ 6 V ;一个通道激活
35
25
30
20
25
15
P
合计
[W]
20
15
I
D
[A]
10
10
5
5
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25°C;
D
= 0;一个通道激活
参数：
t
p
100
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10 s
0.5
10
100 s
10
0
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
0.05
I
D
[A]
1毫秒
1
10
-1
0.01
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2010-10-15
IPG20N06S4L-26
5典型。输出特性
4)
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
80
10 V
5.5 V
6典型。漏源导通电阻
4)
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
70
3.5 V
4V
4.5 V
5V
5.5 V
60
60
5V
50
40
4.5 V
R
DS （ ON）
[毫瓦]
I
D
[A]
40
30
4V
20
10V
3.5 V
20
0
0
1
2
3
4
5
10
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
4)
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
80
-55 °C
25 °C
175 °C
8典型。漏源导通电阻
4)
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 17 A;
V
GS
= 10 V
40
35
60
30
40
R
DS （ ON）
[m
W
]
1
2
3
4
5
6
7
I
D
[A]
25
20
20
15
0
10
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
1.0版
第5页
2010-10-15
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