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IPD30N06S4L-23
的OptiMOS
-T2
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
60
23
30
PG-TO252-3-11
V
m
A
特点
N沟道 - 增强型
AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
TYPE
IPD30N06S4L-23
包
PG-TO252-3-11
记号
4N06L23
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号
I
D
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=10V
T
C
=100°C,
V
GS
=10V
1)
漏电流脉冲
1)
雪崩能量，单脉冲
1)
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
T
C
=25°C
I
D
=15A
-
-
T
C
=25°C
-
-
价值
30
21
120
18
30
±16
36
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
1.0版
第1页
2009-03-23
IPD30N06S4L-23
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
1)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
-
最小的足迹
6厘米
2
冷却AREA2
)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=10A
V
DS
=60V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=60V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5V,
I
D
=15A
V
GS
=10V,
I
D
=30A
60
1.2
-
-
1.7
0.01
-
2.2
1
A
V
-
-
-
-
-
-
4.2
62
40
K / W
-
-
-
-
5
-
27
18
100
100
40
23
nA
m
1.0版
第2页
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IPD30N06S4L-23
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
1)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
1)
二极管脉冲电流
1)
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25°C
V
GS
=0V,
I
F
=30A,
T
j
=25°C
V
R
=30V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
0.6
-
-
0.95
30
120
1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=48V,
I
D
=30A,
V
GS
= 0至10V
-
-
-
-
4.9
2.1
16.1
4.1
6.4
4.2
21
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=30A,
R
G
=3.5
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
1200
325
18
4
1
15
3
1560
420
36
-
-
-
-
ns
pF
反向恢复时间
1)
t
rr
-
10
-
ns
反向恢复电荷
1)
Q
rr
-
10
-
nC
1)
2)
按设计规定。不受生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第3页
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IPD30N06S4L-23
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
40
40
30
30
P
合计
[W]
20
I
D
[A]
0
50
100
150
200
20
10
10
0
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
0.5
10
0
100
1 s
0.1
0.05
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.01
10 s
10
-1
100 s
单脉冲
10
1毫秒
10
-2
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2009-03-23
IPD30N06S4L-23
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
6V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
40
4V
4.5 V
5V
100
35
6V
80
I
D
[A]
5V
60
R
DS （ ON）
[m]
30
40
4.5 V
25
4V
20
20
10 V
0
0
1
2
3
4
5
6
15
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
120
-55 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 30 A;
V
GS
= 10 V
36
100
25 °C
32
80
28
60
175 °C
R
DS （ ON）
[m
]
6
I
D
[A]
24
40
20
20
16
0
0
1
2
3
4
5
12
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
1.0版
第5页
2009-03-23
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