【INK0010AX系列描述INK0010AX是硅的N沟道MOSFET 。本产品为低电压最合适用的，因】,IC型号INK0010AM1,INK0010AM1 PDF资料,INK0010AM1经销商,ic,电子元器件-51电子网

INK0010AX系列

描述

INK0010AX是硅的N沟道MOSFET 。

本产品为低电压最合适

用的，因为低如便携式机器，

电压驱动，低导通电阻。

高速开关

硅N沟道MOSFET

外形绘图

INK0010AT2(PRELIMINARY)

INK0010AM1

2.1

0.2

0.8

0.2

0.425

1.25

单位：mm

0.425

0.25

0.4

特征

·输入阻抗高，并且没有必要

考虑一个驱动电流。

· Vth为低，且驱动器通过低电压是可能的。

Vth=1.0½2.0V

·低导通电阻。

(on)=4.0Ω(TYP)＠I

= 100mA时V

=4.0V

(on)=3.0Ω(TYP)＠I

= 100mA时V

=10V

·高速开关。

·小包装，便于安装。

1.2

0.8

0.65

①

②

③

①

②

③

2.0

1.3

0.4

0.9

0.65

0.7

应用

高速开关，模拟开关

JEITA ， JEDEC ： -

谏早： T- USM

端子连接器

① ： GATE

源

③ ：排水

INK0010AU1

1.6

JEITA：SC-70

JEDEC ： -

端子连接器

① ： GATE

源

③ ：排水

INK0010AC1

2.5

0.4

0.5

1.5

0.5

等效电路

0.4

0.8

0.3

0½0.1

0.15

①

②

③

0½0.1

0.16

0.4

0.5

①

②

③

1.6

1.0

0.7

0.55

0.15

1.1

JEITA：SC-75A

JEDEC ： -

端子连接器

① ： GATE

源

③ ：排水

0½0.1

JEITA：SC-59

JEDEC ：类似TO- 236

牛逼端子连接器

① ： GATE

源

③ ：排水

谏早电子股份有限公司

0.8

0.95

0.5

2.9

1.90

0.95

0.5

0.3

INK0010AX系列

高速开关

硅N沟道MOSFET

MAXIMUM RATING（Ｔ½＝２５℃）

符号

Ｖ

DSS

Ｖ

GSS

Ｉ

Ｐ

Ｄ

总胆固醇

Ｔ½½½

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

总

动力

耗散

（Ta=25℃）

通道温度

储存温度范围

INK0010AT2

等级

INK0010AU1

INK0010AM1

±20

100

150

+150

-55½+150

200

INK0010AC1

单位

℃

125（※）

+125

-55½+125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ｔ½＝２５℃）

符号

参数

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

静态漏源

阻力

输入电容

输出电容

开关时间

导通状态

※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。

测试条件

= 100μA ，V

（ BR ） DSS

GSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

关闭

=0V

民

1.0

极限

典型值

200

4.0

3.0

5.0

最大

±1.0

1.0

2.0

单位

μA

=±15V, V

=0V

=60V ,V

=0V

= 250μA ，V

= 10V ，我

=100mA

= 100mA时V

=4.0V

= 100mA时V

=10.0V

=10V, V

=0V,f=1MHz

= 5V ，我

=10mA

=0½5V

开关时间测试条件

测试电路

OUT

90%

10μs

=5V

D.U.≦1%

常见的来源

Ta=25℃

50Ω

输入

波形

10%

产量

波形

DS （ ON）

吨

90%

花花公子

谏早电子股份有限公司

典型特征

Ta=25℃

100

2.8V

2.7V

2.6V

2.5V

2.4V

ID -VDS

Ta=25℃

1.8V

ID -VDS （低压区）

1.75V

1.7V

漏极电流ID （MA ）

0.8

漏极电流ID （MA ）

2.3V

VGS=2.2V

0.6

1.65V

2.1V

2.0V

1.9V

0.4

1.6V

0.2

1.55V

VGS=1.5V

漏源电压VDS （ V）

1.7V

0.1

0.2

0.3

0.4

漏源电压VDS （ V）

1.4V

0.5

IDR -VDS

100

反向漏电流IDR （毫安）

Ta=25℃

VGS=0V

漏极电流ID （MA ）

1000

Ta=25℃

VDS=10V

ID -VGS

100

-0

-0.5

-1

-1.5

-2

漏源电压VDS （ V）

栅极 - 源极电压VGS （V）的

| YFS | - ID

1000

漏源导通电阻

RDS（ON）（ Ω ）

Ta=25℃

VDS=10V

正向转移导纳

| YFS | （MS ）

Ta=25℃

RDS （ ON） - ID

100

VGS=4V

10V

100

1000

漏极电流ID （MA ）

100

漏极电流ID （MA ）

150

200

吨 - ID

10000

Ta=25℃

花花公子

- VDS

100

开关时间t（ NS ）

1000

西塞

电容C （PF ）

科斯

100

吨

Ta=25℃

VGS=0V

0.1

漏极电流ID （MA ）

100

0.1

漏源电压VDS （ V）

100

谏早电子股份有限公司

市场营销事业部，营销策划部

6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本

保持安全第一在你的电路设计！

谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但

总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或

财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施

如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或

硬伤。

对于这些材料的注意事项

这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的

客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于

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由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子

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Feb.2009

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原装正品钻石品质假一赔十

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2443+

23000

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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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21+22+

15800

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14600

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