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IPD30N10S3L-34
的OptiMOS
-T
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
100
31
30
PG-TO252-3-11
V
m
A
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品(符合RoHS)
100 %雪崩测试
TYPE
IPD30N10S3L-34
PG-TO252-3-11
记号
3N10L34
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号
I
D
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=10V
T
C
=100°C,
V
GS
=10V
1)
漏电流脉冲
1)
雪崩能量,单脉冲
1)
雪崩电流,单脉冲
门源电压
2)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D,脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25°C
T
C
=25°C
I
D
=15A
价值
30
20
120
138
30
±20
57
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
修订版1.1
第1页
2008-04-08
IPD30N10S3L-34
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性
1)
热阻,结 - 案
SMD版本, PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=29A
V
DS
=80V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=80V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
1)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=16V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5V,
I
D
=30A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
100
1.2
-
-
1.7
0.01
-
2.4
0.1
A
V
-
-
-
-
-
-
2.6
62
40
K / W
-
-
-
-
1
-
32.2
25.8
10
100
41.8
31.0
nA
m
修订版1.1
第2页
2008-04-08
IPD30N10S3L-34
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
1)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
1)
二极管脉冲电流
1)
二极管的正向电压
I
S
I
S,脉冲
V
SD
T
C
=25°C
V
GS
=0V,
I
F
=30A,
T
j
=25°C
V
R
=50V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
0.6
-
-
1
30
120
1.2
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=80V,
I
D
=30A,
V
GS
= 0至10V
-
-
-
-
5
4
24
3.7
7
6
31
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=20V,
V
GS
=10V,
I
D
=30A,
R
G
=3.5
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
1520
380
45
6
4
18
3
1976
494
68
-
-
-
-
ns
pF
反向恢复时间
1)
t
rr
-
72
-
ns
反向恢复电荷
1)
Q
rr
-
150
-
nC
1)
2)
3)
由设计确定。不受生产测试。
合格与V
GS
= +20/-5V.
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.1
第3页
2008-04-08
IPD30N10S3L-34
1功耗
P
合计
= F (T
C
);
V
GS
6 V
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
6 V
60
50
30
40
P
合计
[W]
20
30
20
10
10
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数:
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
1
0.5
1 s
10
0
0.1
100
10 s
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.05
10
-1
100 s
0.01
10
1毫秒
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.1
第4页
2008-04-08
IPD30N10S3L-34
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数:
V
GS
120
10 V
5V
6典型。漏源导通电阻
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
= 25 °C
参数:
V
GS
80
3V
3.5 V
4V
70
80
4.5 V
60
R
DS ( ON)
[m]
I
D
[A]
50
4V
40
40
4.5 V
3.5 V
30
5V
10 V
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
20
0
20
40
60
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
);
V
DS
= 6V
参数:
T
j
60
25 °C
-55 °C
175 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS ( ON)
= F (T
j
);
I
D
= 30 A;
V
GS
= 10 V
60
50
40
R
DS ( ON)
[m
]
20
0
1
2
3
4
5
40
I
D
[A]
30
20
10
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
修订版1.1
第5页
2008-04-08
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    -
    -
    -
    -
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联系人:李小姐
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联系人:朱小姐
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7450
PG-TO252-3
原装正品热卖
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联系人:陈泽强
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Infineon Technologies
2422+
5650
DPAK-3 (TO-252-3)
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:0755-82574045
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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42500
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只做原装实单申请
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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INFINEON
21+
40000
TO-252-3
只做原装实单申请
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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INFINEON支持实单
2500
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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N/A
2023+
5000
TSSOP
原装现货,支持BOM配单
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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Infineon(英飞凌)
22+
32201
原装原厂公司现货
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
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终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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