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TYPE
IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC的目标应用合格
N沟道逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
极低的导通电阻
R
DS ( ON)
额定雪崩
无铅电镀;符合RoHS标准
TYPE
IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
1)
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
30
9.6
35
V
m
A
记号
PG-TO220-3
096N03L
PG-TO263-3
096N03L
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩电流,单脉冲
3)
雪崩能量,单脉冲
I
D,脉冲
I
AS
E
AS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=12 A,
R
GS
=25
I
D
=35 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的,
T
, MAX
=175 °C
价值
35
35
35
30
245
35
40
mJ
单位
A
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
V
GS
6
KV / μs的
门源电压
1)
±20
V
J- STD20和JESD22
REV 。 1.02
第1页
2007-08-29
IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
符号条件
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
价值
42
-55 ... 175
55/175/56
单位
W
°C
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻,结 - 案
SMD版本, PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 μA
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
5)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
2)
3)
4)
-
-
-
-
-
-
3.6
62
40
K / W
30
1
-
-
-
0.1
-
2.2
1
V
μA
-
-
-
-
-
10
10
11.3
8.0
1.1
53
100
100
14.1
9.6
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=30 A
26
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
从测得的漏标签,源极引脚
5)
REV 。 1.02
第2页
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IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G( TH )
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
4.0
1.9
1.8
3.9
7.4
3.4
15
-
-
-
-
-
-
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1200
500
24
4.0
3.2
16
2.6
1600
660
-
-
-
-
-
ns
pF
栅极电荷总量,同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G(同步)
Q
OSS
-
-
6.4
13
-
-
nC
I
S
I
S,脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.94
35
245
1.2
A
V
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
10
nC
6)
参见图16栅极电荷参数定义
REV 。 1.02
第3页
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IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
10 V
50
40
40
30
30
P
合计
[W]
I
D
[A]
20
10
0
0
50
100
150
200
20
10
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 μs
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
10
2
10 μs
0.5
1
100 μs
0.2
0.1
0.05
0.02
I
D
[A]
DC
10
1
1毫秒
10毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
0.01
单脉冲
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
REV 。 1.02
第4页
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IPP096N03L摹
IPB096N03L摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
160
5V
3.2 V
10 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
24
20
3.5 V
4V
4.5 V
120
16
R
DS ( ON)
[m ]
I
D
[A]
4.5 V
80
4V
12
5V
10 V
8
11.5 V
40
3.5 V
4
3.2 V
3V
2.8 V
0
0
1
2
3
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
100
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
100
80
80
60
60
40
g
fs
[S]
40
20
175 °C
25 °C
I
D
[A]
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
REV 。 1.02
第5页
2007-08-29
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联系人:刘经理
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