MOSFET
金属？氧化物？半导体？场？效果？晶体管
CoolMOSC7
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPD65R225C7
数据？表
Rev.2.0
最终科幻
电源？管理？ & ？多元化
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPD65R225C7
1Description
的CoolMOS ？是？一？革命？技术？的？高？压？电源
MOSFET的？设计？按？以？的？超结？ （ SJ ） ？原理？和
首创？用？英飞凌？技术。
CoolMOSC7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ
MOSFET ？供应商？与？高？级？创新？的？品？产品组合
提供的？所有？好处？快？交换？超结？ MOSFET的？发行
更好？效率， ？减少？门？充， ？容易吗？执行？和
优秀的？可靠性。
DPAK
TAB
1
2
3
特点
？增加多少？ MOSFET ？ dv / dt的？耐用
？更好？效率？因？什么？最好的？在？级？ FOM ·R
DS （ ON）
*E
OSS
和R
DS （ ON）
*Q
g
？最？的？类·R
DS （ ON）
？ /包
？容易吗？到？使用/驱动器
？无铅？镀？卤素？免费的？模？复合
QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20
andJESD22)
漏
引脚2 ，选项卡
门
销1
来源
3脚
好处
？启用？高？系统？效率
？启用？高？频？ / ？增加？权力？密度？解决方案
？系统？成本？ / ？大小？储蓄？因？为？降低？冷却？要求
？高？系统？可靠性？因？以？下？工作？温度
应用
PFC ？期？ ，并？硬？交换？ PWM ？期？的？例如： ？计算？服务器，
电信？ UPS ？和？太阳。
？请注意： ？ ？ ？ ？ ？ ？ ？ ？ ？ ？ ？对于MOSFET并联使用铁氧体磁珠上的门
还是？分开？图腾？极？是？一般？推荐。
Table1KeyPerformanceParameters
参数
V
DS
@ T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
g.typ
I
D，脉冲
E
OSS
@400V
体二极管的di / dt
类型？ / ？订货？代码
IPD65R225C7
价值
700
225
20
41
2.3
55
包
PG- 252
单位
V
m
nC
A
J
A / μs的
记号
65C7225
相关？相关链接
见附录A
最终数据手册
2
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650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPD65R225C7
目录表？
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
热特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
电气特性图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装纲要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
免责声明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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IPD65R225C7
2Maximumratings
在？吨
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
雪崩电流，单脉冲
MOSFET的dv / dt坚固
栅极 - 源极电压（静态）
栅极 - 源极电压（动态）
功耗
储存温度
工作结温
安装力矩
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
最大的二极管整流速度
绝缘耐压
符号
I
D
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AS
dv / dt的
V
GS
V
GS
P
合计
T
英镑
T
j
-
I
S
I
S，脉冲
dv / dt的
di
f
/ DT
V
ISO
值
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-55
-55
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
11
7
41
48
0.24
4.8
100
20
30
63
150
150
-
11
41
1
55
不适用
单位
A
A
mJ
mJ
A
V / ns的
V
V
W
°C
°C
A
A
V / ns的
V
注意： ？ / ？测试？条件
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
I
D
= 4.8A ; V
DD
=50V
I
D
= 4.8A ; V
DD
=50V
-
V
DS
=0...400V
静电;
AC（ f>1赫兹）
T
C
=25°C
-
-
T
C
=25°C
T
C
=25°C
V
DS
=0...400V,I
SD
< = I
S
,T
j
=25°C
V
RMS
,T
C
=25°C,t=1min
NCM -
A / μs的
V
DS
=0...400V,I
SD
< = I
S
,T
j
=25°C
限制T
j max的情况
.
脉冲宽度t
p
限制T
， MAX
3)
？同？低？方？ ，并？高？边？转？与？相同·R
G
2)
1)
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IPD65R225C7
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
参数
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境
符号
R
thJC
R
thJA
值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1.99
62
单位
注意： ？ / ？测试？条件
° C / W -
° C / W器件在PCB上，占用空间极小
设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米
环氧印刷电路板FR4与6cm （ 1
层，厚度为70微米）铜
° C / W
区排水连接
冷却。 PCB是垂直的无空气
流冷却。
°C
回流焊MSL1
热阻，结 - 环境
对于SMD版
R
thJA
-
35
45
焊接温度，波长&回流
允许焊接
T
出售
-
-
260
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QQ：2880707522 复制
