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IPD230N06L摹
的OptiMOS
功率晶体管
特点
快速开关转换器和同步。纠正
N沟道增强 - 逻辑电平
175 ° C的工作温度
无铅引脚电镀，符合RoHS标准
额定雪崩
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
60
23
30
V
m
A
TYPE
IPD230N06L摹
包
记号
PG-TO252-3
230N06L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
1)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
30
30
120
150
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
2)
I
D
=30 A,
R
GS
=25
I
D
=30 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
100
-55 ... 175
55/175/56
电流由接合线限定;具有的R
thJC
= 1.5 K / W ，芯片能够执行43 A.
见图3
1.0版
第1页
2006-06-13
IPD230N06L摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=49 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=20 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
60
1.2
-
-
1.6
0.01
-
2
1
A
V
-
-
-
-
-
1.5
75
50
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
22
1
1
16
20
1.6
44
100
100
23
30
-
-
S
nA
m
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区
漏极连接点。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第2页
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IPD230N06L摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=30 V,
V
GS
=4.5 V
V
DD
=30 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
-
4
1.7
10
13
31
3.7
10
5
2
16
19
42
-
13
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=5
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1100
250
67
11
16
21
15
1500
330
101
17
24
32
23
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.91
47
45
30
120
1.3
58
55
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
1.0版
第3页
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IPD230N06L摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
120
30
100
25
80
20
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
0
50
100
150
200
15
40
10
20
5
0
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
100 s
10
2
10
0
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
DC
0.2
1毫秒
0.1
10毫秒
10
-1
0.05
0.02
10
0
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
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IPD230N06L摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
80
70
60
40
4V
10 V
5.5 V
5V
4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
3V
3.5 V
4V
50
R
DS （ ON）
[m
]
50
I
D
[A]
40
30
3.5 V
30
4.5 V
z
20
5V
5.5 V
10 V
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
3V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
50
40
40
30
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
30
20
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
第5页
2006-06-13
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