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IPB60R520CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
最低的数字品质因数的
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
@ T
j
= 25°C
Q
克，典型值
650
V
0.520
24
nC
PG-TO263
的CoolMOS CP是专为：
硬开关SMPS拓扑结构
TYPE
IPB60R520CP
包
PG-TO263
记号
6R520P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
价值
6.8
4.3
17
166
0.25
2.5
50
±20
±30
66
-55 ... 150
W
°C
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
修订版2.0
第1页
2008-02-15
IPB60R520CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
参数
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
R
thJA
含铅
SMD版本，设备
在PCB上，最小的
脚印
SMD版本，设备
在PCB上， 6厘米
2
冷却
区域
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
修订版2.0
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
第2页
600
2.5
-
3
-
3.5
V
-
-
-
-
1.9
62
K / W
T
C
=25 °C
价值
3.8
17
15
值
典型值。
马克斯。
V / ns的
单位
单位
A
热阻，结 -
环境
R
thJA
-
-
62
-
35
-
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
A
-
-
-
10
-
0.47
-
100
0.52
nA
-
-
1.3
1.3
-
-
2008-02-15
IPB60R520CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
2)
3)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
630
32
30
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
R
G
=14.7
-
-
-
-
-
77
17
12
74
16
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=3.8 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
3
11
24
4.7
-
-
31
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=3.8 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.8
230
2.5
20
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
=I
D
，二/ dt≤400A / μs的，V
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关。
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
4)
5)
6)
修订版2.0
第3页
2008-02-15
IPB60R520CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
70
10
2
限于由导通状态
阻力
60
1 s
50
10
1
10 s
P
合计
[W]
30
10
0
20
DC
I
D
[A]
40
100 s
1毫秒
10毫秒
10
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
20 V
10 V
20
0.5
6V
0.2
0.1
0.05
0.02
8V
7V
10
0
Z
thJC
〔 K / W〕
15
I
D
[A]
5.5 V
10
10
-1
0.01
单脉冲
5V
5
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版2.0
第4页
2008-02-15
IPB60R520CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
14
20 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
4
6.5 V
12
8V
7V
10 V
5.5 V
3.6
6V
10
3.2
2.8
5V
6V
R
DS （ ON）
[
]
8
I
D
[A]
2.4
7V
6
4.5 V
2
4
5.5 V
20 V
5V
1.6
2
1.2
0
0
5
10
15
20
25
0.8
0
5
10
15
20
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=3.8 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
1.5
24
C °25
1.3
20
1.1
16
R
DS （ ON）
[
]
0.9
I
D
[A]
12
C °150
0.7
98 %
典型值
8
0.5
4
0.3
0.1
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
修订版2.0
第5页
2008-02-15
查看更多IPB60R520CPPDF信息
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IRM-26XXA
I5SB25NSB
IPD13N03LAG
INA84C640
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