INA333-HT
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SBOS514 - 2010年3月
微功耗，零漂移，轨到轨输出
仪表放大器器
检查样品：
INA333-HT
1
特点
低失调电压： 25
mV
（最高25℃ ） ，
G
≥
100
低漂移： 0.2
毫伏/ ∞C ，
G
≥
1000
低噪音： 55纳伏/ √Hz的，G
≥
100
高共模抑制比：100分贝（分钟， 25℃ ）中，G
≥
10
电源电压范围： + 1.8V至+ 5.5V
输入电压（ V型） +0.1 V至（V + ） -0.1 V
输出范围： （ V-） 0.05 V至（V + ） -0.05V
低静态电流： 198
mA
RFI输入滤波
2
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端（ -55°C / 210 ° C）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅（芯片）解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
自定义的温度范围内工作
应用
潜孔钻
高温度环境下
(1)
描述
该INA333是一款低功耗，高精度仪表放大器，提供优异的精度。多功能三运
功放设计，体积小，低功耗使其非常适用于广泛的便携式应用。
单个外部电阻设置从1到1000的INA333的任何收益被设计为使用行业标准的增
方程：G = 1 +（ 100kΩ的/右
G
).
该INA333提供了极低的失调电压（ 25
mV
在25℃下，G
≥
100 ） ，出色的失调电压漂移（ 0.2
毫伏/ ∞C ，
G
≥
100）和高共模抑制比（百分贝在25℃下，G
≥
10）。它工作在电源低至
1.8 V （ ± 0.9V ） ，而静态电流仅为50
毫安理想
对于电池供电系统。使用自动校准
技术，以确保卓越的精度在扩展工业温度范围， INA333还提供
极低的噪声密度（ 55内华达州/ √Hz的）向下延伸到DC 。
该INA333工作在T被
A
= -55 ° C至+ 210 °C温度范围。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SBOS514 - 2010年3月
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V+
7
V
IN-
2
RFI输入滤波
A
1
1
RFI输入滤波
50kW
R
G
8
RFI输入滤波
V
IN +
3
A
2
RFI输入滤波
INA333
4
V-
G=1+
100kW
R
G
150kW
150kW
A
3
50kW
6
V
OUT
150kW
150kW
5
REF
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-55°C至210℃
包
(2)
KGD
JD
HKJ
(1)
(2)
订购型号
INA333SKGD1
INA333SJD
INA333SHKJ
顶部端标记
NA
INA333SJD
INA333SHKJ
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
INA333
电源电压
模拟输入电压范围
(2)
输出短路
(3)
单位
V
V
°C
°C
°C
V
V
V
连续
+7
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
-55到+210
-65到+210
+210
4000
1000
200
工作温度范围，T
A
存储温度范围，T
英镑
结温，T
J
人体模型（ HBM ）
ESD额定值
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
(3)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以比0.3V的摆动更超出电源轨应
有电流限制在10mA或更小。
短路到地。
2
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产品文件夹链接（ S） ：
INA333-HT
2010 ，德州仪器
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SBOS514 - 2010年3月
热特性针对JD包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
q
JA
q
JB
q
JC
(1)
(2)
结至环境热阻
(1)
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
没有空气流动
高K板无底部填充胶
测试条件
高-K主板
(2)
，没有气流
民
典型值
64.9
83.4
27.9
6.49
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
的意图
q
JA
规范是专为一个包到另一个在标准化环境的热性能比较。
这methodolgy并不意味着，不会在一个特定应用的环境中预测的封装件的性能。
JED51-7 ，高效热传导测试板引线表面贴装封装。
热特性FOR HKJ包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
q
JC
结到外壳热阻（到机箱底部）
结到外壳热阻（以盒盖顶部 - 仿佛形成死虫）
民
典型值
最大
5.7
13.7
单位
° C / W
电气特性： V
S
= +1.8 V至+5.5 V
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 10kΩ的，V
REF
= V
S
/ 2，且G = 1，除非另有说明。
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
参数
输入
(1)
失调电压，
RTI
(2)
与温度
VS电源
长期稳定性
开启时间来指定
V
OSI
阻抗
迪FF erential
共模
共模
电压范围
共模
拒绝
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
输入偏置电流
输入偏置电流
与温度
输入失调电流
与温度
I
OS
I
B
±70
±200
±1260
±2044
pA
PA / ℃，
pA
见典型特性曲线
PA / ℃，
Z
IN
Z
IN
V
CM
CMR
V
O
= 0 V
DC到60赫兹
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
80
100
100
100
90
110
115
115
110
113
dB
dB
dB
dB
(V–) + 0.1
100 || 3
100 || 3
(V+) – 0.1
(V–) + 0.1
100 || 3
100 || 3
(V+) – 0.1 V
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
PSR
1.8 V
≤
V
S
≤
5.5 V
±1 ±5/G
见注
(6)
T
A
= +210°C
最大
民
典型值
最大
单位
测试条件
民
典型值
V
OSI
±10 ±25/G
±25 ±75/G
±0.1 ±0.5/G
(3)
±5 ±15/G
±15
0.2
(4) (5)
2.5
(4)
mV
毫伏/°C的
mV / V的
见典型特征
见典型特征
见典型特性曲线
±50
±200
见典型特性曲线
见典型特性曲线
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
总V
OS
，提到对输入= （V
OSI
) + (V
OSO
/G).
RTI =简称至输入。
温度漂移为-55 ° C至+ 125°C的测量。
G = 1000
温度漂移是从125 ° C到+ 210 ℃测量。
在+ 150 ° C 300小时的寿命试验证明随机分布的大约1变化
毫伏。
2010 ，德州仪器
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INA333-HT
5
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微功耗，零漂移，轨到轨输出
仪表放大器器
检查样品：
INA333-HT
1
特点
低失调电压： 25
mV
（最高25℃ ） ，
G
≥
100
低漂移： 0.2
毫伏/ ∞C ，
G
≥
1000
低噪音： 55纳伏/ √Hz的，G
≥
100
高共模抑制比：100分贝（分钟， 25℃ ）中，G
≥
10
电源电压范围： + 1.8V至+ 5.5V
输入电压（ V型） +0.1 V至（V + ） -0.1 V
输出范围： （ V-） 0.05 V至（V + ） -0.05V
低静态电流： 198
mA
RFI输入滤波
2
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端（ -55°C / 210 ° C）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅（芯片）解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
自定义的温度范围内工作
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
(1)
应用
潜孔钻
高温度环境下
描述
该INA333是一款低功耗，高精度仪表放大器，提供优异的精度。多功能三运
功放设计，体积小，低功耗使其非常适用于广泛的便携式应用。
单个外部电阻设置从1到1000的INA333的任何收益被设计为使用行业标准的增
方程：G = 1 +（ 100kΩ的/右
G
).
该INA333提供了极低的失调电压（ 25
mV
在25℃下，G
≥
100 ） ，出色的失调电压漂移（ 0.2
毫伏/ ∞C ，
G
≥
100）和高共模抑制比（百分贝在25℃下，G
≥
10）。它工作在电源低至
1.8 V （ ± 0.9V ） ，而静态电流仅为50
毫安理想
对于电池供电系统。使用自动校准
技术，以确保卓越的精度在扩展工业温度范围， INA333还提供
极低的噪声密度（ 55内华达州/ √Hz的）向下延伸到DC 。
该INA333工作在T被
A
= -55 ° C至+ 210 °C温度范围。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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V+
7
V
IN-
2
RFI输入滤波
A
1
1
RFI输入滤波
50kW
R
G
8
RFI输入滤波
A
3
50kW
6
V
OUT
150kW
150kW
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
150kW
150kW
V
IN +
3
A
2
5
REF
RFI输入滤波
INA333
4
V-
G=1+
100kW
R
G
订购信息
(1)
T
A
包
(2)
KGD
JD
HKJ
订购型号
INA333SKGD1
INA333SJD
INA333SHKJ
顶部端标记
NA
INA333SJD
-55°C至210℃
INA333SHKJ
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
电源电压
INA333
+7
单位
V
V
°C
°C
°C
V
V
V
模拟输入电压范围
(2)
输出短路
(3)
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
-55到+210
-65到+210
+210
4000
200
1000
连续
工作温度范围，T
A
结温，T
J
ESD额定值
存储温度范围，T
英镑
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
(3)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以比0.3V的摆动更超出电源轨应
有电流限制在10mA或更小。
短路到地。
2
提交文档反馈
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INA333-HT
2010 ，德州仪器
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热特性针对JD包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
q
JA
q
JB
q
JC
(1)
(2)
结至环境热阻
(1)
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
没有空气流动
高K板无底部填充胶
测试条件
高-K主板
(2)
，没有气流
民
典型值
64.9
83.4
27.9
6.49
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
的意图
q
JA
规范是专为一个包到另一个在标准化环境的热性能比较。
这methodolgy并不意味着，不会在一个特定应用的环境中预测的封装件的性能。
JED51-7 ，高效热传导测试板引线表面贴装封装。
热特性FOR HKJ包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
结到外壳热阻（到机箱底部）
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
民
典型值
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
典型值
T
A
= +210°C
典型值
测试条件
民
最大
民
V
OSI
±10 ±25/G
±25 ±75/G
±15
±0.1 ±0.5/G
(3)
±5 ±15/G
0.2
(4) (5)
2.5
(4)
最大
5.7
13.7
单位
° C / W
q
JC
结到外壳热阻（以盒盖顶部 - 仿佛形成死虫）
电气特性： V
S
= +1.8 V至+5.5 V
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 10kΩ的，V
REF
= V
S
/ 2，且G = 1，除非另有说明。
参数
输入
(1)
失调电压，
RTI
(2)
最大
单位
mV
毫伏/°C的
mV / V的
与温度
VS电源
PSR
1.8 V
≤
V
S
≤
5.5 V
±1 ±5/G
长期稳定性
见注
(6)
开启时间来指定
V
OSI
阻抗
迪FF erential
见典型特征
见典型特征
Z
IN
100 || 3
100 || 3
100 || 3
100 || 3
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
共模
共模
电压范围
共模
拒绝
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
Z
IN
V
CM
V
O
= 0 V
(V–) + 0.1
(V+) – 0.1
(V–) + 0.1
(V+) – 0.1 V
CMR
DC到60赫兹
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
80
90
dB
dB
dB
dB
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
V
CM
= （ V-） + 0.1 V至
(V+) – 0.1 V
100
100
100
110
115
115
110
113
输入偏置电流
输入偏置电流
I
B
±70
±200
±1260
±2044
pA
PA / ℃，
pA
与温度
输入失调电流
与温度
I
OS
见典型特性曲线
±50
±200
见典型特性曲线
见典型特性曲线
见典型特性曲线
PA / ℃，
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
总V
OS
，提到对输入= （V
OSI
) + (V
OSO
/G).
RTI =简称至输入。
温度漂移为-55 ° C至+ 125°C的测量。
G = 1000
温度漂移是从125 ° C到+ 210 ℃测量。
在+ 150 ° C 300小时的寿命试验证明随机分布的大约1变化
毫伏。
2010 ，德州仪器
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