添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第5页 > IPB80N04S3-06
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06 ， IPP80N04S3-06
的OptiMOS
-T
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
40
5.4
80
V
m
A
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色封装（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06
IPP80N04S3-06
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
记号
3N0406
3N0406
3N0406
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号
I
D
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=10V
1)
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=80 A
价值
80
71
320
125
±20
100
-55 ... +175
55/175/56
mJ
V
W
°C
单位
A
修订版1.1
第1页
2007-05-03
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06 ， IPP80N04S3-06
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=52 A
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD版
40
2.1
-
-
3.0
-
-
4.0
1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
4.6
4.3
100
100
5.7
5.4
nA
m
修订版1.1
第2页
2007-05-03
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06 ， IPP80N04S3-06
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=20 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
1
80
320
1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=32 V,
I
D
=80 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
15
9
36
6.0
20
16
47
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=20 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2500
660
100
15
10
20
10
3250
860
130
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
2)
t
rr
-
34
-
ns
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
36
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.5K / W ，芯片能够承载100A在25℃ 。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E在
www.infineon.com/optimos
2)
3)
由设计确定。不受生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.1
第3页
2007-05-03
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06 ， IPP80N04S3-06
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
120
100
100
80
80
60
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
40
20
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0; SMD
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
100 s
10
0
0.5
100
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
10
-1
0.05
0.01
10
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.1
第4页
2007-05-03
IPB80N04S3-06
IPI80N04S3-06 ， IPP80N04S3-06
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
200
10 V
7V
6.5 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
20
5.5 V
18
160
16
14
6V
6V
R
DS （ ON）
[m]
5.5 V
120
I
D
[A]
12
10
8
6.5 V
80
40
5V
6
4
7V
10 V
0
0
2
4
6
8
2
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
320
280
240
200
-55 °C
25 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 80 A;
V
GS
= 10 V ; SMD
9
8
175 °C
7
R
DS （ ON）
[m
]
2
3
4
5
6
7
8
I
D
[A]
6
160
120
80
40
0
5
4
3
2
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
修订版1.1
第5页
2007-05-03
查看更多IPB80N04S3-06PDF信息
推荐型号
IS89C51-24WI
ICS853017
IRFY9130M
I5SF25K2F
ICS557G-06T
IDT71V2579YS80BQI
ISPLSI2096V-60LQ128
IDT7132SA45CB
IDT74FCT245ATQB
IR2184S
IS65C256AL-25UA3
ICS525RI-07T
IDT7205L25PI
ISL62883CHRTZ
IDT71V67802133PFI
IRKT92/04AS90
IRF7831PBF
IDT74FCT16245TPF
IDT71V2578S133BG
IDT7198L45EB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IPB80N04S3-06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
21+
9850
TO-263
只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IPB80N04S3-06
Infineon Technologies
2420+
7890
D2PAK-3 (TO-263-3)
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
24+
9000
TO-263
原装正品现货，可开增值税专用发票
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
24+
5000
TO-263
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
24+
8000
TO-263
100%原装正品，只做原装正品
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IPB80N04S3-06
INFINEON
2414+
12749
TO-263
原装现货！量大可订！一片起卖！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
2403+
6489
TO263
原装现货热卖！十年芯路！坚持！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
TO-263
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IPB80N04S3-06
INFINEON/英飞凌
24+
12300
PG-TO263-3
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IPB80N04S3-06
VB
25+23+
35500
PG-TO263-3-2
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
查询更多IPB80N04S3-06供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！