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IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大（ 263 ）
I
D
85
3.9
100
V
mΩ
A
适用于高频开关和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
包
记号
PG-TO263-3
04CNE8N
PG-TO220-3
04CNE8N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
4)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=100 A,
R
GS
=25
Ω
价值
100
100
400
1000
±20
300
-55 ... 175
55/175/56
mJ
V
W
°C
单位
A
修订版1.03
第1页
2010-01-13
IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
5)
-
-
-
-
-
-
0.5
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
TO263
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=100 A
85
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
-
-
83
10
1
3.5
3.2
1.3
165
100
100
4.2
3.9
-
-
Ω
S
nA
mΩ
1)
J- STD20和JESD22
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.5 K / W ，芯片能够执行182 A.
见图3
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 V
gs
<-5V
2)
3)
4)
5)
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.03
第2页
2010-01-13
IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
6)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=40 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=1.6
Ω
V
GS
=0 V,
V
DS
=40 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
10500
1970
130
34
78
76
25
14000 pF的
2620
195
51
117
114
38
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=40 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=40 V,
I
D
=100 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
53
35
56
156
5.0
150
70
53
81
208
-
200
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
V
R
=40 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1.0
100
295
100
400
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
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第3页
2010-01-13
IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
350
120
300
100
250
80
P
合计
[W]
200
I
D
[A]
150
100
50
0
0
50
100
150
200
60
40
20
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
100 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
0
0.5
0.2
10
2
10
-1
Z
thJC
〔 K / W〕
1毫秒
0.1
0.05
0.02
0.01
I
D
[A]
10毫秒
10
1
DC
10
-2
单脉冲
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.03
第4页
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IPB04CNE8N摹
IPP04CNE8N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
400
10 V
7V
8V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
15
320
6.5 V
6V
12
5V
4.5 V
240
R
DS （ ON）
[m
Ω
]
9
I
D
[A]
160
5.5 V
6
5.5 V
6V
10 V
80
5V
3
4.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50
100
150
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
300
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
200
250
160
200
120
150
g
fs
[S]
80
175 °C
25 °C
I
D
[A]
100
50
40
0
0
2
4
6
8
0
0
50
100
150
V
GS
[V]
I
D
[A]
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第5页
2010-01-13
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