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IPD50N06S3-07
的OptiMOS
-T
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
55
6.9
50
V
m
A
特点
N沟道 - 普通级 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色封装（符合RoHS）
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
PG-TO252-3-11
TYPE
IPD50N06S3-07
包
PG-TO252-3-11
记号
3N0607
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=25 A,
价值
50
50
200
710
50
±20
136
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
修订版1.2
第1页
2009-06-15
IPD50N06S3-07
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=80 A
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
55
2.1
-
-
3.0
0.01
-
4
1
A
V
-
-
-
-
-
-
1.1
62
40
K / W
-
-
-
1
1
6.2
100
100
6.9
nA
m
修订版1.2
第2页
2009-06-15
IPD50N06S3-07
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
反向恢复电荷
2)
1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=27.5 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=7
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
7800
1180
1130
30
60
45
73
8970
1770
1700
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=11 V,
I
D
=50 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
46
28
110
5.9
61
43
125
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=27.5 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
0.6
-
-
-
-
0.9
45
66
50
200
1.3
-
-
A
V
ns
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.1 K / W的芯片能够进行104一25 ℃。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E 。
2)
由设计确定。不受生产测试。
3)
合格的-5V和+ 20V 。
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.2
第3页
2009-06-15
IPD50N06S3-07
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
160
140
120
60
40
100
P
合计
[W]
80
60
I
D
[A]
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
40
20
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
10
0
0.5
100
1毫秒
100 s
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
10
-1
0.05
10
10
-2
0.01
1
0.1
1
10
100
10
-3
单脉冲
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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第4页
2009-06-15
IPD50N06S3-07
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
200
10 V
8V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
20
6V
7V
8V
175
150
125
15
7.5 V
I
D
[A]
7V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
6.5 V
R
DS （ ON）
[m]
10
9V
6V
10 V
5
5.5 V
0
0
50
100
150
200
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6 V
参数：
T
j
200
-55 °C
25 °C
175 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 50 A;
V
GS
= 10 V
12
150
10
100
R
DS （ ON）
[m
]
0
2
4
6
8
10
I
D
[A]
8
50
6
0
4
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
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2009-06-15
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