【IPD400N06N摹的OptiMOS功率晶体管特点快速开关转换器和同步。纠正N沟道增强型 - 正常】,IC型号IPD400N06NG,IPD400N06NG PDF资料,IPD400N06NG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IPD400N06N摹

的OptiMOS

功率晶体管

特点

快速开关转换器和同步。纠正

N沟道增强型 - 正常水平

175 ° C的工作温度

额定雪崩

无铅引脚电镀，符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

60

40

27

V

m

A

TYPE

IPD400N06N摹

包

TYPE

IPD400N06N摹

记号

PG-TO252-3

包

400N06N

PG-TO252-3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

价值

27

19

108

80

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

1)

I

D

=27 A,

R

GS

=25

I

D

=27 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

W

°C

T

C

=25 °C

68

-55 ... 175

55/175/56

见图3

修订版1.3

第1页

2008-09-01

IPD400N06N摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

2)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=28 A

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

栅极电阻

跨

I

GSS

R

DS （ ON）

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=27 A

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=27 A

60

2

-

-

3

0.01

-

4

1

A

V

-

-

-

-

-

-

2.2

75

50

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

-

-

-

-

12

1

10

31

1.5

24

100

100

40

-

-

nA

m

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

2)

修订版1.3

第2页

2008-09-01

IPD400N06N摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

3)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

3)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=30 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=27 A,

R

G

=22

V

GS

=0 V,

V

DS

=30 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

490

130

36

9

24

24

23

650

170

54

13

36

36

35

pF

ns

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=30 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=30 V,

I

D

=27 A,

V

GS

= 0到10伏

-

-

-

-

-

-

-

2.9

1.5

5.7

7.1

13

6.0

4.9

3.9

1.9

8.5

10

17

-

6

nC

V

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=27 A,

T

j

=25 °C

V

R

=30 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

-

-

-

-

-

-

0.96

31

40

30

108

1.3

40

50

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.3

第3页

2008-09-01

IPD400N06N摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

);

V

GS

≥6

V

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

80

30

70

60

20

50

P

合计

[W]

40

30

10

20

10

0

0

50

100

150

200

I

D

[A]

0

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

1

1 s

10

2

限于由导通状态

阻力

100 s

10 s

10

0

0.5

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

I

D

[A]

10

1

DC

1毫秒

10毫秒

10

10

0

-1

0.01

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.3

第4页

2008-09-01

IPD400N06N摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

60

20 V

10 V

5V

5.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

120

50

7V

100

6V

40

6.5 V

80

R

DS （ ON）

[m

]

I

D

[A]

30

6V

60

6.5 V

20

5.5 V

40

7V

10 V

20 V

10

5V

4.5 V

20

0

0

1

2

0

4

5

0

10

20

30

40

3

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

30

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

30

25

20

20

g

fs

[S]

10

175 °C

25 °C

I

D

[A]

15

10

5

0

0

2

4

6

8

0

0

5

10

15

20

25

30

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.3

第5页

2008-09-01

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的OptiMOS

功率晶体管

特点

快速开关转换器和同步。纠正

N沟道增强型 - 正常水平

175 ° C的工作温度

额定雪崩

无铅引脚电镀，符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

60

40

27

V

m

A

TYPE

IPD400N06N摹

包

TYPE

IPD400N06N摹

记号

PG-TO252-3

包

400N06N

PG-TO252-3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

价值

27

19

108

80

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

1)

I

D

=27 A,

R

GS

=25

I

D

=27 A,

V

DS

=20 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

W

°C

T

C

=25 °C

68

-55 ... 175

55/175/56

见图3

修订版1.1

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参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

2)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=28 A

V

DS

=60 V,

V

GS

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T

j

=25 °C

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

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=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

栅极电阻

跨

I

GSS

R

DS （ ON）

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=27 A

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=27 A

60

2

-

-

3

0.01

-

4

1

A

V

-

-

-

-

-

-

2.2

75

50

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

-

-

-

-

12

1

10

31

1.5

24

100

100

40

-

-

nA

m

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

2)

修订版1.1

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2006-04-20

IPD400N06N摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

3)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

3)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=30 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=27 A,

R

G

=22

V

GS

=0 V,

V

DS

=30 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

490

130

36

9

24

24

23

650

170

54

13

36

36

35

pF

ns

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=30 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=30 V,

I

D

=27 A,

V

GS

= 0到10伏

-

-

-

-

-

-

-

2.9

1.5

5.7

7.1

13

6.0

4.9

3.9

1.9

8.5

10

17

-

6

nC

V

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=27 A,

T

j

=25 °C

V

R

=30 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

-

-

-

-

-

-

0.96

31

40

30

108

1.3

40

50

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

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2006-04-20

IPD400N06N摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

);

V

GS

≥6

V

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

80

30

70

60

20

50

P

合计

[W]

40

30

10

20

10

0

0

50

100

150

200

I

D

[A]

0

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

1

1 s

10

2

限于由导通状态

阻力

100 s

10 s

10

0

0.5

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

I

D

[A]

10

1

DC

1毫秒

10毫秒

10

10

0

-1

0.01

10

-1

10

-1

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-2

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-4

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-2

10

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10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

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5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

60

20 V

10 V

5V

5.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

120

50

7V

100

6V

40

6.5 V

80

R

DS （ ON）

[m

]

I

D

[A]

30

6V

60

6.5 V

20

5.5 V

40

7V

10 V

20 V

10

5V

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20

0

0

1

2

0

4

5

0

10

20

30

40

3

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

30

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

30

25

20

20

g

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[S]

10

175 °C

25 °C

I

D

[A]

15

10

5

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5

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[V]

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[A]

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联系人：连

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终端采购配单精选

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6000

TO252

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深圳市源丰诚电子科技有限公司

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联系人：朱先生

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4550

TO-252

进口原装正品现货！

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IPD400N06NG

INFINEON/英飞凌

2443+

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