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TYPE
IPB023N06N3摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
适用于高频开关和同步。 REC 。
优化技术的DC / DC转换器
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
N沟道,正常水平
100 %雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
IPB023N06N3摹
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
60
2.3
140
V
A
记号
PG-TO263-7
023N06N
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
3)
雪崩能量,单脉冲
4)
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
3)
4)
价值
140
140
560
330
±20
单位
A
I
D,脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=100 A,
R
GS
=25
Ω
mJ
V
W
°C
T
C
=25 °C
214
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.7 K / W ,芯片能够执行226 A.
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
2.2版
第1页
2009-12-11
IPB023N06N3摹
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻,结 - 案
热阻,
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
5)
-
-
-
-
-
-
0.7
62
40
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=141 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=100 A
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
60
2
-
-
3
0.1
-
4
2
A
V
-
-
-
-
83
20
1
1.9
1.4
166
200
100
2.3
-
-
nA
Ω
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
5)
2.2版
第2页
2009-12-11
IPB023N06N3摹
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
6)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
R
G
=3Ω
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
12000
2600
87
31
90
62
23
16000 pF的
-
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=30 V,
I
D
=100 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
62
13
38
149
5.1
120
-
-
-
198
-
160
nC
V
nC
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=100A ,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.9
69
120
140
560
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
2.2版
第3页
2009-12-11
IPB023N06N3摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
≥10
V
250
160
200
120
150
P
合计
[W]
I
D
[A]
100
50
0
0
50
100
150
200
80
40
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
1
10 s
0.5
10
2
100 s
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
I
D
[A]
0.1
0.1
1毫秒
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
1
10毫秒
DC
10
0
10
-1
0.01
10
0
10
1
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
2.2版
第4页
2009-12-11
IPB023N06N3摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
400
10 V
8V
6.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
6
5V
5.5 V
6V
320
6V
4
240
R
DS ( ON)
[m
Ω
]
I
D
[A]
6.5 V
160
5.5 V
8V
2
10 V
80
5V
4.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
100
200
300
400
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
400
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
320
280
320
240
240
200
g
fs
[S]
160
80
175 °C
25 °C
I
D
[A]
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
0
0
100
200
300
400
V
GS
[V]
I
D
[A]
2.2版
第5页
2009-12-11
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