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最终数据手册
IPB180P04P4L-02
的OptiMOS -P2
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-40
2.4
-180
V
mW
A
特点
P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
AEC合格
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
拟反向电池保护
门
销1
PG-TO263-7-3
漏
引脚4 ，标签
TYPE
IPB180P04P4L-02
包
PG-TO263-7-3
记号
4QP04L02
来源
销2 ，3，5 ，6，7
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=-10V
1)
T
C
=100°C,
V
GS
=-10V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
T
C
=25°C
I
D
= -90A
-
-
T
C
=25°C
-
-
价值
单位
连续漏电流
I
D
-180
A
-140
-720
84
-180
±16
3)
150
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
修订版1.3
第1页
2011-04-27
最终数据手册
IPB180P04P4L-02
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
-
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
= -1mA
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-410A
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-16V,
V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-100A
V
GS
=-10V,
I
D
=-100A
-40
-1.2
-
-
-1.7
-0.1
-
-2.2
-1
A
V
-
-
-
-
-
-
1
62
40
K / W
-
-
-
-
-20
-
2.6
1.8
-200
-100
3.9
2.4
nA
mW
修订版1.3
第2页
2011-04-27
最终数据手册
IPB180P04P4L-02
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
V
GS
=0V,
I
F
=-100A,
T
j
=25°C
V
R
=-20V,
I
F
=-50A,
di
F
/ DT = -100A / μs的
-
T
C
=25°C
-
-
-
-1.0
-720
-1.3
V
-
-180
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-32 V,
I
D
=-180 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
50
38
220
-3.5
65
76
286
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-20V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-180A,
R
G
=3.5W
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
14400
4570
180
32
28
146
119
18700 pF的
5900
360
-
-
-
-
ns
反向恢复时间
2)
t
rr
-
71
-
ns
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
101
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1K / W上的芯片是能够承载200A在25℃ 。
按设计规定。不受生产测试。
V
GS
= + 5V / -16V根据AEC ; V
GS
= + 16V最大为168小时在T
J
=175°C
2)
3)
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
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2011-04-27
最终数据手册
IPB180P04P4L-02
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≤ -6V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≤ -6V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
P
合计
[W]
T
C
[°C]
-I
D
[A]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
10 s
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
100 s
1毫秒
10
0
0.5
100
Z
thJC
〔 K / W〕
-I
D
[A]
0.1
10
-1
0.01
10
10
-2
0.05
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
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最终数据手册
IPB180P04P4L-02
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25°C
参数：
V
GS
700
-10 V
-5 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25°C
参数：
V
GS
20
-2.8 V
-3 V
-3.5 V
18
-4.5 V
600
16
14
500
-I
D
[A]
400
-4 V
R
DS （ ON）
[m
W
]
12
10
8
6
300
200
-3.5 V
4
100
-3 V
-4 V
-4.5 V
2
0
-10 V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
50
100
150
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= -6V
参数：
T
j
700
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= -100A;
V
GS
= -10V
3
600
2.5
500
-I
D
[A]
400
R
DS （ ON）
[m
W
]
175 °C
25 °C
2
300
200
1.5
100
-55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
1
-60
-20
20
60
100
140
180
-V
GS
[V]
T
j
[°C]
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第5页
2011-04-27
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