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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第22页 > IPDH4N03LA-G
IPDH4N03LA摹
IPSH4N03LA摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
适用于高频DC / DC转换器
根据JEDEC的目标应用合格
N沟道逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
卓越的热电阻
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
1)
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
25
4.2
90
V
m
A
TYPE
IPDH4N03LA摹
IPSH4N03LA摹
包
订购代码
记号
P-TO252-3-11
Q67042-S4250
H4N03LA
P-TO251-3-11
Q67042-S4254
H4N03LA
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
4)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
3)
I
D
=90 A,
R
GS
=25
I
D
=90 A,
V
DS
=20 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
价值
90
77
360
150
6
±20
94
-55 ... 175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
单位
A
启示录0.92 - 目标数据表
第1页
2004-10-27
IPDH4N03LA摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
5)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=40 A
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=50 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=50 A,
SMD版
V
GS
=10 V,
I
D
=60 A
V
GS
=10 V,
I
D
=60 A,
SMD版
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=60 A
25
1.2
-
-
1.6
0.1
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
IPSH4N03LA摹
单位
马克斯。
1.6
75
50
K / W
-
2
1
V
A
-
-
-
-
-
-
-
45
10
10
6.1
5.9
3.7
3.5
1.3
90
100
100
7.6
7.4
4.4
4.2
-
-
S
nA
m
1)
J- STD20和JESD22
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.6 K / W ，芯片能够执行109 A.
见图3
T
， MAX
= 150 ℃，占空比
D
为<0.25
V
GS
<-5 V
1)
3)
4)
5)
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
启示录0.92 - 目标数据表
第2页
2004-10-27
IPDH4N03LA摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=78 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.93
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=45 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
8
3.9
5.6
10
19
3.4
17
20
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2400
920
110
9
7
29
4.6
值
典型值。
IPSH4N03LA摹
单位
马克斯。
3200
1200
160
14
11
44
7
pF
ns
11
5.1
8
14
26
-
23
27
nC
V
nC
78
360
1.2
A
V
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
15
nC
6)
参见图16栅极电荷参数定义
启示录0.92 - 目标数据表
第3页
2004-10-27
启示录0.92 - 目标数据表
第4页
2004-10-27
IPDH4N03LA摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
IPSH4N03LA摹
120
100
100
80
80
60
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
40
20
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
限于由导通状态
阻力
10 s
100 s
1 s
100
1
0.5
I
D
[A]
DC
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
0.1
0.05
10
10毫秒
0.1
0.02
0.01
单脉冲
1
0.1
1
10
100
0.01
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
启示录0.92 - 目标数据表
第5页
2004-10-27
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