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IPB50R299CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
最低品质因数的R
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC Quailfied
1)
为目标的应用
产品概述
V
DS
@T
JMAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
550
0.299
23
V
nC
PG-TO263
的CoolMOS CP是专为：
硬件&软交换SMPS拓扑结构
CCM PFC用于笔记本适配器， PDP和LCD大电源
PWM用于笔记本适配器， PDP和LCD大电源
TYPE
IPB50R299CP
包
PG-TO263
记号
5R299P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...400 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=4.4 A,
V
DD
=50 V
I
D
=4.4 A,
V
DD
=50 V
价值
12
8
26
289
0.44
4.4
50
±20
±30
104
-55 ... 150
W
°C
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
2.1版
第1页
2009-02-23
IPB50R299CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
6.6
26
15
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
R
thJA
热阻，结 -
环境
SMD版本，设备
在PCB上，最小的
脚印
SMD版本，设备
在PCB上， 6厘米
2
冷却
区域
3)
T
出售
回流焊MSL 1
-
-
-
-
1.2
62
K / W
-
35
-
焊接温度，波长和
reflowsoldering允许
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.44毫安
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=6.6 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=6.6 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
500
2.5
-
-
-
-
-
-
-
3
-
10
-
0.27
0.68
2.2
-
3.5
1
-
100
0.299
-
-
nA
A
V
2.1版
第2页
2009-02-23
IPB50R299CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
1190
53
50
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
至400 V
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=6.6 A,
R
G
=27.9
-
-
-
-
-
110
35
14
80
12
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=6.6 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
5
7
23
5.2
-
-
31
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=6.6 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.9
260
2.6
21
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
， di / dt的
≤200A/s,
V
的dcLINK
=400V,
V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
,
T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
2.1版
第3页
2009-02-23
IPB50R299CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
120
10
2
100
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
80
10
1
100 s
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
1毫秒
10毫秒
DC
40
10
0
20
0
0
25
50
75
T
C
[°C]
100
125
150
175
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
10
2
10
3
3最大。瞬态热阻抗
Z
（ thJC ）
= F （T
p
);
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
20 V
10 V
25
8V
7V
10
0
20
0.5
6V
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
15
5.5 V
10
-1
10
5V
5
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
0
t
p
[s]
10
-3
10
-2
10
-1
0
5
10
15
20
V
DS
[V]
2.1版
第4页
2009-02-23
IPB50R299CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
15
20 V
10 V
8V
7V
6V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
1.5
7V
5.5 V
12
1.3
6.5 V
10 V
9
5V
R
DS （ ON）
[
]
1.1
5.5 V
6V
I
D
[A]
6
0.9
4.5 V
3
0.7
0
0
5
10
15
20
0.5
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=6.6 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
0.8
40
25 °C
0.7
35
0.6
30
25
R
DS （ ON）
[
]
0.5
I
D
[A]
98 %
典型值
150 °C
20
0.4
15
0.3
10
0.2
5
0.1
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
2.1版
第5页
2009-02-23
查看更多IPB50R299CPPDF信息
推荐型号
ICL3310IB
IMP813
ISL6297CRZ
IRL1104L
IRKTF111-06HN
IRKTF200-02CK
ICS8523
IDT7203S50L
IDTQS74FCT251ATQ
IC43R16160-5T
ISL9005IRNZ-T
IRKHF200-10EP
IRKK136-08N
IMC-0805-01
IRK.105
ISD1610BXI01
IDT74FCT138DB
ICD2047SC-20
IDT74FCT3827AQ
IRKVF72-12DK
供货商
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    IPB50R299CP
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联系人：小邹
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