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IPD12N03L
IPU12N03L
的OptiMOS
降压转换器系列
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P- TO251 -3-1
30
10.4
30
P- TO252 -3-11
V
m
A
逻辑电平
低导通电阻
R
DS （ ON）
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
非常适合快速开关降压转换器
TYPE
IPD12N03L
IPU12N03L
包
P- TO252 -3-11
P- TO251 -3-1
订购代码
Q67040-S4342
Q67042-S4043
记号
12N03L
12N03L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
符号
I
D
价值
单位
A
30
30
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
120
雪崩能量，单脉冲
I
D
=30A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
E
AS
150
mJ
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
E
AR
dv / dt的
10
6
KV / μs的
门源电压
功耗
T
C
=25°C
V
GS
P
合计
±20
100
V
W
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
英镑
-55... +175
55/175/56
°C
第1页
2003-01-17
IPD12N03L
IPU12N03L
热特性
参数
符号
分钟。
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
值
典型值。
马克斯。
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
1
-
1.5
100
K / W
-
-
-
-
75
50
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
30
-
-
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=50A
V
GS （ TH）
1.2
1.6
2
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
I
DSS
-
-
I
GSS
-
0.01
10
1
1
100
100
A
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
nA
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=30A
R
DS （ ON）
-
11.5
14.7
m
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=30A
R
DS （ ON）
-
8.1
10.4
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 1.5K / W ，芯片能够执行
I
D
= 79A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2003-01-17
IPD12N03L
IPU12N03L
电气特性
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
跨
g
fs
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30A
值
典型值。
马克斯。
单位
23.8
47.5
-
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
1160
450
120
1.2
6.1
13
29.4
17.3
1550
605
175
-
9.2
20
44.1
26
pF
ns
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=15A,
R
G
=5.6
-
-
-
-
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=15V,
I
D
=15A
-
-
3
10.3
18.2
3.8
12.9
22.8
nC
V
DD
=15V,
I
D
=15A,
V
GS
= 0 5V
-
输出充电
Q
OSS
V
DS
=15V,
I
D
=15A,
V
GS
=0V
-
16.5
20.6
nC
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
（高原）
V
DD
=15V,
I
D
=15A
-
2.7
-
V
I
S
T
C
=25°C
-
-
30
A
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=30A
V
R
=-V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
0.9
31
29
120
1.2
39
37
V
ns
nC
第3页
2003-01-17
IPD12N03L
IPU12N03L
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
110
IPD12N03L
32
IPD12N03L
W
90
80
A
24
P
合计
I
D
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
70
60
20
16
50
40
30
20
4
10
0
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
12
8
T
C
T
C
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
IPD12N03L
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
IPD12N03L
K / W
A
10
0
/
I
D
t
P = 10.0μs
I
D
V
DS
10
2
DS
（上
)
Z
thJC
100 s
10
-1
R
=
D = 0.50
10
-2
10
1
1毫秒
0.20
0.10
0.05
单脉冲
10毫秒
10
-3
0.02
0.01
DC
10
0 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2003-01-17
IPD12N03L
IPU12N03L
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
75
IPD12N03L
P
合计
= 100W
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
32
IPD12N03L
A
m
FE
V
GS [ V]
a
3.0
b
c
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
b
c
60
55
c
I
D
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
d
e
f
R
DS （ ON）
24
20
16
d
e
12
b
8
4
V
GS
[V] =
b
3.5
c
4.0
d
4.5
e
f
5.0 5.5
f
a
4
V
5
0
0
10
20
30
40
A
60
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
60
I
D
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
60
A
50
45
S
50
45
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
g
fs
V
5
V
GS
第5页
I
D
40
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
A
I
D
60
2003-01-17
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推荐型号
ICX424AQ
IDT6116LA45SO
ICL7611EMJD
ICS8761CY
IRKHF102-10HK
IRKTF102-12DK
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    IPD12N03L
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联系人：朱
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联系人：朱咸华
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