【IPB60R299CPA的CoolMOSTM功率晶体管产品概述VDSRDS （ ON），最大Q克，】,IC型号IPB60R299CPA,IPB60R299CPA PDF资料,IPB60R299CPA经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPB60R299CPA

的CoolMOS

功率晶体管

产品概述

DS （ ON），最大

克，典型值

600

0.299

特点

最低的数字品质因数的

X Q

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

汽车AEC Q101标准

绿色封装（符合RoHS）

的CoolMOS CPA是专门设计用于：

DC / DC转换器为汽车应用

PG-TO263-3

TYPE

IPB60R299CPA

包

PG-TO263-3

记号

6R299A

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=25 °C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

AR1),2)

雪崩电流，重复性

AR1),2)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

功耗

工作温度

储存温度

D，脉冲

的dV / dt

合计

英镑

=0...480 V

STATIC

=25 °C

=4.4 A,

=50 V

=4.4 A,

=50 V

价值

290

0.44

4.4

±20

-40 ... 150

V / ns的

°C

单位

修订版2.0

第1页

2009-09-09

IPB60R299CPA

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

反向二极管的dv / dt

符号条件

S，脉冲

的dV / dt

=25 °C

价值

6.6

V / ns的

单位

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

thJC

thJA

热阻，结 -

环境

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

冷却

区域

出售

MSL 1

1.3

K / W

焊接温度，

再溢流焊接

245

°C

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

（ BR ） DSS

=0 V,

=250 A

GS （ TH）

= 0.44毫安

=600 V,

=0 V,

=25 °C

=20 V,

=0 V

=10 V,

=6.6 A,

=25 °C

=10 V,

=6.6 A,

=150 °C

栅极电阻

= 1 MHz时，漏极开路

600

2.5

3.5

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

DSS

GSS

DS （ ON）

0.27

100

0.299

0.73

1.9

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第2页

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IPB60R299CPA

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

国际空间站

OSS

=0 V,

=100 V,

= 1兆赫

=400 V,

=10 V,

=6.6 A,

=4.3

1100

120

值

典型值。

马克斯。

单位

有效输出电容，能量

O（ ER ）

相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

=0 V,

=0 V

伏至480伏

O（ TR ）

D（上）

D（关闭）

高原

=400 V,

=6.6 A,

= 0到10伏

7.6

5.0

RRM

=0 V,

=6.6 A,

=25 °C

0.9

300

3.9

1.2

=400 V,

/ DT = 100 A / μs的

脉冲宽度

受

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

*f.

≤I

， di / dt的

≤200A/s,

的dcLINK

=400V,

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低侧和高侧开关。

设备上40毫米* 40毫米* 1.5环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。

PCB是垂直的不吹气。

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

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IPB60R299CPA

1功耗

合计

= F （T

)

2安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

100

限于由导通状态

阻力

1 s

10 s

100 s

合计

[W]

[A]

1毫秒

10毫秒

120

160

-1

[°C]

[V]

3最大。瞬态热阻抗

thJC

= F （T

)

参数：

D =吨

4典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

10V

12 V

20 V

0.5

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

[A]

-1

0.02

0.01

5.5 V

单脉冲

4.5 V

-2

-5

-4

-3

-2

-1

[s]

[V]

修订版2.0

第4页

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IPB60R299CPA

5典型。输出特性

= F（V

);

=150 °C

参数：

6典型。漏源导通电阻

DS （ ON）

= F（我

);

=150 °C

参数：

1.8

1.6

10 V

20 V

12 V

5.5 V

6.5 V

1.4

1.2

DS （ ON）

[

]

5.5 V

10 V

[A]

0.8

0.6

4.5 V

0.4

0.2

[V]

[A]

7漏源导通电阻

DS （ ON）

= F （T

);

=6.6 A;

=10 V

8典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

参数：

0.8

25 °C

DS （ ON）

[

]

0.6

[A]

0.4

98 %

典型值

150 °C

0.2

-60

-20

100

140

180

[°C]

[V]

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13500

1000

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