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INF85116
2048
х
8位的CMOS EEPROM与我
2
С -巴士
接口
该INF85116N是一个16千位(2048× 8位)的浮
栅极电可擦除可编程只读
存储器(EEPROM) 。功耗很低,由于
全CMOS技术的使用。编程
电压是在片上产生,使用电压多
钳。作为数据字节被接收,并通过发送
串行I
2
C总线,采用8引脚封装suffi-
cient 。只有一个INF85116N设备需要来支持
端口的每256个8位全部8块。
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流1.0毫安
- 最大待机电流10
A
( 5.5 V) ,典型的4
A
的16千位的二十年间组织为256x8位的8块的非易失性存储
( 55
o
C )
单电源( UCC = 2,7
÷
5,5 V);
自动增加字的地址
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
每字节百万擦/写周期
内部定时器写(无需外部元件)
写操作:多字节写模式,以32字节
写 - 保护输入
上电复位
温度范围: -40
o
C
÷
+85
o
C
引脚说明
辛博尔
。 。
N.
N.
USS
SDA
SCL
WP
UCC
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
没有连接
没有连接
没有连接
负电源电压
串行数据输入/输出(I
2
C-
公交车)
串行时钟输入(我
2
C总线)
写 - 保护输入
正电源电压
引脚配置
。 。
。 。
。 。
USS
1
2
8
7
UCC
WP
SCL
SDA
INF85116N
3
4
6
5
表1.快速参考的数据
符号
参数
最大
单位
1
INF85116
U
DD
I
OL
T
AMB
电源电压
低电平输出电流
工作环境温度
2.7
-
-40
5.5
6
+85
V
°С
框图
8
SCL
6
5
SDA
V
DD
7
WP
输入滤波器
I
2
C-总线控制逻辑
V
SS
测试模式
注册
地址
比较
注册
地址
指针
Sequenser
列解码器
HV
发电机
页寄存器
分频器
EEPROM阵列
(8x256x8)
ROW
DEC
上电复位
振荡器
4
V
SS
表2.极限值
符号
U
DD
Ui
Ii
Io
T
英镑
参数
电源电压
任意引脚上的输入电压
/Z
i
/>500
任何引脚输入电流
输出电流
储存温度
-0.3
-0.8
-
-
-65
最大
6.5
6.5
1
10
+150
单位
V
V
°С
2
INF85116
表3.特性
符号
I
DD ( STB )
I
CCR
I
CCW
参数
待机电源电流
电源电流读
电源电流东/西
条件
U
DD
= 2.7V
U
DD
= 5.5V
f
= L1
=400кHz,
U
DD
= 5.5V
f
= L1
=400кHz,
U
DD
= 5.5V
-
-
-
最大
6
10
1
1
单位
А
А
WP输入端(引脚7 )
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
SCL输入端(引脚6)
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
I
LI
输入漏电流
f
SCL
时钟输入频率
t
sp
尖峰脉冲宽度支持
压制
通过过滤器
С
I
输入电容
SDA的输入/输出(引脚5)
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
U
OL1
低电平输出电压
U
OL2
I
LO
t
O( F)
输出漏电流
距离U输出下降时间
IHmin
至U
ILMAX
尖峰脉冲宽度支持
压制
通过过滤器
输入电容
东/西循环时间
每字节东/西循环
-0.8
0.9U
DD
-0.8
0.7U
DD
-
0
0
-
-0.8
0.7U
DD
-
+0.1U
DD
U
DD
+0.8
+0.3U
DD
6.5
±1
400
100
V
V
V
V
А
千赫
ns
pF
V
V
V
U
I
=U
DD
或u
SS
U
I
= U
SS
7
0.3U
DD
6.5
0.4
0.6
-
1
250
250
100
I
OL
=3mА,
U
DD
= U
DD (分钟)
I
OL
=6mА,
U
DD
= U
DD (分钟)
U
OH
=U
DD
最多3mА宿
目前在ü
OL1
最多6mА宿
目前在ü
OL2
А
ns
ns
ns
pF
ms
岁月
20+0.1 C
B*
20+0.1 C
B
0
t
SP
С
I
-
10
t
东/西
-
10
о
100000
-
N
东/西
Т
AMB
=(-40-+85)
С,
о
1000000
Т
AMB
=22
С
о
t
S
数据保存时间
Т
AMB
= 55
С
20
-
- 总线电容范围为10 400pF的(C
B
=总在pF的总线上的电容)
U
I
=0V
3
INF85116
Таble
4. I
2
C总线特性
符号
参数
条件
系统蒸发散
标准
模式
最大
0
100
4.7
-
4.0
-
4.7
4.0
4.7
5
0
250
-
-
-
-
-
-
-
-
1000
300
快速模式
0
1.3
0.6
1.3
0.6
0.6
-
0
100
20+0.
1 C
b(2)
20+0.
1 C
b(2)
0.6
最大
400
-
-
-
-
-
-
-
-
300
300
单位
f
SCL
t
BUF
t
HD , STA
t
t
t
SU , STA
t
HD , DAT
t
HD , DAT
t
SU , DAT
t
R
t
F
时钟频率
时间总线必须是自由前
START条件保持时间之后,
产生第一个时钟脉冲
低电平时钟周期
高电平时钟周期
建立时间起始条件
数据保持时间为CBUS兼容
大师
数据保持时间为我
2
- 总线设备
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
-
-
-
-
反复
开始
-
注1
-
-
-
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
t
苏,申通快递
建立时间为停止条件
-
4.0
-
-
s
注意事项:
1.
必需的(不大于300毫微秒)的保持时间来跨过的下降沿的未定义区域
SCL必须由一个发射器在内部提供的。
2.
C
b
=在pF的总线上的总电容。
4
INF85116
2048
х
8位的CMOS EEPROM与我
2
С -巴士
接口
该INF85116N是一个16千位(2048× 8位)的浮
栅极电可擦除可编程只读
存储器(EEPROM) 。功耗很低,由于
全CMOS技术的使用。编程
电压是在片上产生,使用电压多
钳。作为数据字节被接收,并通过发送
串行I
2
C总线,采用8引脚封装suffi-
cient 。只有一个INF85116N设备需要来支持
端口的每256个8位全部8块。
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流1.0毫安
- 最大待机电流10
A
( 5.5 V) ,典型的4
A
的16千位的二十年间组织为256x8位的8块的非易失性存储
( 55
o
C )
单电源( UCC = 2,7
÷
5,5 V);
自动增加字的地址
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
每字节百万擦/写周期
内部定时器写(无需外部元件)
写操作:多字节写模式,以32字节
写 - 保护输入
上电复位
温度范围: -40
o
C
÷
+85
o
C
引脚说明
辛博尔
。 。
N.
N.
USS
SDA
SCL
WP
UCC
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
没有连接
没有连接
没有连接
负电源电压
串行数据输入/输出(I
2
C-
公交车)
串行时钟输入(我
2
C总线)
写 - 保护输入
正电源电压
引脚配置
。 。
。 。
。 。
USS
1
2
8
7
UCC
WP
SCL
SDA
INF85116N
3
4
6
5
表1.快速参考的数据
符号
参数
最大
单位
1
INF85116
U
DD
I
OL
T
AMB
电源电压
低电平输出电流
工作环境温度
2.7
-
-40
5.5
6
+85
V
°С
框图
8
SCL
6
5
SDA
V
DD
7
WP
输入滤波器
I
2
C-总线控制逻辑
V
SS
测试模式
注册
地址
比较
注册
地址
指针
Sequenser
列解码器
HV
发电机
页寄存器
分频器
EEPROM阵列
(8x256x8)
ROW
DEC
上电复位
振荡器
4
V
SS
表2.极限值
符号
U
DD
Ui
Ii
Io
T
英镑
参数
电源电压
任意引脚上的输入电压
/Z
i
/>500
任何引脚输入电流
输出电流
储存温度
-0.3
-0.8
-
-
-65
最大
6.5
6.5
1
10
+150
单位
V
V
°С
2
INF85116
表3.特性
符号
I
DD ( STB )
I
CCR
I
CCW
参数
待机电源电流
电源电流读
电源电流东/西
条件
U
DD
= 2.7V
U
DD
= 5.5V
f
= L1
=400кHz,
U
DD
= 5.5V
f
= L1
=400кHz,
U
DD
= 5.5V
-
-
-
最大
6
10
1
1
单位
А
А
WP输入端(引脚7 )
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
SCL输入端(引脚6)
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
I
LI
输入漏电流
f
SCL
时钟输入频率
t
sp
尖峰脉冲宽度支持
压制
通过过滤器
С
I
输入电容
SDA的输入/输出(引脚5)
U
IL
低电平输入电压
U
IH
高电平输入电压
U
OL1
低电平输出电压
U
OL2
I
LO
t
O( F)
输出漏电流
距离U输出下降时间
IHmin
至U
ILMAX
尖峰脉冲宽度支持
压制
通过过滤器
输入电容
东/西循环时间
每字节东/西循环
-0.8
0.9U
DD
-0.8
0.7U
DD
-
0
0
-
-0.8
0.7U
DD
-
+0.1U
DD
U
DD
+0.8
+0.3U
DD
6.5
±1
400
100
V
V
V
V
А
千赫
ns
pF
V
V
V
U
I
=U
DD
或u
SS
U
I
= U
SS
7
0.3U
DD
6.5
0.4
0.6
-
1
250
250
100
I
OL
=3mА,
U
DD
= U
DD (分钟)
I
OL
=6mА,
U
DD
= U
DD (分钟)
U
OH
=U
DD
最多3mА宿
目前在ü
OL1
最多6mА宿
目前在ü
OL2
А
ns
ns
ns
pF
ms
岁月
20+0.1 C
B*
20+0.1 C
B
0
t
SP
С
I
-
10
t
东/西
-
10
о
100000
-
N
东/西
Т
AMB
=(-40-+85)
С,
о
1000000
Т
AMB
=22
С
о
t
S
数据保存时间
Т
AMB
= 55
С
20
-
- 总线电容范围为10 400pF的(C
B
=总在pF的总线上的电容)
U
I
=0V
3
INF85116
Таble
4. I
2
C总线特性
符号
参数
条件
系统蒸发散
标准
模式
最大
0
100
4.7
-
4.0
-
4.7
4.0
4.7
5
0
250
-
-
-
-
-
-
-
-
1000
300
快速模式
0
1.3
0.6
1.3
0.6
0.6
-
0
100
20+0.
1 C
b(2)
20+0.
1 C
b(2)
0.6
最大
400
-
-
-
-
-
-
-
-
300
300
单位
f
SCL
t
BUF
t
HD , STA
t
t
t
SU , STA
t
HD , DAT
t
HD , DAT
t
SU , DAT
t
R
t
F
时钟频率
时间总线必须是自由前
START条件保持时间之后,
产生第一个时钟脉冲
低电平时钟周期
高电平时钟周期
建立时间起始条件
数据保持时间为CBUS兼容
大师
数据保持时间为我
2
- 总线设备
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
-
-
-
-
反复
开始
-
注1
-
-
-
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
t
苏,申通快递
建立时间为停止条件
-
4.0
-
-
s
注意事项:
1.
必需的(不大于300毫微秒)的保持时间来跨过的下降沿的未定义区域
SCL必须由一个发射器在内部提供的。
2.
C
b
=在pF的总线上的总电容。
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联系人:刘先生
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