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IPB070N06N摹
IPP070N06N摹
的OptiMOS
功率晶体管
特点
快速开关应用低栅极电荷
N沟道增强型 - 正常水平
175 ° C的工作温度
额定雪崩
无铅引脚电镀,符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
SMDversion
60
6.7
80
V
m
A
TYPE
IPB070N06N摹
IPP070N06N摹
TYPE
IPB066N06N摹
IPP066N06N摹
记号
P-TO263-3-2
P-TO263-3-2
070N06N
P-TO220-3-1
记号
P-TO220-3-1
066N06N
070N06N
066N06N
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
1)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量,单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
80
80
320
530
6
±20
单位
A
I
D,脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
2)
I
D
=80 A,
R
GS
=25
I
D
=80 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = 200 A / μs的,
T
, MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
250
-55 ... 175
55/175/56
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.6 K / W ,芯片能够执行127 A.
见图3
修订版1.01
第1页
2006-06-19
IPB070N06N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,结 - 案
SMD版本, PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=180 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=60 V
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD版
栅极电阻
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=80 A
60
2.1
-
-
3.0
0.01
-
-
-
-
-
-
IPP070N06N摹
单位
马克斯。
典型值。
0.6
62
40
K / W
-
4
1
V
A
-
1
100
-
-
-
-
49
1
5.9
5.6
1.5
98
100
7
6.7
-
-
nA
m
S
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜区
漏极连接点。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.01
第2页
2006-06-19
IPB070N06N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
IPP070N06N摹
单位
马克斯。
典型值。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
R
G
=3.3
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3100
860
210
16
37
61
36
4100
1100
315
24
56
91
54
pF
ns
Q
gs
Q
G( TH )
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=30 V,
I
D
=80 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
16
9
39
46
89
5.3
40
21
12
59
68
118
-
54
nC
V
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.95
55
96
80
320
1.3
70
120
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.01
第3页
2006-06-19
IPB070N06N摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
≥10
V
IPP070N06N摹
300
90
80
250
70
200
60
50
40
30
20
50
10
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
P
合计
[W]
150
100
T
C
[°C]
I
D
[A]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
3
1 s
限于由导通状态
阻力
2
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
0
10 s
100 s
10
0.5
1毫秒
DC
10毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
I
D
[A]
10
1
10
-1
0.1
0.05
10
0
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.01
第4页
2006-06-19
IPB070N06N摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
240
220
200
180
160
10 V
7V
6.5 V
IPP070N06N摹
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
30
28
26
24
22
20
5V
5.5 V
140
6V
R
DS ( ON)
[m
]
18
16
14
12
10
8
6
I
D
[A]
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
5V
5.5 V
6V
6.5 V
7V
10 V
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
140
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
100
120
80
100
60
80
60
g
fs
[S]
40
20
0
0
1
2
175 °C
I
D
[A]
40
20
0
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
25 °C
I
D
[A]
修订版1.01
第5页
2006-06-19
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