添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第221页 > IPB042N03LG
TYPE
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
OptiMOS3
功率晶体管
产品概述
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC的目标应用合格
N沟道逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
额定雪崩
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
1)
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
4.2
70
V
m
A
包
记号
PG-TO220-3-1
042N03L
PG-TO263-3
042N03L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
1)
价值
70
70
70
62
400
70
60
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
的dV / dt
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
I
D
=70 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
J- STD20和JESD22
修订版2.0
第1页
2010-02-22
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
符号条件
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
价值
79
-55 ... 175
55/175/56
单位
W
°C
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
5)
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
跨
2)
3)
4)
-
-
-
-
-
-
1.9
62
40
K / W
30
1
-
-
-
0.1
-
2.2
1
V
A
-
-
-
-
-
10
10
4.8
3.5
1.5
87
100
100
6
4.2
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
44
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
从测得的漏标签，源极引脚
5)
修订版2.0
第2页
2010-02-22
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
8.8
4.7
4.2
8.3
18
3.0
38
-
-
-
-
-
-
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2900
1100
60
7.4
5.6
28
4.4
3900
1500
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
16
28
-
-
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.85
70
400
1.1
A
V
反向恢复电荷
6)
Q
rr
-
-
20
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版2.0
第3页
2010-02-22
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
100
80
80
60
60
P
合计
[W]
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
40
20
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
10 s
10
2
100 s
1
DC
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
0.2
0.1
0.05
1毫秒
10毫秒
0.1
0.02
10
0
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版2.0
第4页
2010-02-22
IPP042N03L摹
IPB042N03L摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
160
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
16
5V
4.5 V
4V
3V
3.2 V
3.5 V
120
10 V
12
80
3.5 V
R
DS （ ON）
[m
]
I
D
[A]
8
4V
4.5 V
5V
40
3.2 V
4
10 V
11.5 V
3V
2.8 V
0
0
1
2
3
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
160
120
120
80
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
80
40
40
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版2.0
第5页
2010-02-22
查看更多IPB042N03LGPDF信息
推荐型号
IN3899
IS61SP25618-150TQ
IDT709279L7PF
IDT82V2052E
ICM7342
ICS9248-90
IRKUF180-10GJ
IDT74FCT16270ATPV
IPT4153
IS1212SA
IRKTF180-10EK
IS61VPS12836A-200TQ
IDT72V02L35J
IR3Y18
IDT7130LA70P
IRKNF111-02EM
IDT54FCT16543ATPAB
ICL7621BMPD
IDT71256SA15Y
IRKL105/12S90
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IPB042N03LG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
IPB042N03LG
Infineon(英飞凌)
22+
41319
原装原厂公司现货
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IPB042N03LG
INFINEON/英飞凌
22+
23822
TO263-3
深圳市深科创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：962800405 复制 点击这里给我发消息 QQ：475055463 复制 点击这里给我发消息 QQ：545433074 复制
电话：0755-83223957 83247340
联系人：李先生/吴小姐/ 朱先生
地址：深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
IPB042N03LG
INFINEON
23+
5000
TO263
进口原装假一赔十可开增值税发票
深圳市华创欧科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ：1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ：2319599090 复制
电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
IPB042N03LG
INFINEON
22+
22600
TO263
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
IPB042N03LG
INFINEON
25+
5000
TO263
全新原装，公司现货销售！
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IPB042N03LG
INFINEON/英飞凌
24+
12300
TO-263
全新原装现货，原厂代理。
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
IPB042N03LG
INFINEON
24+
8000
TO263
100%原装正品，只做原装正品
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IPB042N03LG
INFINEON/英飞凌
21+
22358
D2PAK(TO-263)
全新原装正品/质量有保证
深圳市诚达吉电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1145221602 复制

电话：0755-82716764
联系人：张生
地址：福田区 华强北 上步工业区 501栋812
IPB042N03LG
INFINEON
22+
10500
TO263
原装正品，特价销售
上海统盈电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：83415655 复制

电话：13311626995
联系人：易
地址：上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IPB042N03LG
INFINEON
22+
7200
TO263
原装正品
查询更多IPB042N03LG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！