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IPD122N10N3摹
的OptiMOS
TM
3电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
100
12.2
59
V
mΩ
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPD122N10N3摹
包
记号
PG-TO252-3
122N10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
59
42
236
70
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=46 A,
R
GS
=25
Ω
mJ
V
W
°C
T
C
=25 °C
94
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
2.2版
第1页
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IPD122N10N3摹
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
1.6
75
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=46 A
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=46 A
V
GS
=6 V,
I
D
=23 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=46 A
100
2
-
-
2.7
0.1
-
3.5
1
A
V
-
-
-
-
-
29
10
1
10.5
13.1
1.1
57
100
100
12.2
23.1
-
-
Ω
S
nA
mΩ
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
2.2版
第2页
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IPD122N10N3摹
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
6)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=46 A,
R
G
=1.6
Ω
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1880
330
14
14
8
24
5
2500
439
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=46 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
9
5
9
26
4.9
35
-
-
-
35
-
46
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=46 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=46
A
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
61
103
59
236
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
2.2版
第3页
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IPD122N10N3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
100
60
50
80
40
60
P
合计
[W]
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
30
20
10
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10 s
10
2
10
0
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
100 s
I
D
[A]
0.2
0.1
0.05
1毫秒
10
1
10
-1
0.02
0.01
10毫秒
DC
单脉冲
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
p
[s]
2.2版
第4页
2009-07-09
IPD122N10N3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
180
160
7.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
10 V
4.5 V
20
5V
140
120
R
DS （ ON）
[m
Ω
]
6V
15
6V
I
D
[A]
100
80
60
5V
5.5 V
7.5 V
10
10 V
40
20
0
0
0
4.5 V
5
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
100
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
100
80
80
60
60
40
g
fs
[S]
40
20
25 °C
175 °C
I
D
[A]
20
0
0
2
4
6
8
0
0
40
80
120
V
GS
[V]
I
D
[A]
2.2版
第5页
2009-07-09
查看更多IPD122N10N3GPDF信息
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