【IPD04N03LAIPS04N03LAIPF04N03LAIPU04N03LA的OptiMOS2电】,IC型号IPF04N03LA,IPF04N03LA PDF资料,IPF04N03LA经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPD04N03LA

IPS04N03LA

IPF04N03LA

IPU04N03LA

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

适用于高频DC / DC转换器

根据JEDEC的目标应用合格

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

卓越的热电阻

175 ° C的工作温度

1)

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

（ SMD版）

I

D

25

3.8

50

V

m

A

TYPE

IPD04N03LA

IPF04N03LA

IPS04N03LA

IPU04N03LA

包

订购代码

记号

P-TO252-3-11

Q67042-S4177

04N03LA

P-TO252-3-23

Q67042-S4197

04N03LA

P-TO251-3-11

Q67042-S4243

04N03LA

P-TO251-3-21

Q67042-S4198

04N03LA

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

3)

I

D

=40 A,

R

GS

=25

I

D

=50 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

50

350

890

6

±20

115

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

修订版1.8

第1页

2004-05-19

IPD04N03LA

IPS04N03LA

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=80 A

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A,

SMD版

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=50 A

25

1.2

-

1.6

0.1

-

值

典型值。

IPF04N03LA

IPU04N03LA

单位

马克斯。

1.3

75

50

K / W

-

2

1

V

A

-

48

10

4.8

4.6

3.4

3.2

1.3

96

100

5.9

5.7

4.0

3.8

-

S

nA

m

1)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 1.3 K / W ，芯片能够执行136 A.

见图3

T

， MAX

= 150 ℃，占空比

D

为<0.25

V

GS

<-5 V

2)

3)

4)

5)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

修订版1.8

第2页

2004-05-19

IPD04N03LA

IPS04N03LA

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=50 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.89

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

G（同步）

Q

OSS

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0至5伏

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=25 A,

V

GS

= 0至5伏

-

12

6.3

8.1

14

31

3.0

28

32

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=2.7

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

3909

1488

174

14

11

44

6.6

值

典型值。

IPF04N03LA

IPU04N03LA

单位

马克斯。

5199

1979

261

21

16

66

10

pF

ns

16

8.3

12

19

41

-

37

43

nC

V

nC

50

350

1.2

A

V

反向恢复电荷

Q

rr

-

15

nC

6)

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.8

第3页

2004-05-19

IPD04N03LA

IPS04N03LA

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPF04N03LA

IPU04N03LA

140

60

120

50

100

40

P

合计

[W]

80

I

D

[A]

60

40

20

0

50

100

150

200

30

20

10

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

限于由导通状态

阻力

10 s

1 s

1

100 s

0.5

100

0.2

DC

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

1毫秒

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

10

10毫秒

0.01

1

0.1

1

10

100

0.001

0

1

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.8

第4页

2004-05-19

IPD04N03LA

IPS04N03LA

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

120

10 V

4.5 V

3.8 V

IPF04N03LA

IPU04N03LA

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

16

2.8 V

3V

3.2 V

3.4 V

3.6 V

3.8 V

14

100

12

80

3.6 V

R

DS （ ON）

[m

]

10

I

D

[A]

60

3.4 V

8

6

4.5 V

40

3.2 V

4

20

3V

10 V

2.8 V

2

0

1

2

3

0

20

40

60

80

100

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

100

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

120

80

100

80

60

g

fs

[S]

40

20

175 °C

25 °C

I

D

[A]

60

40

20

0

1

2

3

4

5

0

10

20

30

40

50

60

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.8

第5页

2004-05-19

IPF04N03LA

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

适用于高频DC / DC转换器

N沟道

逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

卓越的热电阻

175 ° C的工作温度

dv / dt的额定

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

25

4.1

50

V

m

A

P-TO252-3-23

P-TO252-3-11

TYPE

IPF04N03LA

包

P-TO252-3-23

订购代码

Q67042-S4197

记号

04N03LA

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

1)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

3)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

2)

I

D

=40 A,

R

GS

=25

I

D

=50 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

50

350

890

6

±20

115

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

修订版1.3

第1页

2003-12-19

IPF04N03LA

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

4)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=80 A

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=30 A

V

GS

=10 V,

I

D

=30 A

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=30 A

25

1.2

-

1.6

0.1

-

2

1

A

V

-

1.3

75

50

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

-

36

10

4.9

3.5

1.3

72

100

6

4.1

-

S

nA

m

1)

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 1.3 K / W ，芯片能够执行131 A.

见图3

T

， MAX

= 150 ℃，占空比

D

为<0.25

V

GS

<-5 V

2)

3)

4)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

修订版1.3

第2页

2003-12-19

IPF04N03LA

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

5)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=50 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.88

50

350

1.2

V

A

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

G（同步）

Q

OSS

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0至5伏

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=25 A,

V

GS

= 0至5伏

-

12

6.4

9.0

15

33

3.0

28

37

16

8.6

13.5

21

44

-

38

49

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=2.7

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

4027

1703

236

13

7

40

7

5356

2265

355

20

11

60

11

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

反向恢复电荷

Q

rr

-

15

nC

5)

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.3

第3页

2003-12-19

IPF04N03LA

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

140

60

120

50

100

40

P

合计

[W]

80

I

D

[A]

0

50

100

150

200

30

60

20

40

10

20

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3 ，操作安全区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

1 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

1

0.5

100

0.2

DC

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.1

0.05

0.02

0.01

10

10毫秒

0.01

单脉冲

1

0.1

1

10

100

0.001

0

-6

10

-5

0

10

-4

0

-3

10

0

10

-2

0

10

-1

0

10

0

1

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.3

第4页

2003-12-19

IPF04N03LA

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

120

10 V

4.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

16

3V

2.8 V

3.2 V

3.4 V

3.6 V

3.8 V

14

100

4.1 V

12

80

10

8

6

4.5 V

60

3.5 V

40

3.2 V

R

DS （ ON）

[m

]

3.8 V

I

D

[A]

4

20

3V

2.8 V

10 V

2

0

1

2

3

0

20

40

60

80

100

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

100

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

120

80

100

80

60

g

fs

[S]

40

20

175 °C

25 °C

I

D

[A]

60

40

20

0

1

2

3

4

5

0

10

20

30

40

50

60

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.3

第5页

2003-12-19

TYPE

IPD04N03LA摹

IPS04N03LA摹

IPF04N03LA摹

IPU04N03LA摹

的OptiMOS

2电源晶体管

包

记号

根据JEDEC的目标应用合格

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

卓越的热电阻

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

1)

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

（ SMD版）

I

D

25

3.8

50

V

m

A

TYPE

IPD04N03LA

IPF04N03LA

IPS04N03LA

IPU04N03LA

包

记号

P-TO252-3-11

04N03LA

P-TO252-3-23

04N03LA

P-TO251-3-11

04N03LA

P-TO251-3-1

04N03LA

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

3)

I

D

=45 A,

R

GS

=25

I

D

=50 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

50

350

600

6

±20

115

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

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IPD04N03LA摹

IPS04N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=80 A

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=25 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=50 A,

SMD版

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=50 A

25

1.2

-

1.6

0.1

-

值

典型值。

IPF04N03LA摹

IPU04N03LA摹

单位

马克斯。

1.3

75

50

K / W

-

2

1

V

A

-

48

10

4.8

4.6

3.4

3.2

1.3

96

100

5.9

5.7

4.0

3.8

-

S

nA

m

1)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 1.3 K / W ，芯片能够执行136 A.

见图3

T

， MAX

= 150 ℃，占空比

D

为<0.25

V

GS

<-5 V

2)

3)

4)

5)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

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IPD04N03LA摹

IPS04N03LA摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=50 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.89

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

G（同步）

Q

OSS

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0至5伏

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=25 A,

V

GS

= 0至5伏

-

12

6.3

8.1

14

31

3.0

28

32

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=25 A,

R

G

=2.7

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

3909

1488

174

14

11

44

6.6

值

典型值。

IPF04N03LA摹

IPU04N03LA摹

单位

马克斯。

5199

1979

261

21

16

66

10

pF

ns

16

8.3

12

19

41

-

37

43

nC

V

nC

50

350

1.2

A

V

反向恢复电荷

Q

rr

-

15

nC

6)

参见图16栅极电荷参数定义

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IPD04N03LA摹

IPS04N03LA摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPF04N03LA摹

IPU04N03LA摹

140

60

120

50

100

40

P

合计

[W]

80

I

D

[A]

60

40

20

0

50

100

150

200

30

20

10

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

限于由导通状态

阻力

10 s

1 s

1

100 s

0.5

100

0.2

DC

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

1毫秒

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

10

10毫秒

0.01

1

0.1

1

10

100

0.001

0

1

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

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IPD04N03LA摹

IPS04N03LA摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

120

10 V

4.5 V

3.8 V

IPF04N03LA摹

IPU04N03LA摹

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

16

3V

3.2 V

3.4 V

3.6 V

3.8 V

14

100

12

80

3.6 V

60

R

DS （ ON）

[m

]

10

I

D

[A]

3.4 V

8

6

4.5 V

40

3.2 V

4

20

3V

10 V

2.8 V

2

0

1

2

3

0

20

40

60

80

100

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

100

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

120

80

100

80

60

g

fs

[S]

40

20

175 °C

25 °C

I

D

[A]

60

40

20

0

1

2

3

4

5

0

10

20

30

40

50

60

V

GS

[V]

I

D

[A]

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