TYPE
IPB023N06N3摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
适用于高频开关和同步。 REC 。
优化技术的DC / DC转换器
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
N沟道,正常水平
100 %雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
IPB023N06N3摹
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
60
2.3
140
V
mΩ
A
包
记号
PG-TO263-7
023N06N
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
3)
雪崩能量,单脉冲
4)
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
3)
4)
价值
140
140
560
330
±20
单位
A
I
D,脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=100 A,
R
GS
=25
Ω
mJ
V
W
°C
T
C
=25 °C
214
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.7 K / W ,芯片能够执行226 A.
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
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2009-12-11
IPB023N06N3摹
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻,结 - 案
热阻,
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
5)
-
-
-
-
-
-
0.7
62
40
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=141 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
I
GSS
R
DS ( ON)
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=100 A
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
60
2
-
-
3
0.1
-
4
2
A
V
-
-
-
-
83
20
1
1.9
1.4
166
200
100
2.3
-
-
nA
mΩ
Ω
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
5)
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