IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值（ TO252 ）
I
D
100
25
35
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21 *
TYPE
IPB26CN10N摹
IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹
IPP26CN10N摹
包
记号
PG-TO263-3
26CN10N
PG-TO252-3
25CN10N
PG-TO262-3
26CN10N
PG-TO220-3
26CN10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
35
25
140
65
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=35 A,
R
GS
=25
I
D
=35 A,
V
DS
=80 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
71
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
3)
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V
*除D- PAK （ TO- 252 ）
修订版1.08
第1页
2010-04-28
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）
热阻，结 -
环境（ TO252 ， TO251 ）
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.1
62
40
75
50
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=39 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO251)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO263)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
（ TO220 ， TO262 ）
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=35 A
100
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
19
100
100
25
nA
m
-
19
25
-
20
26
-
-
19
20
1.1
38
26
-
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
4)
修订版1.08
第2页
2010-04-28
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹IPU25CN10N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值（ TO252 ）
I
D
100
25
35
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPB26CN10N摹
IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹
IPP26CN10N摹
IPU25CN10N摹
包
记号
PG-TO263-3
26CN10N
PG-TO252-3
25CN10N
PG-TO262-3
26CN10N
PG-TO220-3
26CN10N
PG-TO251-3
25CN10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
35
25
140
65
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=35 A,
R
GS
=25
I
D
=35 A,
V
DS
=80 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
71
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
2)
3)
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V
第1页
2006-06-02
修订版1.01
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹IPU25CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）
热阻，结 -
环境（ TO252 ， TO251 ）
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.1
62
40
75
50
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=39 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO251)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
(TO263)
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
（ TO220 ， TO262 ）
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=35 A
100
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
19
100
100
25
nA
m
-
19
25
-
20
26
-
-
19
20
1.1
38
26
-
-
S
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.01
第2页
2006-06-02
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹IPU25CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1560
232
16
10
4
13
3
2070
309
24
15
6
19
4
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=35 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
9
6
10
23
5.6
24
12
8
14
31
-
32
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=35 A,
T
j
=25 °C
V
R
=50 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
85
165
35
140
1.2
A
V
ns
-
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.01
第3页
2006-06-02
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹IPU25CN10N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
80
70
60
50
40
35
30
25
P
合计
[W]
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1 s
10
2
10 s
Z
thJC
〔 K / W〕
100 s
I
D
[A]
10
1
1毫秒
1
0.5
0.2
10
0
DC
10毫秒
0.1
0.05
0.02
10
-1
0.1
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
0.01
单脉冲
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.01
第4页
2006-06-02
IPB26CN10N摹IPD25CN10N摹
IPI26CN10N摹IPP26CN10N摹IPU25CN10N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
100
10 V
8V
7V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
5V
5.5 V
6V
80
6.5 V
50
40
R
DS （ ON）
[m
]
60
6.5 V
I
D
[A]
30
7V
6V
40
20
5.5 V
8V
10 V
20
5V
4.5 V
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
80
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
40
35
60
30
25
40
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
20
15
10
5
20
0
0
2
4
6
8
0
0
10
20
30
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.01
第5页
2006-06-02
QQ：2881677436 复制
