IP4064CX8 ; IP4364CX8 ;
IP4366CX8
集成的SIM卡无源滤波器阵列ESD保护
IEC 61000-4-2第4级
版本02 - 2010年2月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
该IP4064CX8 ， IP4364CX8和IP4366CX8是3通道的RC低通滤波器阵列
其目的是为了提供在800MHz的不期望的RF信号滤波以
3 000 MHz频段。此外， IP4064CX8 ， IP4364CX8和IP4366CX8
结合二极管提供保护免受静电下游组件
放电（ESD ）电压高达
±15
根据kV接触放电
IEC 61000-4-2模型，远远超过标准的4级。
所有这三款器件都采用单片硅技术和集成制造
三个电阻和7的高级ESD保护二极管在单一晶片级
芯片尺寸封装（ WLCSP ） 。这些特性使得IP4064CX8 ， IP4364CX8和
IP4366CX8适合用于应用要求极高的小型化，如
移动电话手机，无绳电话和个人数字设备。
1.2特点和优点
无铅，符合RoHS标准，不含卤素和锑（深绿色标准）
3通道SIM卡接口集成的RC滤波器阵列
集成100
Ω/100 Ω/47 Ω
串联电阻通道
集成的ESD保护耐压
±15
kV接触放电，远远超过
IEC 61000-4-2第4级
WLCSP 0.4毫米间距（ IP4364CX8和IP4366CX8 ）和0.5 mm间距
(IP4064CX8)
1.3应用
在如SIM卡接口蜂窝和个人通信系统（PCS）的移动
手机
恩智浦半导体
IP4064CX8 ; IP4364CX8 ; IP4366CX8
集成的SIM卡无源滤波器阵列ESD保护
2.管脚信息
2.1钢钉
凹凸A1
索引区
1
A
B
2
3
C
008aaa206
透明顶视图
朝下焊球
图1 。
引脚配置
2.2引脚说明
表1中。
针
A1
A2
A3
B1
B2
B3
C1
C2
C3
钉扎
描述
未连接（缺少球）
外部引脚1
内部引脚1
外部引脚2
地
内部引脚2
外部引脚3
供应ESD保护
内部引脚3
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
IP4064CX8/LF/P
IP4364CX8/LF/P
IP4366CX8/P
WLCSP8
WLCSP8
WLCSP8
描述
晶片级芯片尺寸封装; 8颠簸; 1.41
×
1.41
×
0.65 mm
晶片级芯片尺寸封装; 8颠簸; 1.16
×
1.16
×
0.61 mm
晶片级芯片尺寸封装; 8颠簸; 1.16
×
1.16
×
0.61 mm
VERSION
IP4064CX8/LF/P
IP4364CX8/LF/P
IP4366CX8/P
类型编号
IP4064CX8_IP4364CX8_IP4366CX8_2
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恩智浦半导体
IP4064CX8 ; IP4364CX8 ; IP4366CX8
集成的SIM卡无源滤波器阵列ESD保护
4.功能图
C2
R1
A3
100
Ω
R2
A2
B3
47
Ω
R3
B1
C3
IEC61000-4-2
LEVEL 1
保护引脚
100
Ω
C1
IEC61000-4-2
4级
保护引脚
008aaa210
B2
图2 。
原理图
5.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
I
V
ESD
参数
输入电压
静电放电
电压
引脚A2 ，B1， C1和C2的
对地
接触放电
空气放电
IEC 61000-4-2第4级;
引脚A2 ，B1， C1和C2的
对地
接触放电
空气放电
IEC 61000-4-2等级1 ;
引脚A3，B3和C3到
地
接触放电
空气放电
P
ch
P
合计
T
英镑
T
AMB
[1]
[1]
[1]
条件
民
0.5
最大
+5.5
单位
V
15
15
+15
+15
kV
kV
8
15
+8
+15
kV
kV
2
2
-
-
55
+2
+2
60
180
+150
260
+85
kV
kV
mW
mW
°C
°C
°C
信道功率耗散
总功耗
储存温度
连续功率;
T
AMB
= 70
°C
连续功率;
T
AMB
= 70
°C
10秒最大
T
回流焊（峰值）
峰值回流焊温度
环境温度
-
35
设备是对外贸易资质网络版1000的脉冲
±15
kV接触放电每个，根据IEC61000-4-2
模型，远远超过了特定网络版4级（ 8 kV接触放电） 。
IP4064CX8_IP4364CX8_IP4366CX8_2
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IP4064CX8 ; IP4364CX8 ; IP4366CX8
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6.特性
表4 。
电气特性
T
AMB
= 25
°
℃;除非另有规定ED 。
符号参数
R
S（ CH）
C
ch
条件
R2
通道电容
包括二极管
电容;
V
偏压（DC）的
= 0 V ; F = 1 MHz的
IP4064CX8
IP4364CX8
IP4366CX8
V
BR
I
LR
[1]
[1]
民
75
35.2
典型值
100
47.0
最大
125
58.8
单位
Ω
Ω
信道的串联电阻R1和R3
14
14
8
6
-
17
17
10
-
-
20
20
12
10
50
pF
pF
pF
V
nA
击穿电压
反向漏电流
通过设计保证。
I
TEST
= 1毫安
V
I
= 3 V
7.应用信息
7.1应用图
表示在SIM IP4064CX8 ， IP4364CX8或IP4366CX8典型应用示意图
卡接口中所描绘
网络连接gure 3 。
的2千伏的ESD顺应针（ A3，B3和C3 ）是
连接而四个15千伏的ESD兼容的管脚的基带接口侧（A2，
B1， C1和C2）分别连接到SIM卡中。
VSIM
C2
RST
A3
R1
100
Ω
VCC
A2
GND
RST
SPU
CLK
B3
R2
47
Ω
B1
CLK
I / O
I / O
C3
R3
100
Ω
C1
AUX1 AUX2
基带
B2
SIM卡
008aaa211
图3 。
典型应用图
IP4064CX8_IP4364CX8_IP4366CX8_2
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IP4064CX8 ; IP4364CX8 ; IP4366CX8
集成的SIM卡无源滤波器阵列ESD保护
7.2插入损耗
该IP4064CX8 ， IP4364CX8和IP4366CX8的主要目的，作为EMI / RFI滤波器
SIM卡接口。一个典型的50的插入损耗的测量配置
Ω
网络分析仪（ NWA ）系统，为IP4064CX8 ， IP4364CX8的评价和
IP4366CX8示于
图4中。
在一个50的插入损耗
Ω
NWA系统的所有三个通道IP4064CX8和
IP4364CX8在描绘
图5A
而IP4366CX8的插入损耗示于
图5b 。
插入损耗的测量条件利用测试印制电路板（PCB）
激光钻孔微通的PCB接地平面连接到所述接地销孔中。
IN
50
Ω
DUT
OUT
50
Ω
TEST BOARD
VGEN
001aai755
图4 。
频率响应测量CON组fi guration
0
s
21
（ dB）的
10
001aag219
0
s
21
（ dB）的
008aaa207
(1)
(1)
10
20
20
(2)
(2)
(3)
30
(3)
30
40
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
F（兆赫）
40
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
F（兆赫）
（1 ）信道B1至B3 。
（2 ）信道A2至A3 。
（3 ）信道C1至C3 。
一。 IP4064CX8和IP4364CX8
图5 。
测得的插入损耗程度
B 。 IP4366CX8
IP4064CX8_IP4364CX8_IP4366CX8_2
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